专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211399394.3在审
  • 成旼哲 - 爱思开海力士有限公司
  • 2022-11-09 - 2023-05-23 - H10B12/00
  • 本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件,包括:位线;氧化半导体柱,从位线竖直延伸;电容器,设置在氧化半导体柱之上;以及字线,设置在氧化半导体柱的侧壁之上,其中,氧化半导体柱包括:下氧化半导体界面层,耦接到位线;上氧化半导体界面层,耦接到电容器;以及氧化半导体沟道层,设置在下氧化半导体界面层和上氧化半导体界面层之间。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201780059506.1有效
  • 铃木正彦;今井元;北川英树;菊池哲郎;西宫节治;上田辉幸;原健吾;大东彻;伊藤俊克 - 夏普株式会社
  • 2017-09-21 - 2022-02-25 - H01L29/786
  • 半导体装置具备包含半导体层(7)、栅极电极(3)、栅极绝缘层(5)、源极电极(8)以及漏极电极(9)的薄膜晶体管(101),半导体层(7)具有层叠结构,该层叠结构包含:第1氧化半导体层(71),其包含In和Zn,第1氧化半导体层所包含的In相对于全部金属元素的原子数比大于第1氧化半导体层所包含的Zn相对于全部金属元素的原子数比;第2氧化半导体层(72),其包含In和Zn,第2氧化半导体层所包含的Zn相对于全部金属元素的原子数比大于第2氧化半导体层所包含的In相对于全部金属元素的原子数比;以及中间氧化半导体层(70),其配置在第1氧化半导体层与第2氧化半导体层之间,第1氧化半导体层和第2氧化半导体层是结晶质氧化半导体层,中间氧化半导体层是非晶质氧化半导体层,第1氧化半导体层(71)配置在比第2氧化半导体层(72)靠栅极绝缘层(5)侧。
  • 半导体装置及其制造方法
  • [发明专利]半导体装置及其制作方法-CN202210864310.2在审
  • 杨谨嘉;陈文斌;陈祖伟 - 友达光电股份有限公司
  • 2022-07-21 - 2022-09-13 - H01L27/12
  • 一种半导体装置及其制作方法,半导体装置包括:基板、第一晶体管以及第二晶体管。第一晶体管设置于基板之上,且包括第一金属氧化半导体层。第二晶体管设置于基板之上,且包括第二金属氧化半导体层及第三金属氧化半导体层。第三金属氧化半导体层直接叠置于第二金属氧化半导体层上。第二金属氧化半导体层与第一金属氧化半导体层属于相同膜层。第一金属氧化半导体层的氧浓度低于第二金属氧化半导体层的氧浓度,且第二金属氧化半导体层的氧浓度低于第三金属氧化半导体层的氧浓度。
  • 半导体装置及其制作方法
  • [发明专利]氧化半导体TFT基板的制作方法及结构-CN201410444172.8在审
  • 李文辉 - 深圳市华星光电技术有限公司
  • 2014-09-02 - 2014-11-19 - H01L29/786
  • 本发明提供一种氧化半导体TFT基板的制作方法及结构,通过采用氧化导体层来定义氧化半导体TFT基板的沟道及源极,由于该氧化导体层较薄,与现有技术相比,所述沟道的宽度可以制作得较小,并且沟道宽度可以得到准确控制,因此降低了氧化半导体TFT基板的制程难度,提升了氧化半导体TFT基板的性能,提高生产良率。本发明制得的氧化半导体TFT基板结构中,由于氧化导体层与氧化半导体层结构组成类似,因此可形成良好的欧姆接触;氧化半导体层具有较好的爬坡,且氧化导体层不会给氧化半导体层造成金属离子污染;由于氧化导体层是透明的
  • 氧化物半导体tft制作方法结构
  • [发明专利]氧化半导体TFT基板的制作方法及结构-CN201410445154.1有效
  • 李文辉 - 深圳市华星光电技术有限公司
  • 2014-09-02 - 2017-02-15 - H01L27/12
  • 本发明提供一种氧化半导体TFT基板的制作方法及结构,通过采用氧化导体层来定义氧化半导体TFT基板的沟道,由于该氧化导体层较薄,与现有技术相比,所述沟道的宽度可以制作得较小,并且沟道宽度可以得到准确控制,因此降低了氧化半导体TFT基板的制程难度,提升了氧化半导体TFT基板的性能,提高生产良率。本发明制得的氧化半导体TFT基板结构中,由于氧化导体层与氧化半导体层结构组成类似,因此可形成良好的欧姆接触;氧化导体层不会给氧化半导体层造成金属离子污染;由于氧化导体层是透明的,因此可提高开口率
  • 氧化物半导体tft制作方法结构
  • [发明专利]氧化半导体薄膜及其制备方法、薄膜晶体管的制备方法-CN201811337726.9在审
  • 李敏敏 - 广东聚华印刷显示技术有限公司
  • 2018-11-12 - 2020-05-19 - H01L21/02
  • 本发明涉及一种氧化半导体薄膜及其制备方法、薄膜晶体管的制备方法。该制备方法包括以下步骤:提供氧化半导体的前驱体溶液;将氧化半导体的前驱体溶液置于保护气体环境中,对氧化半导体的前驱体溶液进行紫外光光照处理,反应完全后,得到氧化半导体溶胶;将氧化半导体溶胶在衬底上成膜和热处理,即得氧化半导体薄膜。该制备方法采用紫外光对氧化半导体的前驱体溶液进行光照处理,氧化半导体的前驱体吸收紫外光后,加速水解反应和缩聚反应,获得良好的氧化半导体溶胶,再经过成膜和热处理,氧化半导体薄膜由疏松多孔的结构转变为致密的结构,进而实现高性能氧化半导体薄膜的制备。
  • 氧化物半导体薄膜及其制备方法薄膜晶体管
  • [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201380043764.2有效
  • 山崎舜平 - 株式会社半导体能源研究所
  • 2013-08-01 - 2018-05-15 - H01L29/786
  • 提供一种显示稳定的电特性的高可靠性半导体装置。制造高可靠性半导体装置。其包括在其中层叠有第一氧化半导体层、第二氧化半导体层以及第三氧化半导体层的氧化半导体叠层,与氧化半导体叠层接触的源电极层以及漏电极层,与氧化半导体层重叠的栅电极层(在所述氧化半导体层和所述栅电极层之间设置有栅极绝缘层),以及第一氧化绝缘层及第二氧化绝缘层(在所述第一氧化绝缘层及所述第二氧化绝缘层之间夹有氧化半导体叠层)。第一至第三氧化半导体层中的每个包含铟、镓及锌。第二氧化半导体层中的铟的比例比第一及第三氧化半导体层中的每个的铟的比例多。第一氧化半导体层是非晶的。第二及第三氧化半导体层都具有晶体结构。
  • 半导体装置及其制造方法
  • [发明专利]氧化半导体评价装置和该方法-CN201580013083.0有效
  • 乾昌广 - 株式会社神户制钢所
  • 2015-03-23 - 2019-01-18 - H01L21/66
  • 在本发明的氧化半导体评价装置和该方法中,对于评价对象的氧化半导体,照射规定波长的光和规定的测量波,测量由所述氧化半导体反射的所述测量波的反射波。另外,测量所述氧化半导体的厚度。然后,基于该测量到的所述氧化半导体的厚度,校正所述反射波的强度。因此,氧化半导体评价装置和该方法,通过进一步考虑所述氧化半导体的厚度而评价所述氧化半导体的迁移率,因此能够更高精度地评价所述氧化半导体的迁移率。
  • 氧化物半导体评价装置方法

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