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[发明专利]制造Ⅲ族氮化物晶体的方法-CN200910006384.7无效
发明人：佐藤史隆;中畑成二 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2009-02-16 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明提供了III族氮化物晶体的制造方法，借此方法，当除去III族氮化物衬底时，III族氮化物晶体中的破裂发生率保持最小。III族氮化物晶体制造方法包括：在III族氮化物衬底(10)的一个主面(10m)上生长III族氮化物晶体(20)的步骤，其中至少III族氮化物晶体(20的构成原子类型和比例、或其掺杂剂类型和浓度与III
制造氮化物晶体方法

[发明专利]多色LED像素单元和微型LED显示面板-CN202080063257.5在审
发明人： Q·李;Q·徐 -专利权人：上海显耀显示科技有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：一种多色发光像素单元(1000)包括：第一类型的发光晶体管，所述第一类型的发光晶体管形成在基板(100)上并且按从下至上的顺序包括第一金属层的第一区段(101‑1)和第一类型的发光层的第一区段(102‑1)；以及第二类型的发光晶体管，所述第二类型的发光晶体管形成在所述基板(100)上并且包括第一电连接器(203)以及按从下至上的顺序的所述第一金属层的第二区段(101‑2)、所述第一类型的发光层的第二区段(102‑2)、第二金属层的第一区段(201‑1)、第二类型的发光层的第一区段(202‑1)，所述第一电连接器连接所述第一金属层的所述第二区段(101‑2)和所述第二金属层的所述第一区段(201‑1)。
多色 led 像素单元微型显示面板

[发明专利]双极型晶体管及其形成方法-CN201610006633.2有效
发明人：杨晓蕾;李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-01-06 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：一种双极型晶体管及其形成方法，所述双极型晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有鳍部；在所述半导体衬底表面形成隔离层，所述隔离层表面低于鳍部顶部表面，且覆盖鳍部的部分侧壁；在所述半导体衬底和鳍部内形成第二类型掺杂阱；在所述鳍部内形成第一类型掺杂区；在所述鳍部内形成第二类型掺杂区，所述第一类型掺杂区和第二类型掺杂区沿鳍部长度方向分布；在所述第一类型掺杂区的部分表面以及第二类型掺杂区表面形成第二类型重掺杂层；在所述第一类型掺杂区部分表面形成第一类型重掺杂层所述方法可以提高形成的双极型晶体管的集成度，且制作工艺与CMOS制作工艺兼容。
双极型晶体管及其形成方法

[发明专利]基于多种薄膜晶体管三维集成的半导体结构-CN202310512186.8在审
发明人：郭小军;郑炼凯;陈苏杰;尹晓宽;欧阳邦;邓立昂 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于多种薄膜晶体管三维集成的半导体结构。所述基于多种薄膜晶体管三维集成的半导体结构包括：衬底；N层薄膜晶体管层，沿第一方向依次叠置，每层所述薄膜晶体管层包括若干个薄膜晶体管，且至少存在两层所述薄膜晶体管层中的所述薄膜晶体管的类型不同；N层所述薄膜晶体管层中的至少一层所述薄膜晶体管层用于形成传感电路、至少一层所述薄膜晶体管层用于形成存储电路、以及至少一层所述薄膜晶体管层用于形成计算和信号处理电路，且至少存在两层所述薄膜晶体管层形成的所述电路的类型不同。
基于多种薄膜晶体管三维集成半导体结构

[发明专利]绝缘栅双极晶体管及其形成方法-CN201410131211.9有效
发明人：冯喆韻;王刚宁;刘丽;唐凌 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-04-02 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种绝缘栅双极晶体管及其形成方法。本发明通过两沟槽的底部在第一类型半导体衬底内形成物理上连接的第一扩散区与第二扩散区，并在填充沟槽所形成的第二类型填入部表面形成第一类型集电极区域，在两第二类型填入部之间的第二类型离子掺杂衬底的正面部分形成发射极将集电极、发射极以及栅极都形成在衬底正面，不需使用外延层生长，降低了成本，同时提高了绝缘栅双极晶体管制作过程中与其它半导体器件的兼容性。此外，两第二类型填入部、第一扩散区与第二扩散区限制了载流子的运动空间，使得绝缘栅双极晶体管不受同一衬底上的其它器件干扰，也不会干扰同一衬底上的其它器件，且能提高衬底上所制作的绝缘栅双极晶体管的器件密度。
绝缘双极晶体管及其形成方法

[发明专利]用于电化学还原CO2-CN202010129812.1在审
发明人：陈固纲;饶毅;李霞 -专利权人：本田技研工业株式会社;犹他州立大学
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：用于电化学还原二氧化碳的电化学电池包括阴极，该阴极包括多晶面的Cu2O晶体。多晶面的Cu2O晶体具有至少两种不同类型的晶面，不同类型的晶面具有不同的米勒指数。多晶面的Cu2O晶体包括在不同类型的晶面之间过渡处存在的台阶和纽结。这些台阶和纽结提高了二氧化碳转化的法拉第效率。多晶面的Cu2O晶体可以是纳米尺寸的。多晶面的Cu2O晶体可包括18晶面的、20晶面的和/或50晶面的Cu2O晶体。
用于电化学还原 co base sub

[发明专利]配置用于栅极电介质监控的半导体器件-CN202010940339.5在审
发明人： E·J·考尼;J·P·玛史凯尔;C·P·海弗南;M·弗德;S·吉尔里 -专利权人：亚德诺半导体国际无限责任公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：公开的技术通常涉及半导体器件，且更具体地涉及这样的半导体器件，包括：MOS晶体管，且被配置为用于加速和监视MOS晶体管的栅极电介质的退化。在一方面，一种配置具有栅极介电监视能力的半导体器件包括：MOS晶体管，包括在半导体衬底中形成的源极、漏极、栅极和背栅区。半导体器件另外包括：BJT，包括在半导体基板中形成的集电极，基极和发射极，其中MOS晶体管的背栅区用作BJT的基极，并且独立地可访问以激活BJT。MOS晶体管和BJT被配置为通过独立于MOS晶体管的源极偏置背栅区而被同时激活，使得BJT的基极将第一电荷类型的载流子注入到MOS晶体管的背栅区中，其中第一电荷类型与通道电流载流子的电荷类型相反。
配置用于栅极电介质监控半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN202210956769.5在审
发明人：姆鲁尼尔·阿必吉斯·卡迪尔巴德;马哈维;张惠政;林耕竹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：半导体装置包括第一类型的第一晶体管装置及第二类型的第二晶体管装置。第一晶体管装置包括第一纳米结构、第一对源极/漏极结构及第一纳米结构上的第一栅极结构。第二类型的第二晶体管装置形成在第一晶体管装置上方。第二晶体管装置包括第一纳米结构上方的第二纳米结构、第一对源极/漏极结构上方的第二对源极/漏极结构及第二纳米结构上及第一纳米结构上方的第二栅极结构。
半导体装置

[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管及其制造方法-CN201310306819.6有效
发明人：钟圣荣;邓小社;王根毅;周东飞 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2013-07-22 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘栅双极晶体管及其制造方法，其中，所述绝缘栅双极晶体管包括：具有第一主面和第二主面的第一导电类型的半导体衬底，其中，所述半导体衬底包括原胞区和位于所述原胞区外侧的终端保护区；形成于所述半导体衬底的第一主面侧的第一导电类型的第一半导体层，其中，所述第一半导体层的掺杂浓度高于所述半导体衬底的掺杂浓度高；形成于所述原胞区内的第一半导体层的第一主面侧的绝缘栅型晶体管单元，其中，所述绝缘栅型晶体管单元导通时，其形成有第一导电类型的沟道。与现有技术相比，其不仅可以提高该绝缘栅双极晶体管的耐压可靠性，而且还可以降低该绝缘栅双极晶体管的正向导通压降。
一种绝缘双极晶体管及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法、固体摄像器件和固体摄像装置-CN201010566844.4有效
发明人：柳田将志 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-11-19 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法、固体摄像器件和固体摄像装置，其中所述半导体器件的制造方法包括以下步骤：在半导体基板的表面上的绝缘层上形成晶体管的栅极；通过将第一导电类型的杂质离子注入半导体基板中而形成隔离区；在晶体管的栅极的上层上形成包括比栅极的宽度窄的开口部的掩模图案之后，通过使用该掩模图案作为掩模，在半导体基板的表面附近进行第二导电类型的杂质的离子注入，形成轻掺杂漏极区；以及在形成晶体管的栅极之后，通过将第二导电类型的杂质的离子注入至半导体基板中，形成晶体管的源极区和漏极区。本发明可避免形成漏电流路径，并且可避免晶体管短路以及晶体管的阈值电压下降。
半导体器件及其制造方法固体摄像器件装置

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201310654701.2在审
发明人：冯喆韻;王刚宁;刘丽;唐凌 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-05 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，其中半导体器件的形成方法包括：提供具有第一类型掺杂的基底；在基底中形成环形沟槽；在所述环形沟槽中填充满环形填充层，至少覆盖所述环形沟槽侧壁的环形填充层部分为绝缘层；在所述环形填充层下的基底中形成具有第二类型掺杂的掩埋层，所述第一类型掺杂和第二类型掺杂相反；定义所述环形填充层之间的基底部分为第一阱区，在所述第一阱区形成晶体管。使用本技术方案，在平行于基底上表面方向上，晶体管和基底中的其他器件之间具有相对较好的隔离效果，晶体管和掩埋层下的基底在垂直于基底上表面方向上相互隔离，防止晶体管出现漏电现象，确保晶体管性能较佳。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]反向导通IGBT-CN201810934187.0在审
发明人： H-G.埃克尔;Q.T.特兰 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：一种功率半导体器件，其包括半导体主体、被布置在半导体主体的前侧的第一负载端子结构、以及被布置在半导体主体的后侧的第二负载端子结构，并且被配置用于借助于至少一个晶体管单元来控制在第一负载端子结构和第二负载端子结构之间的负载电流所述晶体管单元至少部分地被包括在半导体主体中并且在一侧被电气连接到第一负载端子结构并且在另一侧被电气连接到半导体主体的漂移区，该漂移区具有第一导电类型。所述半导体主体还包括：具有第一导电类型的晶体管短区，其中在该晶体管短区和第一负载端子结构之间的过渡形成肖特基接触；以及分离区，其将该晶体管短区与漂移区分离并且具有与第一导电类型互补的第二导电类型。
半导体主体负载端子第一导电类型漂移区晶体管晶体管单元电气连接反向导通功率半导体器件肖特基接触导电类型负载电流分离区地被配置

[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管及其制造方法-CN201310306957.4有效
发明人：钟圣荣;邓小社;王根毅;周东飞 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2013-07-22 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘栅双极晶体管及其制造方法，所述绝缘栅双极晶体管包括具有第一主面和第二主面的第一导电类型的半导体衬底，形成于半导体衬底的有源区的第一主面侧的第一导电类型的第一半导体层，第一半导体层的掺杂浓度高于所述半导体衬底的掺杂浓度；形成于第一半导体层的第一主面侧的绝缘栅型晶体管单元。与现有技术相比，本发明中的绝缘栅双极晶体管在第一导电类型的半导体衬底中的有源区的第一主面侧形成有第一导电类型的第一半导体层，且第一半导体层中的掺杂浓度高于半导体衬底中的掺杂浓度。这样，第一半导体层在有源区中不仅降低JFET区域电阻，而且还充当载流子存储层，降低漂移区电阻，从而降低绝缘栅双极晶体管的正向导通压降。
一种绝缘双极晶体管及其制造方法

[发明专利]电阻性的铁电存储单元-CN99808989.3无效
发明人： O·科瓦里克;K·霍夫曼 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 1999-03-25 - 公布日： 2004-08-11 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本发明涉及由一只选择晶体管和一只存储电容器构成的一种电阻性铁电存储器单元，该电容器的一电极(PL)处于固定的单元极板电压，而其另一电极(SN)与选择晶体管的具有第1导电类型的第1区(1)连接，其中在与第1导电类型相反的第2导电类型的半导体衬底内提供选择晶体管和存储电容器。该存储器单元的特征为：在存储电容器的另一电极(SN)和固定的单元极板电压之间提供一电阻(FOX；FOX，10，11)，其电阻值R2是这样确定的，使R3<晶体管的第1区(1)和半导体衬底之间的pn结的反向电阻值，R3＝在接通状态选择晶体管的第1区和具有第1导电类型的第2区之间的电阻值。
电阻存储单元

[发明专利]抗闩锁晶体管-CN201610966560.1在审
发明人： B.菲舍尔;W.凯因德尔;K.科瓦利克-赛德尔;M.施密特;M.韦格沙伊德 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：公开了一种用于产生晶体管器件的方法以及晶体管器件。该方法包括在半导体本体中的第二掺杂类型的本体区中形成第一掺杂类型的源极区；以及邻近本体区中的源极区形成第二掺杂类型的低阻区，其中形成源极区包括使用注入掩膜经由半导体本体的第一表面将第一掺杂类型的掺杂剂粒子注入到本体区中，以及其中注入第一掺杂类型的掺杂粒子包括倾斜注入。
抗闩锁晶体管