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- [发明专利]包括超级结结构的半导体器件-CN201710742501.0在审
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F.希尔勒;H.韦伯
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英飞凌科技奥地利有限公司
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2017-08-25
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2018-03-09
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H01L29/78
- 实施例的半导体器件包括半导体主体（101）的晶体管单元区域（103）中的晶体管单元（102）。半导体主体（101）中的超级结结构（104）包括分别为相对的第一和第二导电类型且沿着横向方向（x）交替布置的多个漂移子区（105）和补偿子区（106）。在晶体管单元区域（103）外部在半导体主体（101）的边缘和晶体管单元区域（103）之间的终端区域（108）包括分别为第一导电类型的第一和第三终端子区（111、113）。第二导电类型的第二终端子区（112）沿着与半导体主体（101）的第一表面（115）正交的垂直方向（z）被夹在第一和第三终端子区（111、113）之间。
- 包括超级结构半导体器件
- [发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202210172063.X在审
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孙超
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长江存储科技有限责任公司
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2022-02-24
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2022-06-21
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H01L27/108
- 本发明提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：半导体层中并列设置且被第一介质层间隔的第一晶体管和第二晶体管；第一晶体管、第二晶体管均包括：沟道区；源极；漏极；栅极；第一掺杂区，位于第一晶体管中和/或第二晶体管中从与第一介质层接触的侧面向栅极方向延伸预设尺寸的区域，且第一掺杂区的掺杂类型与源极和漏极的掺杂类型均不同。本发明实施例中，当第一晶体管和第二晶体管中的其中一个晶体管被导通时，被导通的晶体管的沟道区变成高压，通过设置第一掺杂区，可以使得电子不易通过被导通的晶体管的沟道区向第一介质层移动并进入另一晶体管的沟道区影响另一晶体管，使得能够改善第一晶体管和第二晶体管之间的耦合效应。
- 半导体结构及其制造方法
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