“晶体类型”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果516885个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]固态摄像元件和摄像设备-CN201110068094.2有效
发明人：山川真弥 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-03-22 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：这里所公开的是固态摄像元件，其包括：光电转换区域；晶体管；第一导电类型的隔离区域，构造为使光电转换区域和晶体管彼此隔离；第一导电类型的阱区域，在其中形成有光电转换区域、晶体管以及隔离区域；接触部分，形成在隔离区域上，构造为提供用于将阱区域固定到给定电势的电势；以及第一导电类型的杂质区域，形成为在接触部分和光电转换区域之间的第一导电类型的隔离区域中自第一导电类型的隔离区域的表面沿深度方向延伸，并且第一导电类型的该杂质区域的杂质浓度比第一导电类型的隔离区域的杂质浓度足够地高
固态摄像元件设备

[发明专利]多阈值器件制造方法及器件结构-CN202111409311.X在审
发明人：李楠;关天鹏 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种多阈值器件制造方法及器件结构，包括：提供一SOI衬底；制作沟槽隔离；两次离子注入形成五个第一导电类型阱和五个第二导电类型阱；仅在第二导电类型阱一和第一导电类型阱四上的氧化埋层上形成第一导电类型离子注入沟道层；仅在第二导电类型阱三和第一导电类型阱二上的氧化埋层上形成第二导电类型离子注入沟道层；在指定位置形成第一导电类型功函数金属层和第二导电类型功函数金属层；形成各晶体管栅极；形成各晶体管源漏。本发明在没有增加额外工序，仅靠增加不同工艺之间的排列组合，能形成N/P各五种阈值电压的晶体管，降低了生产成本，提高了生产效率。
阈值器件制造方法结构

[发明专利]结型场效应晶体管及其制作方法-CN201811372629.3在审
发明人：雷天飞;毛焜 -专利权人：上海晶丰明源半导体股份有限公司
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种结型场效应晶体管及其制作方法，结型场效应晶体管包括：衬底；第一导电类型漂移区；第一导电类型源区；第二导电类型栅区，呈包围式结构围绕于第一导电类型源区，结型场效应晶体管的沟道区包含由第二导电类型栅区所包围的限定区域；以及第一导电类型漏区，与第二导电类型栅区相隔设置。本发明可以将多个具有不同夹断电压的结型场效应晶体管集成在同一电路里，可满足不同的电路性能要求，并有效节约制造成本。
场效应晶体管及其制作方法

[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管及制备方法-CN202210859566.4在审
发明人：李伟聪;刘锐杰;姜春亮;雷秀芳 -专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种绝缘栅双极型晶体管及制备方法，绝缘栅双极型晶体管包括集电极、第一导电类型的集电区、第二导电类型的漂移区、至少两个第二导电类型的第一载流子阻挡层、第二导电类型的第二载流子阻挡层、第一导电类型的基区、第一导电类型的第一源区、两个第二导电类型的第二源区、发射极和两个栅极；相邻两个第一载流子阻挡层之间设有第一间隙，第二载流子阻挡层位于第一载流子阻挡层的上方，以对第一间隙形成阻挡。本申请可以增强绝缘栅双极型晶体管的电导调制效应，从而可以减小绝缘栅双极型晶体管的导通压降，同时关断损耗几乎没什么变化，可使导通压降和关断损耗有一个更好的折衷。
一种绝缘栅双极型晶体管制备方法

[实用新型]结型场效应晶体管-CN201821898028.1有效
发明人：雷天飞;毛焜 -专利权人：上海晶丰明源半导体股份有限公司
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型提供一种结型场效应晶体管，结型场效应晶体管包括：衬底；第一导电类型漂移区；第一导电类型源区；第二导电类型栅区，呈包围式结构围绕于第一导电类型源区，结型场效应晶体管的沟道区包含由第二导电类型栅区所包围的限定区域；以及第一导电类型漏区，与第二导电类型栅区相隔设置。本实用新型可以将多个具有不同夹断电压的结型场效应晶体管集成在同一电路里，可满足不同的电路性能要求，并有效节约制造成本。
结型场效应晶体管栅区第一导电类型沟道区本实用新型导电类型夹断电压源区包围式结构电路性能横向耗尽同一电路限定区域相隔设置制造成本漂移区衬底沟道漏区包围节约

[发明专利]光接收装置和测距装置-CN202310681749.6在审
发明人：西野辰树 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-02-20 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G01S7/486 文献下载
摘要：根据本公开内容的光接收装置包括：光接收元件，包括阳极电极和阴极电极；读出电路，被配置为从光接收元件读出信号；电阻器，耦接到光接收元件的阳极电极和阴极电极中的一者；第一晶体管，耦接至电阻器和读出电路；以及第二晶体管，耦接至电阻器与第一晶体管之间的节点，其中，第一晶体管是第一类型，并且其中，第二晶体管是不同于第一类型的第二类型。
接收装置测距

[发明专利]包括MOS晶体管的集成电路及其制造方法-CN201710109434.9在审
发明人： G·C·里贝斯;B·杜蒙特;F·亚瑙德 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本申请涉及包括MOS晶体管的集成电路及其制造方法。一种包括FDSOI型MOS晶体管的集成电路包括形成在位于绝缘层上的半导体层的内部和顶部上的至少一个第一类型的逻辑MOS晶体管、至少一个第二类型的逻辑MOS晶体管以及至少一个该第一类型的模拟MOS晶体管，其中，这些逻辑晶体管的栅叠层依次包括栅极绝缘体层、第一氮化钛层、镧层和第二氮化钛层；并且该模拟晶体管的栅叠层包括除了该第一氮化钛层以外与这些逻辑晶体管的该栅叠层相同的层。
包括 mos 晶体管集成电路及其制造方法

[发明专利]有机发光显示装置-CN202111107247.X在审
发明人：李承炫;金成虎;成硕济;安珍星;禹珉宇;李旺宇;全炯珠 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G09G3/3233 文献下载
摘要：该有机发光显示装置包括：第一晶体管，包括第一有源区以及设置在第一有源区上的第一栅电极；第三晶体管，包括设置在第一栅电极上的第三下栅电极、设置在第三下栅电极上的第三有源区以及设置在第三有源区上的第三上栅电极；以及第四晶体管，包括与第一有源区设置在同一层中的第四有源区以及设置在第四有源区上的第四栅电极。第一晶体管是第一类型的晶体管，并且第四晶体管是与第一类型的晶体管不同的第二类型的晶体管。
有机发光显示装置

[发明专利]可缩放电可擦除可编程存储器-CN200780032469.1有效
发明人： S·S·吉奥格舒;P·考斯敏;G·萨玛兰多 -专利权人：催化剂半导体股份有限公司
申请日： 2007-09-04 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：每个EEPROM单元对包括三个晶体管且存储两个数据位，实际上提供1.5个晶体管EEPROM单元。EEPROM单元对包括第一非易失性存储器晶体管、第二非易失性存储器晶体管以及源极存取晶体管。该源极存取晶体管包括：与第一非易失性存储器晶体管相连续的第一源极区；与第二非易失性存储器晶体管相连续的第二源极区；以及穿过第一阱区向下延伸至与第二阱区接触的漏极区。第一、第二、和第三半导体区和第二阱区具有第一导电类型，而第一阱区具有与第一导电类型相反的第二导电类型。
缩放擦除可编程存储器

[发明专利]晶体结构相似度计算方法、筛选方法、装置及设备-CN202211053989.3在审
发明人：方利文;周天;曾群 -专利权人：深圳晶泰科技有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G16C10/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种晶体结构相似度计算方法、筛选方法、装置及设备。该方法包括：获取两个晶体结构模型；计算每一个晶体结构模型中每一种匹配类型的元素对所构成的向量；根据每一种匹配类型的元素对所构成的向量，计算目标值密度分布；根据每一个晶体结构模型中每一种匹配类型的元素对所构成的向量所对应的目标值密度分布，确定两个晶体结构模型的相似度。本申请提供的方案，能够计算两个晶体结构之间的相似度，降低计算资源，减少计算时长。
晶体结构相似计算方法筛选方法装置设备

[实用新型]一种电池充电管理集成电路-CN202022163001.1有效
发明人：刘礼刚 -专利权人：广州市金特电子科技有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电池充电管理集成电路，所述集成电路包括外围的输入端、输出端、接地端以及内部的MOS晶体管、逻辑控制器以及电池类型检测电路；所述电池类型检测电路，对接入电池的端电压进行检测，并将检测的电压结果传输至逻辑控制器内；所述逻辑控制器，接收检测的电压结果，根据检测到的电压结果，判断当前接入电池类型是否为降压型锂电池，并发送控制信号到MOS晶体管，控制MOS晶体管的导通与截止；所述MOS晶体管，MOS晶体管导通则对接入电池充电,MOS晶体管导通截止则对接入电池充电断开充电。
一种电池充电管理集成电路

[发明专利]具有双阱隔离的延伸漏极MOS-CN202080022517.4在审
发明人： C·特塞;G·马图尔 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：集成电路(100)包括延伸漏极MOS晶体管(105)。集成电路(100)的衬底(101)具有第一导电类型的下层(103)。延伸漏极MOS晶体管(105)的漏极阱(106)具有第一导电类型。漏极阱(106)通过具有相反的第二导电类型的漏极隔离阱(112)与下层(103)分开。延伸漏极MOS晶体管(105)的源极区(108)通过具有第二导电类型的体阱(113)与下层(103)分开。漏极隔离阱(112)中的第二导电类型的平均掺杂剂密度小于体阱(113)中的第二导电类型的平均掺杂剂密度。
具有隔离延伸 mos

[发明专利]低关断损耗的超级结绝缘栅双极型晶体管及其制作方法-CN202111626123.2在审
发明人：祁金伟;卢烁今 -专利权人：深圳市千屹芯科技有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种低关断损耗的超级结绝缘栅双极型晶体管及其制作方法。所述超级结绝缘栅双极型晶体管包括第一导电类型的集电区、第二导电类型的漂移区、第二导电类型的外延层和第一导电类型的阱区；集电区与集电极配合设置；漂移区形成在集电区上，并且漂移区内分布有多个超级结区；外延层形成在漂移区上，阱区形成在外延层上部，并且外延层及阱区内设置有栅极；阱区上部形成有第二导电类型的发射极；其中，超级结区包括第一导电类型的柱，第一导电类型的柱填充于第一沟槽内；晶体管还包括第二导电类型的高掺杂区，高掺杂区沿周向包围柱的侧壁本发明提供的超级结绝缘栅双极型晶体管，提升了关断时空间电场的建立速度，降低了关断能量损耗。
低关断损耗超级绝缘栅双极型晶体管及其制作方法

[发明专利]静电放电保护装置-CN200910178887.2有效
发明人：王世钰;吕佳伶;陈彦宇;刘玉莲;卢道政 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2009-10-10 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H02H9/00 文献下载
摘要：其包括一第一导电的一第一井区、一第二导电类型的一第二井区、位于第一井区内的第二导电类型的一源极区以及一第二导电类型的一漏极区，且一部分位于第二井区内。与第一井区接触的一井是耦接至源极区。第一导电类型的第三掺杂区与第二导电类型的一第四掺杂区是配置于第二井区中。一第一晶体管包括第三掺杂区、第二井区与第一井区。第一晶体管电性耦接置一切换装置。一第二晶体管包括第二井区、第一井区与源极区。第一晶体管与第二晶体管配置为在一静电放电事件期间提供一电流路径。
静电放电保护装置

[发明专利]导电类型可调源漏阻变式双侧折叠栅晶体管及其制造方法-CN201711048155.2有效
发明人：靳晓诗;马恺璐;刘溪 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及导电类型可调源漏阻变式双侧折叠栅晶体管及其制造方法，本发明所述器件具有可实现P型导电类型与N型导电类型可自由切换功能和双向开关功能。对比于普通MOSFETs型器件，利用肖特基势垒隧穿效应实现更优秀的亚阈值特性和开关特性，降低晶体管的静态功耗；对比于普通的隧穿场效应晶体管，本发明具有普通的隧穿场效应晶体管所不具备的源漏对称可互换的双向开关特性，实现了各种现有晶体管技术所无法实现的P型导电类型与N型导电类型可自由切换功能，因此为集成电路设计单元提供了更广泛和多样的逻辑功能，适合推广应用。
导电类型可调源漏阻变式双侧折叠晶体管及其制造方法

首页
«上一页
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
下一页»
尾页
共 100000 条