|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 1893个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202210416514.X在审
-
徐振亚;刘轶群
-
上海集成电路研发中心有限公司
-
2022-04-20
-
2023-10-27
-
H01L21/8234
- 本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供衬底，衬底上形成有包括交替层叠的牺牲层与沟道层的堆叠层，堆叠层两侧的衬底内还形成有BDI结构；侧向刻蚀牺牲层并填充形成第一间隔物；侧向刻蚀部分第一间隔物形成第二凹槽；在沟道层上形成外延层；刻蚀去除剩余的第一间隔物形成第三凹槽；第三凹槽内形成带有空气间隙的第二间隔物；形成源/漏极。由于外延层的存在，源/漏极外延生长的基底面积比没有所述外延层时的基底面积更大，并且外延生长初期即可向各方向进行生长，由各个独立生长基底生长的外延层可以较早的融合，从而改善在BDI结构存在的情况下源/漏极外延难以融合的情况，提高器件的性能。
- 半导体器件及其制作方法
- [发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202210396022.9在审
-
李俊;刘轶群
-
上海集成电路研发中心有限公司
-
2022-04-15
-
2023-10-27
-
H01L21/336
- 本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供一衬底，在衬底上依次形成硅锗层与硅层交替层叠的层叠结构，其中每层硅锗层中锗的浓度从硅锗层的底部到顶部先降低再升高；侧向刻蚀去除边缘的部分硅锗层以在剩余硅锗层两侧形成空洞；在空洞内填充绝缘材料形成侧墙；形成源/漏极在层叠结构的两侧；去除硅锗层。在刻蚀形成空洞时，由于硅锗层中底部与顶部的锗的浓度高，刻蚀量较大，在硅锗层中间位置处锗的浓度低，刻蚀量较小，在形貌上实现硅锗层整体向内刻蚀，减小空洞的尖角圆化现象，后续形成侧墙时能够避免裂缝的产生，从而在最后去除硅锗层时不会对源/漏极造成影响，避免源/漏极损失，从而提高器件性能。
- 半导体器件及其制作方法
- [发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202210416505.0在审
-
徐振亚;刘轶群
-
上海集成电路研发中心有限公司
-
2022-04-20
-
2023-10-27
-
H01L21/336
- 本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供一衬底，衬底上形成有堆叠层，堆叠层包括交替层叠的牺牲层与沟道层；侧向刻蚀去除部分牺牲层并填充形成第一间隔物；侧向刻蚀去除部分第一间隔物形成第二凹槽；在沟道层上形成外延层；刻蚀去除剩余的第一间隔物形成第三凹槽，第三凹槽暴露出沟道层的部分顶部与底部；刻蚀部分暴露出的沟道层的顶部与底部形成第四凹槽，第四凹槽顶部的截面宽度小于所述第四凹槽底部的截面宽度；沉积第二隔离材料在第四凹槽形成带有空气间隙的第二间隔物。空气的介电常数为1，是良好的电介质，在第二间隔物中形成的空气间隙可有效降低第二间隔物带来的电容，提高器件性能。
- 半导体器件及其制作方法
- [发明专利]一种电平转换电路-CN202010260150.1有效
-
严慧婕;蒋宇
-
上海集成电路研发中心有限公司
-
2020-04-03
-
2023-10-20
-
H03K19/0175
- 本发明提供了一种电平转换电路，所述电路包括：第一上拉晶体管、第二上拉晶体管、反相器、至少一个第一下拉晶体管、至少一个第一调节电路、至少一个第二下拉晶体管、至少一个第二调节电路；其中，第一调节电路具有第一端口、第二端口和第三端口，所述第一调节电路的第一端口连接第一节点、第二端口接地、第三端口连接第一信号端；第二调节电路具有第一端口、第二端口和第三端口，所述第二调节电路的第一端口连接第二节点、第二端口接地、第三端口连接第二信号端。本发明的电路结构较为简单，且采用本发明的电平转换电路在电源端电压变化幅度较大的情况下，即使输入信号翻转速度较快，其输出端仍然可以成功实现高低电平的翻转。
- 一种电平转换电路
- [发明专利]一种研磨垫修整装置-CN202311058207.X在审
-
戴文俊;黄仁东
-
上海集成电路研发中心有限公司
-
2023-08-22
-
2023-10-10
-
B24B37/20
- 本发明提供一种研磨垫修整装置，包括检测单元、控制单元和修整单元；检测单元包括第一压电探针，用于与研磨垫的多个区域接触以产生表征研磨垫各区域表面粗糙度的第一电流信号；控制单元用于接收第一电流信号并通过判断第一电流信号是否在设定的标准区间内，以判断研磨垫的各区域表面粗糙度是否符合标准，若不符合，则向修整单元发送第一指令以及研磨垫的相应区域的位置信息以使修整单元对研磨垫的相应区域进行修整，使得研磨垫的表面粗糙度始终保持正常使用状态，进而改善化学机械研磨的工艺能力，提高正常运行时间，降低停机维保时间。
- 一种研磨修整装置
- [发明专利]一种时钟电路-CN202010255345.7有效
-
曾夕;周璞;温建新;严慧婕;连夏梦
-
上海集成电路研发中心有限公司
-
2020-04-02
-
2023-09-29
-
H03K17/042
- 本发明提供的一种时钟电路，包括振荡电路和上电复位电路，所述振荡电路包括连接的电流产生模块和环路振荡模块；所述电流产生模块，用于向所述环路振荡模块输出一控制电流；所述环路振荡模块，用于在所述控制电流的作用下输出一具有设定频率的振荡信号；以及所述上电复位电路与所述环路振荡模块连接，其用于在电源上电时提供使能控制信号。本发明通过将上电复位电路仅与环路振荡模块连接，使得在电源上电过程中，所述电流产生模块的所有节点随电源的上电逐渐建立，从而使得电流产生模块的电路建立时间包括在上电复位电路的使能控制信号释放的时间内，加快了振荡电路的建立时间。
- 一种时钟电路
|
