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[发明专利]一种静态随机存储器的寄生参数的测试系统和方法-CN201210496840.2有效
发明人：郭奥 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2012-11-29 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本发明公开了静态随机存储器的寄生参数的测试系统及方法，用于测试静态随机存储阵列中各晶体管的栅覆盖电容和PN结特性，其中，静态随机存储阵列中各相同类型的晶体管的栅极并联耦接于第一测试点；各相同类型的晶体管的有源区并联耦接于第二测试点，各相同类型的晶体管的衬底并联耦接于第三测试点，栅覆盖电容测试模块通过第一测试点和第二测试点可测量各晶体管的栅覆盖电容，PN结电流和结电容测试模块通过第二测试点和第三测试点可测量各晶体管的PN结电流和PN本发明充分利用静态随机存储阵列的结构特点，测量静态随机存储阵列中各晶体管的电容和PN结特性，以进行模型参数的优化。
一种静态随机存储器寄生参数测试系统方法

[实用新型]集成电路-CN202021374523.X有效
发明人： P·加利;T·贝德卡尔拉茨 -专利权人：意法半导体有限公司
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：该集成电路包括位于绝缘体上硅(SOI)衬底的半导体膜中和半导体膜上的MOS晶体管。SOI衬底在掩埋绝缘体层下方具有第一背栅极区和两个第一辅助区，它们分别位于MOS晶体管的源极接触区和漏极接触区下方。两个第一辅助区的导电类型与第一背栅极区的导电类型相反。两个第一辅助区的导电类型与MOS晶体管的源极接触区和漏极接触区的导电类型相同。
集成电路

[发明专利]绝缘体上硅衬底上的静态随机存取存储器及制作方法-CN201110061663.0有效
发明人：胡剑 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-03-15 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本发明提供一种形成于绝缘体上硅衬底上的静态随机存取存储器及制作方法，在相邻的不同类型晶体管之间采用浅沟槽隔离，使相邻的不同类型晶体管的有源区完全隔离，不会产生如体硅衬底中的闩锁效应；同时在相邻的相同类型晶体管之间采用超浅沟槽隔离，使得相邻的相同类型晶体管之间的体区相通，在多个存储单元中相通的体区之上的有源区内进行离子注入形成掺杂类型同其体区掺杂类型相同、且同其体区相接触的体区引出区，每个体区引出区可消除与其相接触的多个存储单元中相通体区的浮体效应
绝缘体衬底静态随机存取存储器制作方法

[发明专利]双浅沟道隔离的双极型晶体管阵列的制造方法-CN200810041516.5有效
发明人：张挺;宋志棠;万旭东;刘波;封松林;陈邦明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2008-08-08 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： H01L21/8222 文献下载
摘要：本发明涉及双浅沟道隔离(dual－STI)的双极型晶体管阵列的制造方法，其特征在于制造方法中，避免了选择性外延法，在第一导电类型的衬底上制造形成较深的STI，在STI的侧壁和底部均匀沉积含有易扩散的第二导电类型原子材料；去除沉积在STI槽口附近的含有易扩散的第二导电类型原子材料；退火使上述材料中的第二导电类型原子扩散到位线中，形成对位线的第二导电类型重掺杂；随后通过刻蚀将因第二导电类型原子扩散而相互连接的位线分隔开，使位线之间电学不导通；通过离子注入和光刻在上述独立位线上方形成独立的双极型晶体管，同一位线上的晶体管并用较浅的STI分隔开。本发明还包含基于上述双浅沟道隔离双极型晶体管选通的相变存储器的制造方法。
沟道隔离双极型晶体管阵列制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201711106070.5在审
发明人：闫德海;靳颖;黄海英;牛健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，采用全面离子注入工艺对各个所述晶体管区进行阈值电压调整离子注入，来形成阈值电压调整层，调节形成的晶体管的阈值电压和漏电流，同时可以省略栅极多晶硅的一次需要有掩膜版掩膜的离子注入步骤，并可采用具有第一导电类型的第一阱结构替代半导体衬底的低压PMOS晶体管区等晶体管区中的第一导电类型的普通阱结构，省去用掩膜版掩膜形成低压PMOS晶体管中的第一导电类型的普通阱结构的工艺，由此可以节约两张光刻掩膜版
第一导电类型阱结构阈值电压调整半导体器件晶体管区掩膜版掩膜离子注入步骤离子注入工艺光刻掩膜版栅极多晶硅阈值电压漏电流晶体管省略衬底半导体离子制造节约替代

[发明专利]功率放大器结构及其形成方法、电子设备-CN202210760103.2在审
发明人：陈文生;叶恩祥;叶子祯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H03F3/21 文献下载
摘要：功率放大器电路包括第一类型的晶体管，第一类型的晶体管与第二类型的晶体管串联连接在相同的电源之间。在非限制性非排他性示例中，n型晶体管与p型晶体管串联连接在Vdd之间。
功率放大器结构及其形成方法电子设备

[发明专利]带有竖直漂移区的高电压MOSFET的结构和制造方法-CN202310345511.6在审
发明人：姜昌锡;知彦北岛;李吉镛 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请涉及一种晶体管、一种三维NAND闪速存储器集成电路和一种形成晶体管的方法。本公开内容的多个实施方式包括一种带有竖直漂移区的晶体管和用于形成所述晶体管的方法。所述晶体管可包括：第一导电类型的阱区；栅极区，所述栅极区设置在所述阱区上方；和与所述第一导电类型不同的第二导电类型的漂移区。
带有竖直漂移电压 mosfet 结构制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN97126460.0有效
发明人：卞正洙;李炳学 -专利权人： LG半导体株式会社
申请日： 1997-11-27 - 公布日： 2003-03-26 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造能改善电阻率半导体器件的方法，包括以下步骤在衬底上淀积绝缘膜；在绝缘膜第一区上形成第一导电类型的多晶硅层；在绝缘膜第二区上形成第二导电类型的多晶硅层；在第一和第二导电类型的多晶硅层上形成防扩散膜；在防扩散膜上形成晶体的金属硅化物层；通过将离子注入晶体的金属硅化物层中，将晶体的金属硅化物层变成非晶金属硅化物层；通过热处理非晶金属硅化物层使其结晶；及腐蚀晶体的金属硅化物层、第一和第二多晶硅层，和绝缘膜，形成CMOS晶体管。
半导体器件制造方法

[实用新型]一种色盲矫正型人工晶体-CN202020770253.8有效
发明人：齐东华 -专利权人：齐东华
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： A61F2/16 文献下载
摘要：一种色盲矫正型人工晶体是专为色盲或色觉识别异常人群设计的人工晶体，其特点是在当前的人工晶体设计的基础上根据色盲患者的色盲类型及需求在人工晶体前表面加上特殊镀膜加工处理，其原理和当前的色盲矫正眼镜一样，然后通过手术植入至色盲患者眼内该实用新型专利中包括单纯矫正色盲的人工晶体及矫正屈光不正联合矫正色盲的人工晶状体两种类型，其中第二种类型在矫正色盲的同时可以矫正色盲患者合并的眼部屈光不正(如：近视、远视或者规则散光)。
一种色盲矫正人工晶体

[发明专利]双极功率晶体管及其制造方法-CN98806912.1无效
发明人： T·约翰松;L·C·莱顿 -专利权人：艾利森电话股份有限公司
申请日： 1998-05-25 - 公布日： 2000-08-02 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：本发明涉及纵向双极功率晶体管及制造所说双极功率晶体管的方法,所说功率晶体管主要用于射频应用。该双极功率晶体管包括衬底(13)、衬底上的第一导电类型的集电层(15)、与集电层电连接的第二导电类型的基区(19)、与基区电连接的所说第一导电类型的发射区(21),所说基区和所说发射区都与金属化互连层(根据本发明,该功率晶体管实际包括设置在与基区电连接的金属化互连层和绝缘氧化物之间的场屏蔽层(25)。
功率晶体管及其制造方法

[发明专利]一种晶体与钟振兼容测试方法及系统-CN202310990516.4在审
发明人：邓宏民;王同强;许家群;候锦雄 -专利权人：广东惠伦晶体科技股份有限公司
申请日： 2023-08-07 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明属于石英晶体振荡器技术领域，尤其涉及一种晶体与钟振兼容测试方法及系统，包括以下步骤：获取待测物，判断待测物的类型为晶体或钟振，根据待测物的类型选择晶体测试模块或钟振测试模块；若待测物为晶体，控制待测晶体上料并将待测晶体翻转至测试点位，由晶体测试模块测量待测晶体，获取待测晶体的晶体测量信息，根据晶体测量信息对已检测晶体进行摆盘；若待测物为钟振，控制待测钟振上料并将待测钟振翻转至测试点位，由钟振测试模块测量待测钟振，获取待测钟振的钟振测量信息，根据钟振测量信息对已检测钟振进行摆盘；实现一台测试设备能够同时测试晶体和钟振，有效提高晶体和钟振的生产效率，节约设备成本。
一种晶体兼容测试方法系统

[发明专利]碳化硅晶体管及其制备方法-CN202010900701.6在审
发明人：罗烨辉;魏伟;赵艳黎;王志成;郑昌伟;龚芷玉;李诚瞻;罗海辉 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本说明书公开一种碳化硅晶体管及其制备方法。在所述碳化硅外延层上形成Poly薄层和第一掩膜层；所述第一掩膜层包括第一注入窗口和掩膜标记；利用所述第一掩膜层对所述Poly薄层进行非穿透刻蚀形成Poly注入掩蔽层；注入第一离子，在所述碳化硅外延层与所述第一导电类型掩蔽区对应的位置形成第一导电类型区；以所述Poly层标记为对准参照，在所述第一导电类型区内形成第二导电类型区；其中，所述第一导电类型区超出所述第二导电类型区的区域为沟道结构。本说明书的技术方案，能够有效控制所述第二导电类型区相对所述第一导电类型区的偏差，从而提高晶体管的对准精度，有益于短沟道碳化硅晶体管的制备。
碳化硅晶体管及其制备方法

[发明专利]碳化硅功率半导体器件结构-CN202111197940.0在审
发明人：杨啸;陈辉 -专利权人：杭州芯迈半导体技术有限公司
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅功率半导体器件结构，包括：第一导电类型衬底、第一导电类型漂移区、第二导电类型体区、第一导电类型源区、第二导电类型基区、结型场效应晶体管区、第二导电类型屏蔽区、栅极结构、绝缘层及源极金属层本发明通过将源极接触窗口设置为至少有一条边线不超出第二导电类型体区与该边线对应的边缘，从而缩小源极接触窗口的面积，使源极金属层只在局部与第一导电类型源区接触。本发明可以有效将碳化硅功率半导体器件结构的总面积进一步缩小，增大沟道长度和结型场效应晶体管区面积与器件结构的总面积的比值，即增大了沟道密度和结型场效应晶体管区的密度，进而减小器件结构的比导通电阻。
碳化硅功率半导体器件结构

[实用新型]场效应晶体管及集成电路-CN201721789379.4有效
发明人：吴多武;马清杰;许正一 -专利权人：南京方旭智芯微电子科技有限公司
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种场效应晶体管及集成电路，涉及半导体技术领域。场效应晶体管包括第一导电类型重掺杂衬底和第一导电类型重掺杂衬底上形成的第一导电类型外延层。第一导电类型外延层的中间向上延伸形成有凸起区域，在凸起区域两侧分别为第一区域和第二区域。在第一导电类型外延层上的预设中心区域设置有硅槽，在硅槽内注入第二导电类型以使在所述第一区域上形成有第二导电类型第一沟道阱区和在第二区域上形成有第二导电类型第二沟道阱区。第二导电类型第一沟道阱区内设置有注入第一导电类型后退火形成的第一源区。第二导电类型第二沟道阱区设置有注入第一导电类型后退火形成的第二源区。以提高场效应晶体管的雪崩耐量。
第一导电类型导电类型场效应晶体管沟道阱区外延层第二区域第一区域凸起区域后退火重掺杂衬底硅槽源区集成电路半导体技术领域本实用新型向上延伸雪崩耐量中心区域沟道阱预设

[发明专利]集成静电放电器件-CN200810040570.8有效
发明人：刘志纲;俞大立;李全 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2008-07-15 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：一种集成静电放电器件，包括具有第一导电类型的半导体衬底，以及形成于所述衬底内的具有第二导电类型的阱区。所述阱区具有第一厚度。所述器件包括MOS晶体管，第一双极晶体管，以及第二双极晶体管。所述MOS晶体管包括所述阱区内具有第二厚度的第一轻掺杂漏极区、以及所述第一轻掺杂漏极区内的漏极区和发射极区。所述发射极区具有第二导电类型。第一双极晶体管与发射极区、第一轻掺杂漏极区以及阱区相关联，且第一双极晶体管具有第一触发电压。第二双极晶体管与第一轻掺杂漏极区、阱区及衬底相关联，且第二双极晶体管具有第二触发电压。
集成静电放电器件