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[发明专利]具有光保护的环境光传感器-CN201811420530.6有效
发明人： L·埃拉尔;D·加尼 -专利权人： 意法半导体有限公司
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本申请涉及具有光保护的环境光传感器。一个或多个实施例针对环境光传感器封装体以及制造环境光传感器封装体的方法。一个实施例针对一种环境光传感器封装体，该封装体包括具有相对的第一表面和第二表面的环境光传感器裸片、在环境光传感器裸片的第一表面上的光传感器、在环境光传感器裸片的第二表面上的一个或多个导电凸块以及在所述环境光传感器裸片的至少所述第一表面和所述第二表面上的遮光层。遮光层限定在光传感器上方的开口。环境光传感器封装体可以进一步包括在环境光传感器裸片的第一表面和遮光层之间的透明盖以及将透明盖固定到环境光传感器裸片的粘合剂。
有光保护环境传感器

[实用新型]电子器件和封装件-CN202320114145.9有效
发明人：陈永;D·加尼 -专利权人： 意法半导体有限公司
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及电子器件和封装件。一种电子器件，其特征在于，包括：管芯，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一层压层，在管芯的第一表面上；多个开口，穿过第一层压层；再分布层，在第一层压层上、穿过多个开口延伸至管芯的第一表面；多个立柱，在再分布层上，每个立柱包括在再分布层上的第一表面，与立柱的第一表面相对的立柱的第二表面，在立柱的第一表面和立柱的第二表面之间的侧壁；第二层压层，在再分布层和第一层压层上；第二层压层中的多个通道，围绕多个立柱，每个立柱的第二表面和侧壁的至少一部分通过多个通道暴露于外部环境。利用本公开的实施例，有利地改善半导体封装件的可靠性和预期使用寿命周期。
电子器件封装

[发明专利]双极晶体管-CN202311090224.1在审
发明人： A·高蒂尔;P·舍瓦利耶 -专利权人： 意法半导体有限公司;意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及双极晶体管。一种双极晶体管包括集电极。集电极通过在腔体底部处形成第一基本均匀掺杂层的工艺来制造。然后，通过第一基本均匀掺杂层的掺杂剂的扩散来形成第二渐变掺杂层。
双极晶体管

[实用新型]静电放电保护设备-CN202320113755.7有效
发明人： P·加利 -专利权人： 意法半导体有限公司
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及静电放电保护设备。静电放电保护设备仅使用电连接的晶体管来形成。晶体管包括：第一MOS型晶体管，形成耦合在第一供应节点与第二供应节点之间的钳位电路；第二MOS型晶体管，被耦合在第一供应节点与第一MOS型晶体管的栅极端子之间；以及第三MOS型晶体管，具有耦合至第二MOS型晶体管的栅极端子的第一栅极端子、耦合至第一供应节点和第二供应节点中的一个供应节点的第二栅极端子、以及耦合至第二供应节点的第一传导端子和第二传导端子。
静电放电保护设备

[实用新型]集成电路晶体管器件-CN202222862243.9有效
发明人：杨延诚;金剑华;叶威扬;阮文征 -专利权人： 意法半导体有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开的各实施例涉及集成电路晶体管器件。半导体衬底包括：掺杂有第一类型掺杂剂的基底衬底层；在基底衬底层上的第一外延层，第一外延层具有第一厚度并且掺杂有第一类型掺杂剂以提供第一电阻率；在第一外延层上的第二外延层，第二外延层具有第二厚度并且掺杂有第一类型掺杂剂以提供第二电阻率(小于第三电阻率)；以及在第二外延层上的第三外延层，第三外延层具有第三厚度并且掺杂有第一类型掺杂剂以提供第三电阻率(小于第二电阻率)。氧化物场沟槽晶体管包括具有绝缘多栅区和多源区的沟槽，沟槽延伸到半导体衬底中并且穿过第一掺杂区、第二掺杂区和第三外延层并且部分地进入第二外延层。本公开实施例例如提供了在功率传导损耗方面的性能改进。
集成电路晶体管器件

[发明专利]集成光学开关-CN201780094476.8有效
发明人： H·泽格芒特;D·派彻;S·勒图尔;J-F·鲁;J-L·库塔 -专利权人： 意法半导体有限公司
申请日： 2017-08-29 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H03K17/78 文献下载
摘要：一种集成光学开关，其形成在半导体衬底中和在半导体衬底上，该集成光学开关包括光电导体体部(PC)，光电导体部(PC)包括第一端(1)和第二端(2)，第一端(1)被配置为接收电输入信号，该第二端(2)被配置为递送电输出信号，光电导体部(PC)具有通过存在光学信号(SO)激活的电接通状态、以及通过不存在光学信号(SO)激活的电关断状态，其中从第一端到第二端的方向限定了纵向方向(D3)，并且光电导体部具有与纵向方向(D3)正交的横截面，该横截面沿纵向方向(D3)从第一端(1)向第二端(2)逐渐减小。
集成光学开关

[发明专利]具有气体释放孔的半导体封装件-CN202310297769.3在审
发明人： D·加尼;王蕙慈 -专利权人： 意法半导体有限公司;意法半导体有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：公开了具有气体释放孔的半导体封装件。一种半导体封装件包括具有有源表面和无源表面的硅衬底。半导体器件，例如图像、光或光学传感器，形成在有源表面中并设置在衬底上。玻璃板用粘合剂耦接到衬底上。玻璃板包括对应于半导体器件的区域的传感器区域和穿过玻璃板的孔，这些孔通常位于玻璃板的传感器区域周围。在形成封装件的过程中，穿过玻璃板的孔允许粘合剂释放的气体从封装件中逸出，并防止气泡的形成。
具有气体释放半导体封装

[发明专利]NFC模块供电-CN202310246227.3在审
发明人： A·特拉莫尼;F·西比勒;P·阿努尔 -专利权人： 意法半导体有限公司;意法半导体(鲁塞)公司;意法半导体 (ALPS) 有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H04B5/02 文献下载
摘要：本公开涉及NFC模块供电。一种电子设备，包括近场通信模块和用于向近场通信模块传送电源电压的供电电路。当近场通信模块处于低功率模式时，供电电路被配置为工作模式，在该工作模式中供电电路被周期性地启动以提供电源电压。
nfc 模块供电

[发明专利]SOI结构上MOS晶体管-CN202310226239.X在审
发明人： S·克勒梅;F·蒙塞尤尔;A·弗勒雷;S·亨德勒 -专利权人： 意法半导体有限公司;意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及SOI结构上MOS晶体管。一种器件包括有源半导体层，所述有源半导体层位于覆盖在半导体衬底上的绝缘层顶部上并且与所述绝缘层接触。所述器件的晶体管包括布置在所述有源半导体层中的源极区、漏极区和本体区。所述晶体管的所述本体区使用穿过所述绝缘层的导电过孔而被电耦合至所述半导体衬底。
soi 结构 mos 晶体管

[发明专利]包括用于执行近场通信的同步电路的装置-CN202310227633.5在审
发明人： G·蒙若;M·乌德比纳 -专利权人： 意法半导体有限公司;意法半导体（格勒诺布尔2）公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H04L7/033 文献下载
摘要：公开了包括用于执行近场通信的同步电路的装置。装置被配置为接收第一载波信号，并传送第二载波信号，并且具有锁相环，所述锁相环包括第一域，所述第一域包括经配置以生成给定频率的信号的振荡器，以及电路，被配置为生成表示由振荡器生成的信号的频率的信息，并生成第二载波信号和时钟信号，第一域由第一载波信号计时；第二域，由时钟信号计时，包括电路，电路被配置为比较由振荡器生成的信号的频率与第一载波信号的频率并控制振荡器，匹配电路，被配置为将表示由振荡器生成的信号的频率的信息从第一域传送到第二域。
包括用于执行近场通信同步电路装置

[发明专利]双极晶体管-CN201910940618.9有效
发明人： A·高蒂尔;P·舍瓦利耶 -专利权人： 意法半导体有限公司;意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及双极晶体管。一种双极晶体管包括集电极。集电极通过在腔体底部处形成第一基本均匀掺杂层的工艺来制造。然后，通过第一基本均匀掺杂层的掺杂剂的扩散来形成第二渐变掺杂层。
双极晶体管

[发明专利]用于加密的设备和方法-CN202011052700.7有效
发明人： B·巴拉特;L·阿拉杰科 -专利权人： 意法半导体有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H04L9/40 文献下载
摘要：本公开涉及用于加密的设备和方法。一种实施例加密方法，由包括第一非易失性存储器的电子电路实现，方法包括一个或多个第一对非对称密钥的创建，第一对或多个第一对中的每一对都包括第一私钥和第一公钥，并且针对多个第一对或多个第一对中的至少一对，将第一公钥存储在第一存储器中，在通信会话期间接收第二公钥，并从第一私钥和第二公钥形成第一对称密钥，在通信会话后第一公钥保持被存储在第一存储器中。
用于加密设备方法

[发明专利]沟槽栅极MOS晶体管和屏蔽栅极MOS晶体管自动对准制造方法-CN202310138108.6在审
发明人： V·埃涅亚;阮文征 -专利权人：意法半导体股份有限公司;意法半导体有限公司
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开涉及沟槽栅极MOS晶体管和屏蔽栅极MOS晶体管自动对准制造方法。一种垂直导电沟槽栅极类型的MOS晶体管包括与沟槽栅极的栅极氧化物的从半导体衬底突出的部分相邻的第一间隔物和第二间隔物，第一间隔物和第二间隔物关于对称轴彼此镜像；通过使用间隔物作为注入掩模在本体区域内注入掺杂剂物种，来形成富集P+区域。对称间隔物的形成使得可以形成与栅极电极自动对准的源极、本体和本体富集区域，从而克服其中借助于光刻技术形成这样的区域(具有随之而来的不对称性风险)的已知类型的MOS晶体管的限制。
沟槽栅极 mos 晶体管屏蔽自动对准制造方法

[发明专利]用于自适应像素滤波的系统和方法-CN201911124050.X有效
发明人： M·钱德拉;A·德劳奥特 -专利权人：意法半导体国际有限公司;意法半导体有限公司
申请日： 2016-06-23 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G06T5/00 文献下载
摘要：本公开涉及用于自适应像素滤波的系统和方法。其中，各实施例提供了一种经优化的图像滤波器。经优化的图像和视频获得输入图像并且选择目标像素用于修改。然后在该选择的目标像素与搜索区域的每个参考像素之间确定差值。随后，使用加权函数来针对搜索区域的这些参考像素中的每个参考像素基于它们各自的差值确定多个权重值。该选择的目标像素然后由经优化的图像滤波器使用这些确定的权重值修改。然后在施加块中选择新目标像素用于修改。使用被重新分配给新参考像素集的这些之前确定的权重值来修改该新目标像素。基于该新参考像素集中的每个像素相对于该新目标像素的位置将这些之前确定的权重值重新分配给该新参考像素集。
用于自适应像素滤波系统方法

[发明专利]处理系统、相关集成电路、设备和方法-CN202310123155.3在审
发明人： R·维蒂玛尼;F·戈勒尔;R·安格里利;C·奥贝纳斯 -专利权人： 意法半导体有限公司;意法半导体股份有限公司
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G06F13/40 文献下载
摘要：本公开涉及处理系统、相关集成电路、设备和方法。处理系统包括通信系统和被配置为生成写入请求的处理核心。电路具有关联的从属接口电路，从属接口电路被配置为管理地址子范围并且选择性地转发寻址到给定地址的写入请求。配置数据指定给定地址是否受保护/未受保护以及被锁定/解锁。响应于所接收到的写入请求，地址和数据被提取，并且基于配置数据确定所提取的地址是否受保护/未受保护以及被锁定/解锁。当所提取的地址未受保护或被解锁时，从属接口转发写入请求。当所提取的地址受保护以及被锁定时，从属接口响应于所提取的地址与所提取的数据的比较而生成解锁信号，当所提取的数据满足相对于所提取的地址的预定规则时，解锁信号被断言。
处理系统相关集成电路设备方法

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