“H01L27/04”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果900个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]具有背侧集成式电感组件的半导体裸片-CN201780028562.9有效
发明人：本杰明·史塔生·库克;罗伯托·嘉姆彼罗·马索利尼;丹尼尔·卡罗瑟斯 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：在所描述的实例中，一种集成电路IC(300)包含电路衬底(301)，所述电路衬底(301)具有前侧表面(320)和相对背侧表面。有源电路位于所述前侧表面(320)上。电感结构(310)位于深沟槽内，所述深沟槽在电路衬底(301)中形成于所述背侧表面下方。所述电感结构(310)耦合(343、344)到所述有源电路。
具有集成电感组件半导体

[发明专利]半导体集成装置及其栅极筛查试验方法-CN201810410764.6有效
发明人：森贵浩;澄田仁志;佐佐木雅浩;中森昭;齐藤俊;富田航;佐佐木修 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2018-05-02 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：提供一种不需要设置附加电路、并且不另外设置栅极筛查端子就能够进行栅极筛查试验的半导体集成装置及其栅极筛查试验方法。具备：栅极驱动部(12)，其对电压控制型半导体元件(Q2)的栅极进行驱动；以及调节器(13)，其向该栅极驱动部提供栅极驱动电压，具备外部连接端子(tc)，在栅极筛查试验时，能够对该外部连接端子(tc)施加针对所述电压控制型半导体元件的栅极筛查用电压。
半导体集成装置及其栅极试验方法

[发明专利]AI模块-CN202180093204.2在审
发明人：小畑幸嗣;笹子胜;中川雅通;可部达也;后明宽之;三桥正朋;园田豊 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：AI模块(1)具备第1半导体芯片(101)。第1半导体芯片(101)包括每一个都执行规定的运算的多个运算块(211)、以及每一个都包括存储器的多个内存块(221)。在平面图中，多个运算块(211)以及多个内存块(221)被排列成棋盘格状或条纹状。
ai 模块

[发明专利]静电放电保护装置-CN201780072781.7有效
发明人： M·迪塞尼亚 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：在所描述的实例中，一种半导体装置(400)包含二极管(210)及电阻器(220)。所述半导体装置(400)包含具有表面(422)的衬底(408)。第一掺杂半导电区域(410)在所述衬底(408)中安置于所述表面(422)下方。第二掺杂半导电区域(420)安置于所述衬底(408)中，且在所述表面(422)与所述第一掺杂半导电区域(410)之间延伸。所述第二掺杂半导电区域(420)至少部分地接触所述第一掺杂半导电区域(410)。所述第一掺杂半导电区域(410)与所述第二掺杂半导电区域(420)一起界定隔离槽(424)。第三掺杂半导电区域(430)安置于所述隔离槽(424)中且接触所述表面(422)。所述第二掺杂半导电区域(420)与所述第三掺杂半导电区域(430)形成所述二极管(210)。所述隔离槽(424)中的至少一个开口(434)在所述衬底(408)与所述第三掺杂半导电区域(430)之间形成用于电流流动的电阻性路径。
静电放电保护装置

[发明专利]半导体装置-CN202180092335.9在审
发明人：吉田健太郎;林启;和田文雄 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：目的在于提供一种能够减小半导体装置的尺寸的技术。半导体装置具有第1半导体元件以及第2半导体元件。第1半导体元件的输出与第2半导体元件的输出经由配线而连接。主电流在第1半导体元件流动，感测电流在第2半导体元件流动。感测电流与主电流具有相关性。半导体装置还具有电流检测器。电流检测器非接触地对在第2半导体元件流动的感测电流进行检测。
半导体装置

[发明专利]半导体装置的驱动方法以及驱动电路-CN201680091464.5有效
发明人：田中翔;楠茂 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-12-12 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：半导体装置(100)具备在集电极电极(103)以及发射极电极(111)之间并联电连接的多个第1晶体管单元(120a)以及第2晶体管单元(120b)。各第1晶体管单元(120a)的栅极电压由第1栅极配线(114a)进行控制。各第2晶体管单元(120b)的栅极电压由第2栅极配线(114b)进行控制。驱动电路(130)在半导体装置(100)的导通时，对第1以及第2栅极配线(114a、114b)这两者施加半导体装置(100)的接通电压，并且在从开始施加接通电压起经过了预先设定的时间之后，对第2栅极配线(114b)施加半导体装置(100)的断开电压，另一方面，对第1栅极配线(114a)施加接通电压。
半导体装置驱动方法以及电路

[发明专利]用于双向切换装置的快速断开的电路布置-CN201710320967.1有效
发明人：叶夫根尼·尼科洛夫·斯特凡诺夫;洛朗·吉约 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2017-05-09 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明公开了用于控制双向功率晶体管的晶体管控制装置的实施例。在实施例中，用于控制双向功率晶体管的晶体管控制装置包括：电阻器，其可连接到双向功率晶体管的主体端；以及晶体管主体开关电路，其可连接到电阻器、可连接到双向功率晶体管的漏极端，并且可连接到双向功率晶体管的源极端。晶体管主体开关电路包括开关装置和交流电(AC)电容分压器，所述AC电容分压器连接到开关装置的控制端。AC电容分压器被配置成控制开关装置以切换双向功率晶体管的主体端的电压作为双向功率晶体管的漏极端与双向功率晶体管的源极端之间的电压的函数。
用于双向切换装置快速断开电路布置

[发明专利]半导体器件-CN201810064433.1有效
发明人：鹈泽义仁;森下泰之;田中正德 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2018-01-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件。所述半导体器件包括MOS晶体管和二极管，所述MOS晶体管被耦合在两个端子之间并放电由静电的产生而引起流动的电流，所述二极管被耦合在MOS晶体管的背栅极和端子之一之间，并具有与形成在MOS晶体管的背栅极和源极之间的寄生二极管的极性相反的极性。
半导体器件

[发明专利]通信装置-CN202080106433.9在审
发明人：山口和央;安达隆郎 -专利权人：超极存储器股份有限公司
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明提供一种可以抑制芯片成本的增加并且提高配置的自由度的通信装置。通信装置(1)在至少两个线圈之间使用磁场进行通信，具有：板状的发送线圈(10)；以及板状的接收线圈(20)，其配置为其面内方向与发送线圈(10)的面内方向交叉。
通信装置

[发明专利]半导体器件-CN201710271669.8有效
发明人：森下泰之 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2017-04-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：提供一种可以具有抗噪声性和抗ESD性二者的半导体器件。该半导体器件包括：第一数字电路和第二数字电路；分别对应于第一数字电路和第二数字电路设置的第一接地电位线和第二接地电位线；第一模拟电路和第二模拟电路；分别对应于第一模拟电路和第二模拟电路设置的第三接地电位线和第四接地电位线；第一双向二极管组，设置在第一接地电位线和第二接地电位线之间；第二双向二极管组，设置在第三地电位线和第四地电位线之间；和第三双向二极管组，设置在第一接地电位线和第三接地电位线之间。第三双向二极管组中的双向二极管的级数大于包括在第一双向二极管组和第二双向二极管组中的每个双向二极管组中的双向二极管的级数。
半导体器件

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202080103847.6在审
发明人：蔡巧明;马丽莎 -专利权人：中芯北方集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：在第一区域和第二区域的基底上形成分立的多晶硅栅极层，第一区域的多晶硅栅极层包括底部栅极层和凸出于底部栅极层的顶部栅极层，顶部栅极层与底部栅极层围成凹槽，凹槽的侧壁上形成有研磨阻挡层；在多晶硅栅极层侧部的基底上形成层间介质层；去除第二区域的多晶硅栅极层形成栅极开口；在栅极开口中形成金属栅极层。第一区域的多晶硅栅极层具有凹槽，使得顶部栅极层的线宽尺寸、顶面面积以及与相邻顶部栅极层之间间距较小，而且，研磨阻挡层位于凹槽的侧壁，能够在平坦化处理过程中起到研磨阻挡的作用，有利于改善第一区域的多晶硅栅极层的顶面凹陷问题，提升了半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]集成电路装置-CN202211103564.9在审
发明人：金基俊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：可提供一种集成电路装置，包括：基板，其包括字线沟槽以及与字线沟槽的内壁的第一侧壁部分相邻的第一凹陷；沟道区，其在内壁上并且在平行于基板的上表面的第一方向上延伸，该沟道区包括在基板的与内壁相邻的部分中的第一沟道区以及在内壁上并且包括第一导电类型的二维(2D)材料的第二沟道区；栅极绝缘层，其在第二沟道区上；字线，其在栅极绝缘层上并且在字线沟槽内部；以及源极区，其在第一凹陷中并且包括第一导电类型的2D材料。
集成电路装置

[发明专利]半导体装置以及半导体模块-CN202180065062.9在审
发明人：田中文悟 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：半导体装置包括：半导体芯片，其具有主面；第一导电层，其形成在上述半导体芯片的上述主面上，且与第一电位连接；第二导电层，其在上述主面的法线方向上与上述第一导电层对置，且与比上述第一电位高的第二电位连接；绝缘层，其形成于上述第一导电层与上述第二导电层之间；以及第一焊盘，其在从上述法线方向观察上述半导体芯片时的俯视时的第一方向上形成于远离与上述第二导电层对置的区域的区域，且与上述第一导电层电连接。
半导体装置以及模块

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201710296140.1有效
发明人：宇佐美达矢 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件及其制造方法，例如，提供了一种半导体器件，其包括能够降低光接收元件的制造成本并改进光接收元件的光学性能的光接收元件。例如，形成Ge光电二极管的结构本体的p型锗层、本征锗层和n型锗层根据连续选择性外延生长来形成。具有开口部分的绝缘膜形成在SOI衬底的硅层上，并且本征锗层形成为从开口部分突出到绝缘膜上方。简而言之，通过使用具有开口部分的绝缘膜，本征锗层的截面形成为蘑菇形状。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201680084166.3有效
发明人：日野史郎;贞松康史;八田英之;永久雄一;海老原洪平 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-04-11 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本申请说明书公开的技术涉及有效地抑制堆垛层错的产生所引起的正向电压的偏移的技术。与本技术相关的半导体装置具备：第2导电类型的第1阱区域(31)；第2导电类型的第2阱区域(32)，在俯视时夹着多个第1阱区域整体而设置，面积比各个第1阱区域大；第2导电类型的第3阱区域(33)，在俯视时夹着第2阱区域而设置，面积比第2阱区域大；以及第1导电类型的分断区域(25)，设置于第2阱区域与第3阱区域之间且上表面与绝缘体接触。
半导体装置

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 900 条