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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]缓冲器电路和方法-CN201580006128.1有效
发明人： N·Y·何;沈梁国;刘兵;V·F·佩卢索 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-02-03 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：在一个实施例中，一种电路包括具有控制端子、第一端子和第二端子的第一晶体管，其中第一晶体管为第一器件类型。第一晶体管的控制端子接收输入信号。该电路还包括具有控制端子、第一端子和第二端子的第二晶体管，其中第二晶体管为第二器件类型。第二晶体管的控制端子耦合至第一晶体管的第二端子。电压移变电路具有耦合至第一晶体管的第一端子的输入和耦合至第二晶体管的第一端子的输出，并且电压移变电路的输入与电压移变电路的输出之间的电压随着来自电压移变电路的输出的电流增大而增大。
缓冲器电路方法

[发明专利]具有高雪崩健壮性的晶体管装置-CN202110174991.5在审
发明人： B.菲舍尔;G.弗拉贾科莫;R.门特;A.维尔梅罗特 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及具有高雪崩健壮性的晶体管装置。公开了一种晶体管装置。晶体管装置包括：漏极节点、源极节点和栅极节点；多个漂移和补偿基元，均包括第一掺杂类型的漂移区和与第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的补偿区；和控制结构，连接在每个漂移和补偿基元的漂移区和源极节点之间。
具有雪崩健壮性晶体管装置

[发明专利]栅极驱动电路和显示装置-CN202111395339.2在审
发明人：洪礼媛 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G09G3/3266 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式涉及一种栅极驱动电路和显示装置，其中栅极驱动电路包括用于输出第一栅极信号的第一类型级电路和用于输出第二栅极信号的第二类型级电路，并且还包括用于在接通时向屏蔽金属供应偏置电压的偏置晶体管，该屏蔽金属被定位成与第一类型级电路中包括的多个晶体管之中的特定晶体管的半导体层交叠。
栅极驱动电路显示装置

[发明专利]具有高雪崩健壮性的晶体管装置-CN201710742484.0有效
发明人： B.菲舍尔;G.弗拉贾科莫;R.门特;A.维尔梅罗特 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及具有高雪崩健壮性的晶体管装置。公开了一种晶体管装置。晶体管装置包括：漏极节点、源极节点和栅极节点；多个漂移和补偿基元，均包括第一掺杂类型的漂移区和与第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的补偿区；和控制结构，连接在每个漂移和补偿基元的漂移区和源极节点之间。
具有雪崩健壮性晶体管装置

[发明专利]一种超级结绝缘栅双极型晶体管结构及其制作方法-CN202111408640.2在审
发明人：刘倩;卢烁今 -专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种超级结绝缘栅双极型晶体管结构及其制作方法。所述晶体管结构包括第一导电类型的漂移区，所述漂移区内间隔分布有多个超级结区，其中，所述超级结区包括沿载流子的移动方向依次设置的第二导电类型的第一半导体、第一导电类型的第二半导体和第二导电类型的第三半导体本发明提供的超级结绝缘栅双极型晶体管结构，导通压降小，导通损耗低。
一种超级绝缘栅双极型晶体管结构及其制作方法

[发明专利]晶体硅太阳能电池-CN200810093367.7无效
发明人：黄麟 -专利权人：黄麟
申请日： 2008-04-14 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体硅太阳能电池，其结构依次为正面栅状金属电极22、窗口层23、第二导电类型重掺杂层24、第一导电类型轻掺杂晶体硅衬底26、背面电极27，本发明通过设置所述的厚度足够“薄”和掺杂浓度足够“浓”的第二导电类型重掺杂层24就能够降低所述窗口层23带来的复合损失，通过设置所述窗口层23又能够降低所述的厚度足够“薄”和掺杂浓度足够“浓”的第二导电类型重掺杂层24带来的欧姆损失，并同时降低所述正面栅状金属电极22带来的遮挡损失，由此可将通常的晶体硅太阳能电池的转换效率提高至少10％以上。
晶体太阳能电池

[实用新型]具有静电放电保护模块的半导体器件-CN201220521400.3有效
发明人：马荣耀;李铁生;王怀锋;李恒;银发友 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2012-10-12 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：根据本实用新型的实施例，所述静电放电保护模块呈饼状，包括第一导电类型的中心掺杂区和围绕该中心掺杂区交替排布的多个第二导电类型掺杂区和第一导电类型掺杂区，所述中心掺杂区布满所述半导体晶体管的整个栅极金属焊盘部分的下方并与之耦接，所述半导体晶体管的源极金属耦接所述静电放电保护模块中最外围的第一导电类型掺杂区。该静电放电保护模块不仅可以保护所述半导体晶体管的栅氧化层不受静电放电的损害，而且具有较小的串联电阻及改善的电流均衡性。
具有静电放电保护模块半导体器件

[发明专利]一种具有环状集电极区域的晶体管-CN201310503697.X无效
发明人：丛国芳 -专利权人：溧阳市东大技术转移中心有限公司
申请日： 2013-10-23 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有环状集电极区域的晶体管，包括第一导电类型的衬底、作为基极区域使用的第二导电类型外延层、第二导电类型埋入扩散层、作为基极引出区域使用的第二导电类型扩散层、作为发射极区域使用的第一导电类型扩散层、作为集电极区域使用的第一导电类型扩散层，作为集电极区域的第一导电类型扩散层在作为发射极区域的第一导电区域扩散层的周围圆环状形成；其中，在所述作为基极区域使用的第二导电类型外延层中扩散有钨。由于上述特点，该方法能够提高晶体管的电流放大率，同时能够降低污染。
一种具有环状集电极区域晶体管

[发明专利]一种晶体属性预测方法、装置、电子设备及存储介质-CN202310437697.8在审
发明人：王思宇;蒋建慧;邰博;龚奎;王音 -专利权人：鸿之微科技（上海）股份有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G16C20/20 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种晶体属性预测方法、装置、电子设备及存储介质。该方法包括：获取目标晶体中的初始原子的原子位置以及原子类型，并且获取已训练完成的目标晶体属性预测模型；根据初始原子的原子位置以及预设截断半径，确定目标原子路径，并确定目标原子路径的路径原子距离；基于初始原子的原子位置以及原子类型，确定目标原子路径分别对应的目标路径特征；将目标原子路径分别对应的目标路径特征以及路径原子距离，输入到目标晶体属性预测模型中，并根据目标晶体属性预测模型的输出结果，确定目标晶体的属性预测结果。本发明实施例的技术方案，可以提高晶体属性预测的准确率。
一种晶体属性预测方法装置电子设备存储介质

[发明专利]双极晶体管-CN201510578851.9有效
发明人：托尼·范胡克;维特·桑迪·恩;皮特鲁斯·H·C·马涅;蓬奇·伊沃;迪克·克拉森;马哈茂德·谢哈布·穆罕默德·阿尔沙蒂 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2015-09-11 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：一种包括双极晶体管的半导体器件及其制造方法。一种包括双极晶体管的功率放大器。所述双极晶体管包括：包括横向延伸的漂移区的集电极。所述双极晶体管还包括：位于所述集电极上方的基极。所述双极晶体管还包括：位于所述基极上方的发射极。所述双极晶体管还包括具有与集电极的导电类型不同的导电类型的掺杂区域。掺杂区域在集电极下方横向延伸以在掺杂区域和集电极之间的接触区域处形成结。所述掺杂区域的掺杂级别在离所述双极晶体管的集电极‑基极结最近的那部分掺杂区域中最高。
双极晶体管掺杂区域集电极导电类型横向延伸半导体器件功率放大器横向掺杂接触区域不均匀发射极漂移区掺杂制造

[发明专利]无结晶体管和互补无结晶体管的形成方法-CN201310006388.1有效
发明人：肖德元 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-01-08 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种无结晶体管和互补无结晶体管的形成方法，所述无结晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底表面依次形成隔离层和有源区层，所述有源区层包括第一区域，以及第一区域两侧的第二区域和第三区域；在半导体衬底内形成第一类型掺杂阱，对隔离层进行第一类型掺杂，对有源区层进行第二类型掺杂；去除部分隔离层，使有源区层的第二区域和第三区域悬空；在半导体衬底和有源区层之间形成介质层；在第一区域表面形成栅极结构；在第一区域和第二区域内形成源极和漏极，所述无结晶体管源极和漏极与沟道掺杂类型相同。所述无结晶体管的形成方法可以提高晶体管的热稳定性，减小寄生电容及短沟道效应。
结晶体互补形成方法

[发明专利]改进的晶体管沟道-CN201510310452.4有效
发明人：郑有宏;蔡庆威;杜友伦;林东毅;陈韦立 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-06-08 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：一种晶体管器件包括具有第一区和第二区的衬底；具有位于第一区上方的第一部分和位于第二区上方的第二部分的第一半导体材料的第一半导体层，第一部分与第二部分分隔开；位于第一半导体层的第二部分上方的第二半导体材料的第二半导体层；第一导电类型的第一晶体管，第一晶体管设置在第一区内并且具有形成在第一半导体层中的第一组源极/漏极区；以及第二导电类型的第二晶体管，第二晶体管设置在第二区内并且具有形成在第二半导体层中的第二组源极/漏极区第二导电类型不同于第一导电类型，并且第二半导体材料不同于第一半导体材料。本发明的实施例还涉及改进的晶体管沟道。
改进晶体管沟道

[发明专利]JFET晶体管及其形成方法-CN201110284564.9有效
发明人：吕宇强;杨海波 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2011-09-22 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：本发明提供了一种JFET晶体管及其形成方法，所述JFET晶体管包括：半导体衬底；第一掺杂类型的外延层，覆盖所述半导体衬底的表面；第二掺杂类型的栅极注入区，位于所述外延层中，所述第二掺杂类型与第一掺杂类型相反；第一掺杂类型的源极引出区和漏极引出区，分别位于所述栅极注入区两侧的外延层中；第一掺杂类型的埋层，位于所述漏极引出区下方的半导体衬底内。
jfet 晶体管及其形成方法

[发明专利]双极结晶体管及其制造方法-CN200410083299.8有效
发明人：朴康旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-06-21 - 公布日： 2005-06-15 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种双极结晶体管及其制造方法。在该双极晶体管中，衬底具有第一导电类型的集电极区，单晶结构并包含第二导电类型杂质的基极层位于集电极区上。发射极区至少部分的由包括在基极层中的第一导电类型的杂质进行限定。第一导电类型的发射极电极接触发射极区，并且至少发射极电极与发射极区接触的部分具有单晶结构。
结晶体及其制造方法

[发明专利]由MFI结构类型的沸石粘合的沸石的制备方法及其用途-CN98813059.9无效
发明人： J·P·沃杜吉;M·M·默腾斯;W·J·默切尔 -专利权人：埃克森化学专利公司
申请日： 1998-12-03 - 公布日： 2001-02-28 - 主分类号： B01J29/06 文献下载
摘要：包含由MFI结构类型沸石粘合的非MFI结构类型沸石芯晶体的沸石粘合的沸石的制备,及通过所述方法制备的由MFI结构类型沸石粘合的沸石作为吸附剂或烃转化催化剂的用途。通过在氧化硅粘合的聚集体形成混合物中包含MFI结构类型沸石的晶种,然后使所述聚集体的氧化硅粘合剂转化成MFI粘合剂晶体,生产沸石粘合的沸石。所得沸石粘合的沸石有良好的强度和完整性。
mfi 结构类型粘合制备方法及其用途

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