专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于快速评估绝缘栅双极晶体管性能的基座-CN201611240226.4在审
  • 程炜涛;许生根;王海军;叶甜春 - 江苏中科君芯科技有限公司
  • 2016-12-29 - 2017-05-31 - H01L21/66
  • 本发明涉及一种用于快速评估绝缘栅双极晶体管性能的基座,其特征是包括耐高温硬质绝缘固定框架,在耐高温硬质绝缘固定框架中嵌入栅极金属引线框架、集电极金属引线框架和发射极金属引线框架,栅极金属引线框架、集电极金属引线框架和发射极金属引线框架之间保持一定距离,耐高温硬质绝缘固定框架的部分表面作为绝缘栅双极晶体管芯片的贴片平面;所述栅极金属引线框架、集电极金属引线框架和发射极金属引线框架的部分露出于耐高温硬质绝缘固定框架之外,形成栅极管脚、集电极管脚和发射极管脚本发明通过该基座可以对绝缘栅双极晶体管芯片贴片和打线后直接进行静态和动态性能评估。
  • 用于快速评估绝缘双极晶体管性能基座
  • [发明专利]一种改进放大器结构的低误差示波器-CN201710087672.4在审
  • 不公告发明人 - 卢永英
  • 2014-11-25 - 2017-05-31 - G01R13/02
  • 本发明公开了一种改进放大器结构的低误差示波器,包括衰减器、前置放大器、采样器、模数转换器、存储器、采样时钟、时基电路、晶体振荡器、中央处理器、显示器和天线模块;所述衰减器、前置放大器、采样器、模数转换器、存储器、中央处理器、显示器依次相连;所述模数转换电路还与采样时钟相连,所述时基电路分别与采样时钟、晶体整荡器、中央处理器相连;所述中央处理器还与天线模块相连;本发明采用CPU,运算能力、处理功能强大,不但强化了示波器的性能,而且增加了很多可以扩展的接口,同时将采样部分的电路分为多个模块,包括采样时钟、时基电路、晶体振荡器等,将功能进行细化,有利于减少内部电路的误差,内部设置更加人性化。
  • 一种改进放大器结构误差示波器
  • [发明专利]一种改进放大器结构的低误差示波器-CN201710088296.0在审
  • 不公告发明人 - 卢永英
  • 2014-11-25 - 2017-06-16 - G01R13/00
  • 本发明公开了一种改进放大器结构的低误差示波器,包括衰减器、前置放大器、采样器、模数转换器、存储器、采样时钟、时基电路、晶体振荡器、中央处理器、显示器和天线模块;所述衰减器、前置放大器、采样器、模数转换器、存储器、中央处理器、显示器依次相连;所述模数转换电路还与采样时钟相连,所述时基电路分别与采样时钟、晶体整荡器、中央处理器相连;所述中央处理器还与天线模块相连;本发明采用CPU,运算能力、处理功能强大,不但强化了示波器的性能,而且增加了很多可以扩展的接口,同时将采样部分的电路分为多个模块,包括采样时钟、时基电路、晶体振荡器等,将功能进行细化,有利于减少内部电路的误差,内部设置更加人性化。
  • 一种改进放大器结构误差示波器
  • [发明专利]像素补偿电路及显示装置、驱动方法-CN201710481256.2在审
  • 李俊杰;蔡鹏 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2017-06-22 - 2017-08-18 - G09G3/3258
  • 该像素补偿电路包括复位信号写入模块、电压信号写入模块、数据信号写入模块、驱动晶体管、补偿模块、连接控制模块和发光器件。并且在电压信号写入模块处于开启状态下,将电压信号输出到第二节点,低灰阶下,在发光的过程中,第一节点和第二节点之间的压差较小,可减少补偿模块出现漏电的情况,从而有利于提高第一节点的电压的保持能力,使得驱动晶体管的栅极的电压稳定,从而使得发光器件的发光稳定;并且,数据信号的写入位置为驱动晶体管靠近发光器件的一端,可降低像素补偿电路的布局难度。
  • 像素补偿电路显示装置驱动方法
  • [发明专利]一种青蒿薏仁吊浆面条及其制作方法-CN201710435005.0在审
  • 汤进;秦礼康;石明 - 贵州仁信农业开发有限公司
  • 2017-06-10 - 2017-08-15 - A23L7/109
  • 本发明公开了一种青蒿薏仁吊浆面条,原料配方为按质量百分比,青蒿结晶体1~2%、薏仁米17~23%、小麦面粉50~60%、其余为水。制作方法及步骤为一、取野生整株青蒿,煅烧成灰,将灰放入木缸中,用沸水过滤青蒿灰,收集青蒿过滤液,再将青蒿过滤液加热熬制得青蒿结晶体;二、按配方比称取薏仁米及水,将水加热,用温水将薏仁米浸泡,再进行磨浆,得薏仁浆液;三、将步骤二所得薏仁浆液,按配方比例加入小麦面粉和步骤一所得的青蒿结晶体,混合均匀,得青蒿薏仁混合料;四、将步骤三所得的青蒿薏仁混合料送入面条机压皮拉丝成型,得青蒿薏仁吊浆面条;五、将成形的青蒿薏仁吊浆面条进行自然凉晒
  • 一种青蒿薏仁吊浆面条及其制作方法
  • [发明专利]单层多晶硅非易失性存储单元、其阵列及操作其的方法-CN201610822077.6在审
  • 金南润 - 爱思开海力士有限公司
  • 2016-09-13 - 2017-08-11 - H01L27/11521
  • 一种单层多晶硅NVM单元包括第一N型阱区域和第二N型阱区域,通过P型半导体层而彼此间隔开;第一有源区域和第二有源区域,分别设置在第一N型阱区域和第二N型阱区域中;P沟道浮栅晶体管,包括在第一有源区域中设置的浮栅、在第一有源区域中设置的P型漏极区域以及在第一有源区域中设置的P型结区域,其中,浮栅延伸至第二有源区域之上;P沟道读取选择晶体管,包括在第一有源区域中设置的读取选择栅电极、在第一有源区域中设置的P型结区域以及在第一有源区域中设置的P型源极区域;以及互连线,将第一N型阱区域连接至P沟道读取选择晶体管的P型源极区域。
  • 单层多晶硅非易失性存储单元阵列操作方法

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