“多晶硅”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果302187个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种多晶硅薄膜的沉积方法-CN201410163828.9在审
发明人：赵星 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提出了一种多晶硅薄膜的沉积方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成硅种子层；在所述硅种子层上沉积大晶粒多晶硅层；在所述大晶粒多晶硅层上沉积小晶粒多晶硅层。根据本发明的制造工艺沉积形成叠层多晶硅薄膜，能有效改善多晶硅薄膜特征尺寸均匀性，防止离子注入时沟道效应的产生，降低多晶硅耗尽效应，进而提高了器件的性能和良品率。
一种多晶薄膜沉积方法

[发明专利]一种多晶硅双极晶体管及其制作方法-CN201210039847.1无效
发明人：姜一波;杜寰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-02-20 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，具体地说涉及一种多晶硅双极晶体管。多晶硅双极晶体管，包括半导体衬底、设置在半导体衬底上的氧化层、设置在氧化层上的多晶硅层以及设置在多晶硅层上的第一金属引出和第二金属引出；多晶硅层为注入了P型杂质和N型杂质的NPN或PNP结构；第一金属引出与多晶硅层连接形成阳极，第二金属引出与多晶硅层连接形成阴极。本发明还提供一种多晶硅双极晶体管的制作方法。本发明提供的多晶硅双极晶体管是在器件的氧化层之上形成多晶硅层，通过不同的注入，在多硅晶内制成多晶硅双极晶体管作为静电保护器件，具有良好的工艺兼容性，能满足基本的静电保护要求。
一种多晶双极晶体管及其制作方法

[发明专利]太阳能级多晶硅和电子级多晶硅联产的方法和系统-CN201710756829.8在审
发明人：相文强;宋高杰;侯雨;张伟;夏祥剑;孙荣义;陈朝霞;王惠 -专利权人：新特能源股份有限公司
申请日： 2017-08-29 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能级多晶硅和电子级多晶硅联产的方法和系统，1)将生产太阳能级多晶硅的尾气与生产电子级多晶硅的尾气混合通过尾气分离得到分离开的粗制氢气、粗制氯硅烷；2)通过氢气初级提纯得到太阳能级氢气；通过氯硅烷初级提纯得到太阳能级氯硅烷；3)将部分太阳能级氢气用来作为生产太阳能级多晶硅的原料，其余部分通过氢气中级提纯得到电子级氢气；将部分太阳能级氯硅烷用来作为生产太阳能级多晶硅的原料，其余部分通过氯硅烷中级提纯得到电子级氯硅烷；4)生产太阳能级多晶硅；生产电子级多晶硅。实现单套系统具备同时进行太阳能级多晶硅和电子级多晶硅的生产能力，在不进行电子级多晶硅生产期间仍可以生产太阳能级多晶硅。
太阳能级多晶硅电子级多晶硅氢气氯硅烷太阳能级生产尾气初级提纯电子级提纯粗制联产生产期间生产能力

[发明专利]PIP电容器的制作方法、PIP电容器及EEPROM存储单元-CN201510366778.9在审
发明人：万宇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-06-26 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：其中，该制作方法包括：在半导体基体上形成第一多晶硅层；在第一多晶硅层的两侧侧壁上形成第二多晶硅层，且第二多晶硅层的表面与第一多晶硅层的上表面弧状连接；形成覆盖第一多晶硅层和第二多晶硅层的绝缘层；在绝缘层上形成第三多晶硅层该制作方法通过在第一多晶硅层的两侧侧壁上形成表面与第一多晶硅层的上表面弧状连接的第二多晶硅层，以使得第一多晶硅层的垂直边角变得圆滑，从而减少了由垂直边角导致的绝缘层的局部放电以及PIP电容器的击穿，进而提高了
pip 电容器制作方法 eeprom 存储单元

[发明专利]筒形半导体制程用高纯多晶硅锭的制备方法及制备装置-CN202011622914.3在审
发明人：陈富伦 -专利权人：陈富伦
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种筒形半导体制程用高纯多晶硅锭的制备方法及制备装置，该方法包括：将制备筒形多晶硅锭所需的多晶硅原料装入到双层圆坩埚的内外层结构之间，将装有多晶硅原料的双层圆坩埚放入铸锭炉；对铸锭炉抽真空，打开加热器加热，直到多晶硅原料全部熔化成液体；使双层圆坩埚内的温度从圆坩埚底部向上逐渐上升形成温度梯度，以使熔化成液体的多晶硅原料逐渐结晶凝固；在结晶凝固完成后，通过退火冷却得到制备完成的筒形多晶硅锭。该种方案，多晶硅锭生产出来后就是筒形的，而通过筒形多晶硅锭生产相同尺寸的环状多晶硅时，投料量可以大幅度降低，同时，制备的筒形多晶硅锭的品质更好，其制备过程中，多晶硅原料的熔融时间以及能耗更低。
半导体制程用高纯多晶制备方法装置

[发明专利]一种复合衬底的制备方法、复合衬底以及电子元器件-CN202111585905.6在审
发明人：李真宇;杨超;孔霞;刘亚明;韩智勇;陈明珠;郑珊珊;姜传晓 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：其中复合衬底的制备方法包括：通过先在衬底上制备第一多晶硅薄膜层，然后通过第一次退火使第一多晶硅薄膜层的晶粒进一步长大获得多晶硅晶籽层，在多晶硅晶籽层上继续制备第二多晶硅薄膜层，改善因晶格匹配度低导致的衬底层对晶粒的影响，提高晶格匹配度，减少第一多晶硅薄膜层和第二多晶硅薄膜层中晶格大小的差异，提高多晶硅层的电阻均匀性。同时，通过对第二多晶硅薄膜层进行第二次退火处理，可以抑制后续高温工艺阶段多晶硅晶粒的重构程度，减少多晶硅晶格大小差异，得到一种靠近衬底层与绝缘层处晶粒尺寸大且分布均匀的多晶硅层。
一种复合衬底制备方法以及电子元器件

[发明专利]多晶硅线、半导体器件以及存储器电路-CN200910195977.2有效
发明人：李志国;杨帆;蒙飞;林竞尧;王培仁 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-09-18 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅线、半导体器件以及存储器电路，其中，多晶硅线包括：形成于第一电路区上的多晶硅线第一部分；由所述多晶硅线第一部分向第一电路区外延伸，并且与第二电路区连接的多晶硅线第二部分；所述多晶硅线第二部分的线宽大于多晶硅线第一部分的线宽本发明通过增大延伸出存储器阵列区的多晶硅线的线宽，提高该部分多晶硅线在退火工艺中加热时的受光照辐射的面积，提升加热效果，从而获得与存储器阵列区内的多晶硅线相一致的升温速度，使得高温退火后，存储器阵列区边缘部分的多晶硅线表面所形成的金属硅化物层致密稳固，避免多晶硅线电阻的提高，从而保证了器件的电学性能。
多晶半导体器件以及存储器电路

[发明专利]一种防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法-CN201710078925.1有效
发明人：徐涛;孔蔚然;曹子贵;张博;李冰寒;汤志林;陈宏;王卉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-02-14 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L27/11517 文献下载
摘要：本发明提供了一种防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法，其中将多晶硅氧化的工艺处理从在逻辑栅极刻蚀之后执行变化到在闪存单元字线刻蚀之后执行，包括：第一步骤：形成逻辑栅极多晶硅层，并执行逻辑栅极多晶硅刻蚀处理；第二步骤：形成闪存单元字线多晶硅层，并执行字线多晶硅刻蚀处理；第三步骤：对刻蚀后的逻辑栅极多晶硅层和闪存单元字线多晶硅层执行多晶硅氧化处理。在根据本发明的防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法中，通过改变多晶硅氧化的工艺步骤，不仅可以解决了闪存单元中逻辑器件的短沟道效应，而且可以消除闪存单元的浮栅以及字线多晶硅蚀刻后的残留，避免闪存功能失效
一种防止分栅快闪存储器浮栅以及多晶残留方法

[发明专利]缓研磨去除多晶硅表面凸块缺陷的方法及半导体工艺方法-CN201711480652.X有效
发明人：蔡长益 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明提供一种缓研磨去除多晶硅表面凸块缺陷的方法及半导体工艺方法，包含以下步骤：1）将包含多晶硅层的半导体结构置于化学机械研磨设备中，多晶硅层的表面形成有凸块缺陷；2）使用包含二氧化铈研磨颗粒的研磨缓冲液对多晶硅层进行化学机械研磨，以去除多晶硅层表面的凸块缺陷，研磨缓冲液呈弱酸性，以防止多晶硅层的多晶硅在化学机械研磨过程中被氧化而形成二氧化硅。本发明通过使用包含二氧化铈研磨颗粒的酸性研磨缓冲液对多晶硅层进行化学机械研磨，由于在酸性环境下所述二氧化铈研磨颗粒去除所述多晶硅的速率非常慢，在去除位于多晶硅层表面的凸块缺陷的同时，可以有效控制去除的多晶硅层的厚度，从而减少多晶硅层的损耗。
研磨去除多晶表面缺陷方法半导体工艺

[发明专利]半导体存储器件的制造方法及半导体存储器件-CN201911097436.6有效
发明人：宓筠婕;林宏益 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明中，半导体存储器件的制造方法包括：提供基底以及位于基底上的功能层，功能层内具有至少一个贯穿功能层的第一沟槽；在第一沟槽的底部和侧壁形成第一掺杂多晶硅膜，且第一掺杂多晶硅膜围成第二沟槽，第二沟槽位于第一沟槽内；在第一掺杂多晶硅膜上形成填充满第二沟槽的第二掺杂多晶硅膜；对第二掺杂多晶硅膜以及第一掺杂多晶硅膜进行第一刻蚀处理，去除部分第一掺杂多晶硅膜和部分第二掺杂多晶硅膜剩余第二掺杂多晶硅膜作为第二掺杂多晶硅层，剩余第一掺杂多晶硅膜作为第一掺杂多晶硅层。
半导体存储器件制造方法

[发明专利]半导体存储器电路的电容器的制造方法-CN00133189.2无效
发明人：曾鸿辉 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2000-10-24 - 公布日： 2002-05-22 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：沉积第一多晶硅,在接触窗内形成第一多晶硅插塞物。去除第二介电层以露出一部分第一多晶硅插塞物。形成第二多晶硅和第三介电层,对第三介电层回蚀刻以形成第三介电层侧壁间隔物。形成第三多晶硅,回蚀刻第三多晶硅和第二多晶硅,以形成第三多晶硅侧壁间隔物与第二多晶硅侧壁间隔物。去除第三介电层侧壁间隔物,剩余的第一多晶硅插塞物、第二多晶硅侧壁间隔物与第三多晶硅侧壁间隔物构成了电容器的电荷储存电极。
半导体存储器电路电容器制造方法

[实用新型]一种多晶硅电池片-CN201720974695.2有效
发明人：崔红星 -专利权人：九江盛朝欣业科技有限公司
申请日： 2017-08-07 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅电池片，包括主栅、副栅和多晶硅电池片本体，多晶硅电池片本体为圆形，多晶硅电池片本体的竖向设有主栅，主栅外切于多晶硅电池片本体，多晶硅电池片本体为叠层结构，且从上到下依次为氮氧化硅层、二氧化硅层和多晶硅基体，多晶硅电池片本体的表面覆有一层蓝色的减反射膜，相邻两个所述多晶硅电池片本体外切，切点通过焊带焊接连接，通过采用圆形多晶硅电池片，减少了对多晶硅电池片加工造成的损坏率，多层反射层结构，提高了光能的使用效率和电能的转换效率，相邻两个多晶硅电池片本体外切，切点通过焊带焊接连接，只需在切点处焊接连接，减少了焊带的使用量。
一种多晶电池

[实用新型]用于屏蔽栅型MOSFET的测试结构和晶圆-CN202320897320.6有效
发明人：朱林迪;陈丽颖;胡磊;王超;常东旭;李静怡 -专利权人：北京燕东微电子科技有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于屏蔽栅型MOSFET的测试结构和晶圆，测试结构与屏蔽栅型MOSFET位于同一晶圆中，测试结构包括：至少一个沟槽；位于沟槽中的第一多晶硅层和第二多晶硅层，以及隔离第一多晶硅层和第二多晶硅层的氧化层；第一导电柱，与第一多晶硅层电连接；第二导电柱，与第二多晶硅层电连接；其中，第一多晶硅层为屏蔽栅型MOSFET中屏蔽栅的模拟结构，第二多晶硅层为屏蔽栅型MOSFET中沟道栅的模拟结构；第一多晶硅层、氧化层和第二多晶硅层构成电容结构该测试结构，通过第一多晶硅层、氧化层与第二多晶硅层组成的电容结构，可以对氧化层进行监测，进而提升屏蔽栅型MOSFET的可靠性和生产效率，降低生产成本。
用于屏蔽 mosfet 测试结构

[实用新型]一种蜂巢结构多晶硅片-CN201620437580.5有效
发明人：陈德榜 -专利权人：温州海旭科技有限公司
申请日： 2016-05-12 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种蜂巢结构多晶硅片，包括单元结构，所述单元结构设有正六角N型多晶硅体，所述正六角N型多晶硅体上部设有正六角斜凹槽，所述正六角斜凹槽设有环形凹槽底，所述环形凹槽底的中部设有贯穿于正六角N型多晶硅体的圆柱形P型多晶硅体，所述正六角N型多晶硅体与圆柱形P型多晶硅体的连接部分形成PN结，所述正六角N型多晶硅体与圆柱形P型多晶硅体的上表面均设有吸光层，所述正六角N型多晶硅体的外侧设有多晶硅保护膜，所述正六角N型多晶硅体的底部设有第一电极，所述圆柱形P型多晶硅体底部设有第二电极。
一种蜂巢结构多晶硅片

[发明专利]多晶硅的刻蚀方法-CN202110011318.X在审
发明人：向磊 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅的刻蚀方法，针对两部分区域之间具有台阶的多晶硅刻蚀，所述两部分区域包含高压氧化层区域以及多晶硅栅极区域；两部分区域进行多晶硅同步刻蚀时，先通过第一步多晶硅刻蚀工艺形成过渡形貌，然后再通过两次多晶硅刻蚀将高压氧化层区域及多晶硅栅极区域的多晶硅形貌刻蚀到设计状态
多晶刻蚀方法