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[发明专利]N阱/P阱结构带结构-CN201180047562.6有效
发明人： T·H·怀特;G·V·鲍威尔;B·詹森;S·A·劳;D·多;A·L·李;W-C·林 -专利权人：阿尔特拉公司
申请日： 2011-08-04 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：公开通过在一个或者多个浮置多晶硅栅极指状物的两侧上形成带来实现更低要求的N阱或者P阱带结构的实施例。
结构

[发明专利]双晶体管或非型闪存存储结构及其制备方法-CN202310186008.0在审
发明人：张有志;沈安星 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本申请提供一种双晶体管或非型闪存存储结构，包括衬底、P型阱、第一N型阱、第二N型阱、第三N型阱、有源层、多晶硅栅极结构和位线结构，衬底具有深N阱；P型阱设置于深N阱上；第一N型阱、第二N型阱以及第三N型阱间隔设置于P型阱内，且与深N型阱间隔设置，第二N型阱位于第一N型阱与第三N型阱之间；有源层设置于P型阱、第一N型阱、第二N型阱以及第三N型阱上；多晶硅栅极结构和位线结构间隔设置于有源层上，有源层、第一N型阱、第二N型阱以及多晶硅栅极形成第一晶体管，有源层、第三N型阱、第二N型阱以及位线结构形成第二晶体管，以提高存储结构的性能。
双晶闪存存储结构及其制备方法

[发明专利]发光二极管和发光二极管制备方法-CN201911119307.2有效
发明人：王晟 -专利权人：芜湖德豪润达光电科技有限公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：每个子层结构包括第一量子阱结构以及多个第二量子阱结构。第一量子阱结构替换传统的量子垒层结构。多个第二量子阱结构设置于第一量子阱结构，形成更深层次的量子阱结构。并且，每个第二量子阱结构的厚度小于第一量子阱结构的厚度，使得第二量子阱结构相比于第一量子阱结构形成窄的量子阱结构。此时，将传统结构中的量子垒替换为所述第一量子阱结构。通过多个第二量子阱结构使得多量子阱层中形成多个子层深窄多量子阱结构，相比于传统的量子阱变得更深，使得量子阱对电子和空穴的限制能力更好，减小发光波长的半宽，产生波色更纯的、发光强度更强的指定波段。
发光二极管制备方法

[发明专利]相邻阱间隔离结构的制作方法及半导体器件-CN201410542152.4在审
发明人：陈轶群;王刚宁;孙泓;袁秉荣;陈宗高;蒲贤勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-10-14 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请公开了一种相邻阱间隔离结构的制作方法及半导体器件。其中，该制作方法包括以下步骤：在衬底中形成预备阱结构；刻蚀预备阱结构以形成贯穿预备阱结构的沟槽，并将位于沟槽两侧的预备阱结构分别作为阱；在沟槽中形成隔离结构。该制作方法通过在衬底中形成预备阱结构，然后刻蚀预备阱结构以形成贯穿预备阱结构的沟槽，并将位于沟槽两侧的预备阱结构分别作为阱，最后在沟槽中形成了隔离结构，从而将相邻阱隔离开。同时，该隔离结构的宽度明显小于现有技术中相邻阱之间的隔离距离，从而降低了相邻阱之间的隔离距离，进而提高了器件的集成度，并减少了器件的制作成本。
相邻间隔结构制作方法半导体器件

[发明专利]量子阱结构、芯片加工方法、芯片及激光器-CN202011606707.9在审
发明人：杨彦伟;刘宏亮;邹颜 -专利权人：芯思杰技术（深圳）股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本申请总体来说涉及激光技术领域，具体而言，涉及一种量子阱结构、芯片加工方法、芯片及激光器，其中量子阱结构包括，量子阱结构包括InAlAs量子阱层和InAlGaAs量子阱层，所述InAlAs量子阱层设置多层，所述InAlGaAs量子阱层的厚度与InAlAs量子阱层厚度相同，且相邻两个所述InAlAs量子阱层之间设置有所述InAlGaAs量子阱层，其中，所述InAlAs量子阱层的厚度在0.4nm‑0.6nm之间，所述InAlAs量子阱层的数量在3‑17之间，本申请方案中，量子阱层厚度小，在量子阱结构厚度不变的情况下，量子阱结构厚度与单层量子阱层厚度的比值增大了，量子阱限制参数Γ的值增大了，量子阱限制参数增大会减小了芯片阈值电流
量子结构芯片加工方法激光器

[实用新型]量子阱结构、芯片及激光器-CN202023289626.9有效
发明人：杨彦伟;刘宏亮;邹颜 -专利权人：芯思杰技术（深圳）股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本申请总体来说涉及激光技术领域，具体而言，涉及一种量子阱结构、芯片及激光器，其中量子阱结构包括，量子阱结构包括InAlAs量子阱层和InAlGaAs量子阱层，所述InAlAs量子阱层设置多层，所述InAlGaAs量子阱层的厚度与InAlAs量子阱层厚度相同，且相邻两个所述InAlAs量子阱层之间设置有所述InAlGaAs量子阱层，其中，所述InAlAs量子阱层的厚度在0.4nm‑0.6nm之间，所述InAlAs量子阱层的数量在3‑17之间，本申请方案中，InAlAs量子阱层的厚度及层数，在量子阱结构厚度不变的情况下，量子阱结构厚度与单层量子阱层厚度的比值增大了，量子阱限制参数Γ的值增大了，量子阱限制参数增大会减小了芯片阈值电流
量子结构芯片激光器

[发明专利]半导体装置结构-CN201811063125.3在审
发明人：林祐宽;杨昌达;王屏薇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体装置结构，其包括一半导体基底，具有一阱拾取区及一主动区。阱拾取区及主动区各自包括具有不同导电型的一第一阱区及一第二阱区。第一阱区与第二阱区之间具有阱区边界。一第一鳍部结构位于阱拾取区的第一阱区内，而多个第二鳍部结构位于主动区的第一阱区内。阱区边界与第一鳍部结构之间的最小距离大于阱区边界与多个第二鳍部结构中最靠近阱区边界的一者之间的最小距离。
阱区鳍部结构阱拾取区主动区半导体装置结构最小距离半导体基底导电型

[实用新型]反熔丝结构-CN201821485456.1有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-10 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种反熔丝结构，在隔离结构圈起的衬底中形成有功能阱及第一底部隔离阱，功能阱自衬底上表面延伸至衬底中，第一底部隔离阱同图形位于功能阱的下方，在与第一离子注入工艺图案互补的衬底中形成有侧部隔离阱及第二底部隔离阱，侧部隔离阱自衬底上表面延伸至衬底中并包覆隔离结构，第二底部隔离阱同图形位于侧部隔离阱的下方，第一底部隔离阱、侧部隔离阱和第二底部隔离阱属于相同离子注入类型，和功能阱分属不同离子注入类型，第一底部隔离阱和第二底部隔离阱相连成底部隔离阱组合层，由此能够得到低制造成本的反熔丝结构。
隔离阱衬底反熔丝衬底上表面隔离结构离子离子注入工艺本实用新型制造成本组合层延伸包覆图案

[发明专利]反熔丝结构的制造方法及反熔丝结构-CN201811053033.7在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-10 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明提供了一种反熔丝结构的制造方法及反熔丝结构，执行第一离子注入工艺，在隔离结构圈起的衬底中形成功能阱及第一底部隔离阱，功能阱自衬底上表面延伸至衬底中，第一底部隔离阱同图形位于功能阱的下方，执行第二离子注入工艺，在与第一离子注入工艺图案互补的衬底中形成侧部隔离阱及第二底部隔离阱，侧部隔离阱自衬底上表面延伸至衬底中并包覆隔离结构，第二底部隔离阱同图形位于侧部隔离阱的下方，第一底部隔离阱、侧部隔离阱和第二底部隔离阱属于相同离子注入类型，和功能阱分属不同离子注入类型，第一底部隔离阱和第二底部隔离阱相连成底部隔离阱组合层，由此能够通过较少的掩膜工艺形成反熔丝结构，从而能够降低反熔丝结构的制造成本。
反熔丝结构制造方法

[发明专利]存储器结构以及形成存储器结构的方法-CN202111156738.3在审
发明人：蔡新树;孙永顺;王蓝翔;卓荣发;陈学深 -专利权人：格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及存储器结构以及形成存储器结构的方法。提供了一种存储器结构，包括：衬底；布置在衬底内的第一阱区、第二阱区和第三阱区，其中第一阱区和第三阱区可以具有第一导电类型，第二阱区可以具有不同于第一导电类型的第二导电类型，并且其中第二阱区可以横向布置在第一阱区与第三阱区之间该存储器结构还包括布置在第二阱区上方的第一栅极结构和第二栅极结构。第一栅极结构可以在第三阱区上方延伸，第二栅极结构可以在第一阱区上方延伸。
存储器结构以及形成方法

[发明专利]具有改进的可靠性和效率的功率器件结构-CN201910272960.6在审
发明人：申旦 -专利权人：辛纳普蒂克斯公司
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：在一个示例中，系统包括功率器件结构，所述功率器件结构包括形成在半导体p衬底内的n阱结构和形成在n阱结构内的p阱结构。系统还包括形成在p阱结构上的一个或多个NMOS电子功率器件和形成在p阱结构上的p阱保护环，所述p阱保护环配置成围绕一个或多个NMOS电子功率器件。系统还包括形成在n阱结构上的n阱保护环，所述n阱保护环配置成围绕p阱结构；以及形成在n阱结构上的p+保护环，所述p+保护配置成围绕n阱保护环。
功率器件结构电子功率器件输出驱动器转换放大器保护配置功率级衬底高侧配置半导体改进

[发明专利]一种发光二极管外延材料结构-CN201210120680.1有效
发明人：贾海强;陈弘;王文新;江洋;马紫光;王禄;李卫 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2012-04-23 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开一种LED外延材料结构，该结构包括多量子阱有源层，所述多量子阱有源层包括一个或多个基本周期性结构，所述基本周期性结构包括相邻的宽阱和宽垒，所述宽阱包括第一耦合阱和第二耦合阱，所述第一耦合阱和第二耦合阱均为窄阱，所述第一耦合阱和第二耦合阱之间有共同的窄垒以实现电子和空穴的隧穿耦合。本发明采用的宽窄阱复合结构同时实现了俘获大量载流子和辐射复合效率高两种效果，能够显著提高LED的发光效率。
一种发光二极管外延材料结构

[发明专利]半导体测试结构及其制作方法-CN202210547339.8在审
发明人：胡正乔 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体测试结构及其制作方法。该半导体测试结构包括：基底，基底包括深阱区以及间隔设置于深阱区内的多个阱区，阱区与深阱区的掺杂类型相同，多个阱区包括第一阱区和第二阱区；测试半导体器件，设置于第一阱区所在区域且包括第一阱区；电荷导出结构，设置于第二阱区所在区域且包括第二阱区。本公开中将测试半导体器件和电荷导出结构同层制作于不同的阱区所在区域，从而在形成测试半导体器件的同时形成了电荷导出结构，电荷可通过深阱区及电荷导出结构导出，既能够很好地解决PID问题，又能够方便对半导体测试结构的版图的设计
半导体测试结构及其制作方法

[发明专利]半导体器件-CN202110685525.3在审
发明人：李依珊;潘钦寒;颜擎 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，包括：衬底；第一深阱，设置于该衬底中；第一阱，设置于该第一深阱中；第二阱，设置于该衬底中，与该第一阱以非零距离相邻；第三阱，设置于该衬底中，该第二阱设置于该第一阱与该第三阱之间；第四阱，设置于该衬底中；源极区与漏极区，分别设置于该第四阱与该第一阱中；基体区，设置于该第三阱中；栅极结构，设置于该源极区与该漏极区之间的该衬底上；第一隔离结构，设置于该栅极结构与该漏极区之间的该第一深阱上；第二隔离结构，设置于该栅极结构与该源极区之间的该第四阱上；以及顶掺杂区，设置于该第一隔离结构下方的该第一深阱中。本发明可降低栅极结构的边缘与源极区之间的电场，提升击穿电压。
半导体器件

[发明专利]深NWELL接触结构-CN202310133239.5在审
发明人： N·K·杰恩;M·拉希德 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明涉及深NWELL接触结构，揭示一种集成结构，包括：(除其它组件以外)具有第一杂质的深阱结构，接触该深阱结构并具有第二杂质的阱行，将该阱行封闭于封闭区内的阱接触环，位于该阱行上的晶体管层，位于该晶体管层内的晶体管，以及接触该深阱结构的至少一个环封闭接触。此类结构还包括接触该阱接触环及该环封闭接触的阱接触连接。
nwell 接触结构

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