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[发明专利]基于氧化锆和氧化镧的透明薄膜晶体管器件及其制备方法-CN201911299226.5有效
发明人：方欲晓;赵春;赵策洲;杨莉 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于氧化锆和氧化镧的透明薄膜晶体管器件，包括从下到上依次设置的导电玻璃衬底、介电层、半导体层、上金属电极，所述上金属电极包括源电极和漏电极，所述介电层材料为氧化锆和氧化镧的混合氧化物。采用溶液法制备TFT的绝缘层和半导体层，实现低成本大面积的TFT制备，设备和原料投资较少；在工艺上与传统工艺兼容，能有效控制了制备成本。
基于氧化锆氧化透明薄膜晶体管器件及其制备方法

[发明专利]仿生突触晶体管及其制备方法-CN202011278994.5有效
发明人：赵天石;赵春;刘伊娜;赵策洲;杨莉 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种仿生突触晶体管的制备方法，包括：S1、提供衬底，在衬底的一表面形成源电极和漏电极；S2、制备沟道层前驱体水溶液，并在源电极、漏电极和衬底上旋涂形成沟道层；S3、制备电荷俘获‑隧穿层前驱体水溶液，并在沟道层上旋涂形成电荷俘获‑隧穿层；S4、制备铁电绝缘层前驱体水溶液，并在电荷俘获‑隧穿层上旋涂形成铁电绝缘层；S5、在铁电绝缘层上表面形成栅电极，得到仿生突触晶体管。整个制备工艺可在非真空大气条件下进行，并且温度不超过300℃，属于低温工艺，工艺简单，无需传统意义上的光刻与真空镀膜，可大幅减少制备时长，生产成本较低，得到的仿生突触晶体管基于可在感受器、存储器和人工智能领域中有重要应用潜力。
仿生突触晶体管及其制备方法

[发明专利]一种声音探测器件及其制备方法-CN202110363361.2有效
发明人：赵天石;赵春;赵策洲;刘伊娜;杨莉 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种声音探测器件及其制备方法。该声音探测器件包括：衬底基板；突触晶体管，位于所述衬底基板的一侧；所述突触晶体管包括栅极、源极和漏极、位于所述栅极与所述源极和漏极之间的电荷存储层、位于电荷存储层与栅极之间的绝缘层、以及位于电荷存储层与源极和漏极之间的沟道层，且源极和漏极分别与沟道层电连接；纳米摩擦发电机，位于衬底基板的一侧；纳米摩擦发电机包括相对设置的正摩擦层和负摩擦层；正摩擦层与栅极电连接；纳米摩擦发电机用于在声波的驱动下，控制正摩擦层与负摩擦层接触或分离。本技术方案通过将突触晶体管和纳米摩擦发电机结合实现了声音探测器件的自驱动，降低了声音探测器件的功耗。
一种声音探测器件及其制备方法

[发明专利]一种实现低导通电阻的增强型氮化镓晶体管的方法-CN201910836167.4有效
发明人：蔡宇韬;王洋;刘雯;赵策洲 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种实现低导通电阻的增强型氮化镓晶体管的方法，该氮化镓晶体管包括硅衬底；依次设于衬底上的氮化镓沟道层、铝镓氮势垒层；与铝镓氮势垒层相接触的源极和漏极；设于铝镓氮势垒层上除源极漏极以外区域的钝化层；刻蚀掉栅下的钝化层和部分栅下铝镓氮势垒层后形成凹槽结构的栅极。栅极第一层为p型氧化钛，第二层为金属层，p型氧化钛作为栅介质，使得零栅压时耗尽栅极下方的二维电子气，实现增强型的金属绝缘体半导体场效应晶体管结构，同时具有较低的漏电和较高的击穿电压。
一种实现通电增强氮化晶体管方法

[发明专利]MXene/rGO@生物炭水凝胶复合材料的制备方法及应用-CN202110856800.3有效
发明人：孙艺;袁宇丹;刘晨光;鲁沈锴;宋鹏飞;杨莉;赵策洲 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01G11/86 文献下载
摘要：一种MXene/rGO@生物炭水凝胶复合材料的制备方法及应用，复合材料中的生物炭与MXene/rGO形成三维多孔导电结构。本发明将MXene/rGO水凝胶和生物炭框架结合，这种创新结构可有效克服MXene自身堆叠的缺陷，提供了赝电容的活性位点，并通过碳化和KOH活化进行造孔，有效增加复合材料的比表面积，提高了应用于超级电容器时的比电容量和能量密度。
mxene rgo 生物凝胶复合材料制备方法应用

[发明专利]一种等离子体增强型溶液燃烧法制备的薄膜晶体管及方法-CN201910559729.5有效
发明人：刘启晗;赵春;赵策洲;杨莉 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体增强型溶液燃烧法制备的薄膜晶体管及方法，包括绝缘衬底，栅电极，溶液燃烧法制备的栅极绝缘层，金属氧化物半导体层，源电极和漏电极；绝缘衬底上依次设置有栅电极，溶液燃烧法制备的栅极绝缘层，金属氧化物半导体层；金属氧化物半导体层上设置有源电极和漏电极；具体步骤包括：a)绝缘衬底的清洗处理；b)制备栅电极；c)表面处理；d）溶液燃烧法制备栅极绝缘层；e)等离子体处理栅极绝缘层；f）制备金属氧化物半导体层；g）源电极和漏电极的制备。本发明提供了一种成本低廉，工艺简单环保，产品性能优越的金属氧化物薄膜晶体管（MOTFT）的制备方法。
一种等离子体增强溶液燃烧法制薄膜晶体管方法

[发明专利]一种提升氮化镓晶体管击穿电压的方法-CN201910836553.3有效
发明人：蔡宇韬;王洋;刘雯;赵策洲 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明属于半导体制造领域，本发明公开了一种提升氮化镓晶体管击穿电压的方法。该方法包括以下步骤：在衬底生长氮化镓外延层；刻蚀形成有源区台面；形成源、漏欧姆接触电极；刻蚀栅极下方的AlGaN势垒层；刻蚀栅极到漏极之间的AlGaN势垒层；器件表面淀积钝化层；形成双栅极区的金属电极。本发明可以将漏极高压产生的电场更均匀的分布在栅极与漏极之间，使栅极靠近漏极端的电场强度降低，提升氮化镓晶体管的耐压性能。另外，本方法中的双栅极结构可以降低氮化镓晶体管导电沟道的电阻，提升晶体管的输出性能。
一种提升氮化晶体管击穿电压方法

[发明专利]一种主动式压力传感器及其制备方法-CN202110343341.9有效
发明人：陈小平;刘伊娜;文震;赵春;赵策洲 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G01L1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种主动式压力传感器及其制备方法。该主动式压力传感器包括第一金属电极层；第二金属电极层，与所述第一金属电极层相对设置；柔性有机介电层，位于所述第一金属电极层和所述第二金属电极层之间；所述柔性有机介电层在朝向所述第二金属电极层的一侧设置有多个凹槽结构。当所述第一金属电极层背离所述第二金属电极层的一侧表面受到压力时，所述柔性有机介电层发生形变，所述凹槽结构的槽底和/或侧壁与所述第二金属电极接触摩擦产生电荷，这样所述第一金属电极层与所述第二金属电极层之间产生电势差，实现了无需外部电路供电的压力传感器设计。
一种主动压力传感器及其制备方法

[发明专利]一种仿生突触晶体管及其制备方法和应用-CN202210907119.1在审
发明人：赵天石;赵春;赵策洲;刘伊娜;杨莉 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明涉及一种仿生突触晶体管及其制备方法和应用，所述仿生突触晶体管包括自下而上依次层叠设置的衬底、源电极和漏电极、沟道层、电荷俘获‑隧穿层、感光层和钝化层；所述源电极和漏电极设置于同一层；所述电荷俘获‑隧穿层包括电荷俘获层以及包覆于所述电荷俘获层表面的隧穿层；所述电荷俘获‑隧穿层包括MXene‑TiO2。本发明所述仿生突触晶体管可实现光电信号的记忆功能与对于输入图像的识别功能，模仿生物对于图像的视觉识别，且制备工艺简单。
一种仿生突触晶体管及其制备方法应用

[发明专利]一种陀螺仪角度传感器-CN202110599744.X有效
发明人：谢欣凯;赵春;文震;刘伊娜;赵策洲 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G01C19/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种陀螺仪角度传感器。该传感器包括摩擦纳米发电机、电阻式电位计、旋转支架及角度确定器；摩擦纳米发电机在外力作用力下，第一电极与第二电极之间产生电势差；电阻式电位计包括基板、环形电极、多个电阻以及滑片；各电阻首尾连接构成串联电路，各电阻环绕环形电极；串联电路两端分别与第一和第二电极电连接；滑片的一端通过环形电极与第一电极电连接，其另一端与一电阻电连接；旋转支架包括固定框和旋转框；滑片固定于两框架中的一个上，基板固定于两框架中的另一个上；固定框固定设置；旋转框可旋转设置，以使滑片和基板相对运动，控制接入串联电路中电阻数量；角度确定器用于根据串联电路两端的电压，确定角度变化。
一种陀螺仪角度传感器

[发明专利]基于铝氧化物的RRAM及其制备方法-CN201811128573.7有效
发明人：沈棕杰;戚燕菲;赵春;赵策洲;杨莉;张艺;罗天;黄彦博 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种电子器件技术领域基于铝氧化物的RRAM及其制备方法，包括由下至上层叠设置的基底、阻变氧化层和上电极层；所述基底包括绝缘层和下电极层；所述阻变氧化层为Al2O3薄膜层；所述上电极层包括若干阵列在阻变氧化层上的上电极，所述上电极在远离阻变氧化层的表面设有金属保护层。本发明采用溶液法工艺制造阻变氧化层，实现低成本RRAM的制备，设备和原料投资较少，可实现大规模工业应用。
基于氧化物 rram 及其制备方法

[发明专利]MXene-碳纳米笼-硫复合材料的制备方法及应用-CN202110439488.8有效
发明人：耿显葳;杨莉;赵策洲;易若玮;刘晨光;孙艺 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：一种MXene‑碳纳米笼‑硫复合材料的制备方法及应用，以MAX相Ti3AlC2为原料，通过化学刻蚀法得到层片状的二维MXene材料。以柠檬酸钠粉末为原料，通过碳化和化学刻蚀法得到碳纳米笼材料。再将两者超声分散混合，得到MXene‑碳纳米笼复合材料。最后，高温下将单质硫融入MXene‑碳纳米笼粉末，得到MXene‑碳纳米笼‑硫复合材料作为锂硫电池的正极。该电极材料有着优异的导电性，增加了MXene的层间距，暴露出更多的活性位点和官能团，有利于对多硫化物的捕捉。因此，其电池有着高的放电比容量和良好的循环性能。
mxene 纳米复合材料制备方法应用

[发明专利]锂硫电池用复合正极片、其制备方法及应用-CN201811449059.3有效
发明人：易若玮;杨莉;赵策洲;袁宇丹;刘晨光;赵胤超;林向飞 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01M4/13 文献下载
摘要：一种电化学能源技术领域的锂硫电池用复合正极片、其制备方法及应用，包括纳米微孔碳‑硫复合材料、导电剂和聚偏氟乙烯；所述复合材料中纳米微孔碳的孔径小于0.8nm。本发明将常见的升华硫的存在形式S8转换为短链的硫分子S2‑4，避免锂硫电池在放电过程中生成易溶解的高阶多硫化物，杜绝了穿梭效应的发生，提高了锂硫电池的循环稳定性。
电池复合正极制备方法应用

[发明专利]铜碳硅复合负极片的制备方法及其应用-CN201811442520.2有效
发明人：赵胤超;刘晨光;宋皓伟;易若玮;杨莉;赵策洲 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01M4/1395 文献下载
摘要：一种电化学能源技术领域铜碳硅复合负极片的制备方法及其应用，将铜纳米线和碳纳米管的混合溶液旋涂在铜箔上，制得多孔集流体，将多孔集流体干燥后再采用PECVD法在表面沉积硅薄膜，制成铜碳硅复合负极片。本发明采用铜纳米线和碳纳米管复合而成的多孔集流体，并复合硅薄膜，增强了锂离子在负极的迁移效率，减缓了硅在膨胀时产生的巨大应力，具有能量密度高，循环性能好等特点。
铜碳硅复合负极制备方法及其应用

[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202110997674.3在审
发明人：尹力;赵春;杨莉;刘伊娜;赵策洲 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法，所述钙钛矿太阳能电池中，空穴传输层和顶电极层之间设置有氧化钒钝化层。本发明通过在钙钛矿太阳能电池中的空穴传输层和顶电极层之间设置有氧化钒钝化层，利用氧化钒钝化层，能够起到载流子选择作用提高器件性能，并结合钙钛矿太阳能电池达到一个高效且低成本的目的，此外，本发明通过ALD沉积制备氧化钒钝化层，有效保证钙钛矿太阳能电池不被破坏，从而具有结构简单、制备简易和稳定性高等特点。
一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法

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