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[发明专利]LDMOS晶体管及其制造方法-CN202011206497.4有效
发明人：郑大燮 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司
申请日： 2020-11-03 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种LDMOS晶体管及其制造方法，本发明的LDMOS晶体管，在第一导电类型的源区底部形成了与源区对准的第二导电类型的反型掺杂区，且所述反型掺杂区包围所述源区的底部，反型掺杂区的第二导电类型离子掺杂剂量高于阱区的第二导电类型离子掺杂剂量，能够降低寄生BJT（双极结型晶体管）的共发射极电流增益β，进而在不增大LDMOS晶体管占用面积、不牺牲导通电流以及不影响器件其他电气性能的情况下，显著提高LDMOS晶体管的SOA特性。本发明的LDMOS晶体管的制造方法，工艺简单，成本低。
ldmos 晶体管及其制造方法

[实用新型]一种主动矩阵有机发光显示器的像素驱动装置-CN201320457708.0有效
发明人：蔡晓义;苏君海;何基强;李建华 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2013-07-29 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本实用新型提供一种AMOLED像素驱动装置，AMOLED由多个呈矩阵排列的发光像素单元组成，每个发光像素单元内的AMOLED像素驱动装置包括开关晶体管、驱动晶体管、存储电容、发光元件、供电电源、数据电压源以及扫描电压源，所述AMOLED像素驱动装置还包括复位晶体管和复位电压源，复位晶体管的栅极与其源极相连并与复位电压源相连，复位晶体管的漏极与驱动晶体管的栅极相连；其中，开关晶体管的沟道类型与驱动晶体管的沟道类型相同，且与复位晶体管的沟道类型相反。本实用新型提供的AMOLED像素驱动装置，增加了复位晶体管，在每帧图像显示前，先对驱动晶体管复位，从而消除显示过程中出现的残影图像，提高显示质量。
一种主动矩阵有机发光显示器像素驱动装置

[发明专利]双集成硅控整流器晶体管和相关方法-CN201911372197.0在审
发明人： A·埃拉米库拉萨尼;M·格瑞斯伍尔德 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：本发明题为“双集成硅控整流器晶体管和相关方法”。本发明提供了一种实施方案，其包括具有复合SCR保护的ESD稳健晶体管。该晶体管可以包括：半导体衬底，该半导体衬底具有第一导电类型；漏极区，该漏极区与半导体衬底耦接，该漏极区具有漏极SCR部件，该漏极SCR部件具有第一导电类型的第一漏极区和第二导电类型的第二漏极区。该晶体管还可以包括：源极，该源极与半导体衬底耦接；沟道区，该沟道区具有第二导电类型；以及栅极，该栅极与沟道区耦接，该栅极具有SCR部件，该SCR部件具有第一导电类型的第一栅极区和第二导电类型的第二栅极区漏极SCR部件和栅极SCR部件可以沿沟道区产生低电阻放电路径，该低电阻放电路径响应于ESD而激活，使得ESD通过晶体管放电而不损坏晶体管。
集成整流器晶体管相关方法

[发明专利]晶体管器件制造方法以及晶体管器件-CN202310118993.1在审
发明人：吴恒;闫浩;王延锋;施雪捷;蒲宇;林冠贤 -专利权人：北京比特大陆科技有限公司
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种晶体管器件制造方法以及晶体管器件，其中，所述晶体管器件制造方法包括：向位于电学打断EB区域中的至少一个第一晶体管的沟道注入与所述第一晶体管类型不同的掺杂离子，和/或，向位于所述EB区域外的至少一个第二晶体管的沟道注入与所述第二晶体管类型相同的掺杂离子；基于注入掺杂离子后的第一晶体管以及第二晶体管形成所述晶体管器件。
晶体管器件制造方法以及

[发明专利]结型场效应晶体管制备方法及结型场效应晶体管-CN202310347108.7在审
发明人：何隽 -专利权人：中芯越州集成电路制造（绍兴）有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：本发明涉及一种结型场效应晶体管制备方法及结型场效应晶体管。所述方法包括：在第一半导体材料层内形成三个依次排列的掺杂区，包括中间的第一类型掺杂区和所述第一类型掺杂区两侧的第二类型掺杂区；三个所述掺杂区的导电类型均与所述第一半导体材料层的导电类型相反，且所述第二类型掺杂区的掺杂浓度小于所述第一类型掺杂区的掺杂浓度；在所述第一类型掺杂区中形成栅极；在所述第二类型掺杂区中分别形成源极和漏极。本发明所提供的结型场效应晶体管制备方法及结型场效应晶体管，具有更高的BV。
场效应晶体管制备方法

[发明专利]半导体装置和具有其的电子设备-CN201110421010.9有效
发明人：木村肇;梅崎敦司 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2007-06-01 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：利用包括同样导电类型的晶体管的偏移电路执行输入信号的偏移。然后，将偏移之后的输入信号提供给包括与偏移电路的晶体管相同导电类型的晶体管的逻辑电路，由此可以同时偏移输入信号的H和L电平。此外，由于使用相同导电类型的晶体管形成偏移电路和逻辑电路，因此可以以低成本制造显示装置。
半导体装置具有电子设备

[发明专利]超高压VDMOS晶体管及其生产方法-CN201710406012.8在审
发明人：谭在超;罗寅;丁国华;张海滨;薛金鑫 -专利权人：苏州锴威特半导体有限公司
申请日： 2017-06-01 - 公布日： 2017-08-22 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明涉及一种超高压VDMOS晶体管及其生产方法，VDMOS晶体管包括第一导电类型的衬底片、位于衬底片背面的第一导电类型的掺杂层、位于掺杂层下方的第一金属电极、位于衬底片正面的栅极结构以及位于栅极结构上的第二金属电极，第一金属电极作为该VDMOS晶体管的漏极，第二金属电极作为该VDMOS晶体管的源极；栅极结构包括第二导电类型的阱区、位于阱区内的第二导电类型的接触区、位于接触区两侧的第一导电类型的源区和位于阱区上方的多晶硅栅极VDMOS晶体管的生产方法包括选用衬底片、制作晶体管的正面结构、晶圆减薄、注入掺杂层及背面金属化的工序，由于省掉了外延生长的工序，极大降低了超高压VDMOS晶体管的生产成本，同时也保证了产品的良率和可靠性
超高压 vdmos 晶体管及其生产方法

[发明专利]读取用于进行时间测量的电荷保持元件的电路-CN200780036038.2有效
发明人：弗兰西斯科·拉·罗萨 -专利权人：意法半导体有限公司
申请日： 2007-07-20 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： G11C27/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种读取用于时间测量的电子电荷保持元件(10)的电路以及方法，包括至少一个电容元件(C1，C2)和一个晶体管，上述电容元件具有显示漏电的电介质，上述晶体管具有用于读取残留电荷的绝缘控制端子(5)，包括：在两个电源端子之间的两个平行的分支，每个分支包括至少一个第一类型的晶体管(P1，P2)和一个第二类型的晶体管(N3，5)，其中一个分支的第二类型的晶体管由将被读取的元件形成，另外一个分支的第二类型的晶体管在其控制端子上接收阶跃信号(V_DAC)，第一类型晶体管的每个漏极连接到比较器(135)的每个输入端，比较器的输出端(OUT)提供显示电荷保持元件中的残留电压电平。
读取用于进行时间测量电荷保持元件电路

[发明专利]固态成像装置及照相机-CN200810108811.8有效
发明人：广田功 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2008-05-26 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：该固态成像装置包括：基板；光接收部分，构造成具有用光照射的第一基板表面和其上形成元件的第二基板表面；第二导电类型隔离层；检测晶体管，构造成包括靠近该第二基板表面形成在该第一导电类型导电层中的第二导电类型电极层；以及复位晶体管，构造成包括形成在该第二导电类型隔离层中的第一导电类型电极层、在该第一导电类型电极层和该检测晶体管的该第二导电类型电极层之间的该第二导电类型隔离层、以及该光接收部分的该第一导电类型导电层
固态成像装置照相机

[发明专利]具有集成的肖特基二极管的功率晶体管-CN202110960045.3在审
发明人： M·黑尔;R·埃尔佩尔特;C·莱恩德茨 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：具有集成的肖特基二极管的功率晶体管。根据半导体器件的实施例，器件包括：形成在半导体衬底中的多个器件单元，每个器件单元包括晶体管结构和肖特基二极管结构；以及超结结构，包括形成在半导体衬底中的第一导电类型和第二导电类型的交替区。对于每个晶体管结构，晶体管结构的沟道区和肖特基二极管结构中的相邻一个的肖特基金属区通过第一导电类型的半导体材料互连，而不被超结结构的第二导电类型的区中的任何区中断，第一导电类型的半导体材料包括超结结构的第一导电类型的区中的一个或多个
具有集成肖特基二极管功率晶体管

[发明专利]具有集成的多个栅极电介质晶体管的半导体装置-CN201610006987.7有效
发明人： C·蔡;C-H·简;J-Y·D·叶;J·朴;W·M·哈菲兹 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-12-28 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：描述了具有不同栅极结构并且形成于单个集成电路上的两种或更多类型的基于鳍状物的晶体管。至少通过(多个)栅极电介质层的厚度或成分或者栅极电极中的(多个)功函数金属层的成分来区分每种类型的晶体管的栅极结构。还提供了用于制造具有至少两种不同类型的基于鳍状物的晶体管的集成电路的方法，其中通过(多个)栅极电介质层的厚度和成分和/或栅极电极中的功函数金属的厚度和成分来区分所述晶体管类型。
栅极 finfet 工艺集成电介质晶体管方法

[发明专利]在三栅极(FINFET)工艺上集成多个栅极电介质晶体管的方法-CN201710827449.9有效
发明人： C·蔡;C-H·简;J-Y·D·叶;J·朴;W·M·哈菲兹 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-12-28 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：描述了具有不同栅极结构并且形成于单个集成电路上的两种或更多类型的基于鳍状物的晶体管。至少通过(多个)栅极电介质层的厚度或成分或者栅极电极中的(多个)功函数金属层的成分来区分每种类型的晶体管的栅极结构。还提供了用于制造具有至少两种不同类型的基于鳍状物的晶体管的集成电路的方法，其中通过(多个)栅极电介质层的厚度和成分和/或栅极电极中的功函数金属的厚度和成分来区分所述晶体管类型。
栅极 finfet 工艺集成电介质晶体管方法

[发明专利]用于高电压操作的具有隔离体的晶体管及半导体管芯-CN201210366331.8无效
发明人：伊藤明 -专利权人：美国博通公司
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了用于高电压操作的具有隔离体的晶体管及半导体管芯的各种实施方案。在一个例示性实施方案中，这样的晶体管包括具有第一导电类型的深井注入物，此深井注入物设置于具有与第一导电类型相反的第二导电类型的衬底之上。此晶体管包括第一导电类型的源侧阱和漏侧阱。深阱注入物、源侧阱和漏侧阱将晶体管的体与衬底电绝缘。
用于电压操作具有隔离晶体管半导体管芯

[实用新型]用于高电压操作的具有隔离体的晶体管及半导体管芯-CN201220498769.7有效
发明人：伊藤明 -专利权人：美国博通公司
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了用于高电压操作的具有隔离体的晶体管及半导体管芯的各种实施方案。在一个例示性实施方案中，这样的晶体管包括具有第一导电类型的深井注入物，此深井注入物设置于具有与第一导电类型相反的第二导电类型的衬底之上。此晶体管包括第一导电类型的源侧阱和漏侧阱。深阱注入物、源侧阱和漏侧阱将晶体管的体与衬底电绝缘。
用于电压操作具有隔离晶体管半导体管芯

[发明专利]在三栅极（FINFET）工艺上集成多个栅极电介质晶体管的方法-CN201180076461.1有效
发明人： C·蔡;C-H·简;J-Y·D·叶;J·朴;W·M·哈菲兹 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-12-28 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：描述了具有不同栅极结构并且形成于单个集成电路上的两种或更多类型的基于鳍状物的晶体管。至少通过(多个)栅极电介质层的厚度或成分或者栅极电极中的(多个)功函数金属层的成分来区分每种类型的晶体管的栅极结构。还提供了用于制造具有至少两种不同类型的基于鳍状物的晶体管的集成电路的方法，其中通过(多个)栅极电介质层的厚度和成分和/或栅极电极中的功函数金属的厚度和成分来区分所述晶体管类型。
栅极 finfet 工艺集成电介质晶体管方法