“多晶硅”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果302187个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板-CN201210029815.3有效
发明人：孙铭伟;赵志伟 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2008-09-19 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供一种薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括基板、多个多晶硅岛以及多个栅极。基板具有显示区、栅极驱动区以及源极驱动区。多晶硅岛配置于基板上，且各多晶硅岛具有源极区、漏极区以及位于源极区与漏极区之间的沟道区，多晶硅岛包括多个第一多晶硅岛以及多个第二多晶硅岛，其中第一多晶硅岛配置于显示区以及栅极驱动区内，第一多晶硅岛具有主晶界以及次晶界，且第一多晶硅岛的主晶界仅位于源极区及/或漏极区内。第二多晶硅岛配置于源极驱动区内，且第一多晶硅岛中的晶粒尺寸不同于第二多晶硅膜中的晶粒尺寸。栅极配置于基板上，且对应于沟道区。
薄膜晶体管阵列

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制作方法-CN200810161502.7有效
发明人：孙铭伟;赵志伟 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2008-09-19 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，所述薄膜晶体管阵列基板包括基板、多个多晶硅岛以及多个栅极。基板具有显示区、栅极驱动区以及源极驱动区。多晶硅岛配置于基板上，且各多晶硅岛具有源极区、漏极区以及位于源极区与漏极区之间的沟道区，多晶硅岛包括多个第一多晶硅岛以及多个第二多晶硅岛，其中第一多晶硅岛配置于显示区以及栅极驱动区内，第一多晶硅岛具有主晶界以及次晶界，且第一多晶硅岛的主晶界仅位于源极区及/或漏极区内。第二多晶硅岛配置于源极驱动区内，且第一多晶硅岛中的晶粒尺寸不同于第二多晶硅膜中的晶粒尺寸。栅极配置于基板上，且对应于沟道区。
薄膜晶体管阵列及其制作方法

[发明专利]多晶硅高阻结构及其制作方法-CN201711367190.0有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：胡佳威
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L23/535 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶硅高阻结构及其制作方法。所述多晶硅高阻结构包括衬底、形成于所述衬底上的多晶硅高阻、形成于所述衬底上且环设于所述多晶硅高阻外围与所述多晶硅高阻间隔设置的多晶硅低阻、形成于所述衬底、所述多晶硅高阻与所述多晶硅低阻的钝化层、贯穿所述氧化层且对应所述多晶硅高阻的第一接触孔、贯穿所述钝化层且对应所述多晶硅低阻的第二接触孔、形成于所述钝化层上的金属层，所述金属层包括第一部分及第二部分，所述第一部分经由所述第一接触孔连接所述多晶硅高阻，所述第二部分经由第二接触孔连接多晶硅低阻
多晶硅高阻结构及其制作方法

[发明专利]内置ESD保护二极管的SGT器件及其制作方法-CN202310594164.0有效
发明人：朱伟东;赵泊然;李振道;孙明光 -专利权人：江苏应能微电子股份有限公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种内置ESD保护二极管的SGT器件及其制作方法，它包括N型衬底、漏极金属、N型外延层、第一屏蔽栅氧化层、屏蔽栅P型多晶硅、第二屏蔽栅氧化层、P型多晶硅、N型多晶硅、控制栅多晶硅、P型体区、源极N+型掺杂区、背栅P+型掺杂区、绝缘介质层、源极金属与钝化层；在第一屏蔽栅氧化层的中间夹有屏蔽栅P型多晶硅，在第二屏蔽栅氧化层的中间夹有P型多晶硅、N型多晶硅与控制栅多晶硅，N型多晶硅位于P型多晶硅的正面，控制栅多晶硅位于N型多晶硅的正面。
内置 esd 保护二极管 sgt 器件及其制作方法

[发明专利]多晶硅的蚀刻方法-CN03158763.1无效
发明人：铃木民人 -专利权人：雅马哈株式会社
申请日： 2003-09-24 - 公布日： 2004-05-05 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶硅蚀刻方法，该方法在形成多晶硅层之后，能够完全除去用多晶硅层覆盖的凸起侧壁上遗留的多晶硅残余物，同时又保留了多晶硅层的形成各向异性，并且使下面的绝缘膜免受蚀刻。在将多晶硅层沉积到基片的一个主表面上以便覆盖凸起之后，在凸起之上的多晶硅层上形成抗蚀层。通过利用该抗蚀层作为掩模，来实施等离子蚀刻工艺，从而形成该多晶硅层图形并形成栅电极多晶硅层。在第一步骤，利用HBr和Cl₂蚀刻多晶硅层直到多晶硅间隔残余物出现在凸起侧壁上为止，而在第二步骤，在5.0－10.0m Torr的压力下利用HBr去除多晶硅残留物。
多晶蚀刻方法

[实用新型]一种内层电介质可靠性测试结构-CN201520135453.5有效
发明人：许晓锋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2015-03-10 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型提供一种内层电介质可靠性测试结构，所述测试结构至少包括第一子测试结构和第二子测试结构；所述第一子测试结构包括若干纵向排列的第一多晶硅和若干横向排列的第二多晶硅；所述第二子测试结构包括一列纵向排列的第一多晶硅、若干条横向第一多晶硅、以及设置有若干第二多晶硅。本实用新型测试结构中的第二多晶硅尺寸更短小，可以更加真实的模拟实际器件的结构，该结构不仅可以用于第一多晶硅与第二多晶硅之间电介质可靠性的测试，还可以用于第一多晶硅与第一多晶硅之间、第二多晶硅与第二多晶硅之间
一种内层电介质可靠性测试结构

[实用新型]多晶硅CVD炉混合气进出量调节装置-CN201120176127.0有效
发明人：李严州;张华芹;程佳彪;茅陆荣 -专利权人：上海森松化工成套装备有限公司
申请日： 2011-05-30 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型多晶硅CVD炉混合气进出量调节装置包括多晶硅CVD炉进气量调节装置与多晶硅CVD炉出气量调节装置，所述的多晶硅CVD炉出气量调节装置包括多晶硅CVD炉中心出气口出气调节装置和非中心出气口出气量调节装置当多晶硅CVD炉内出现类似雾化等不良现象时，可通过调节多晶硅CVD炉进气量调节阀来降低类似雾化等不良现象；多晶硅生产前期与后期，通过调节中心出气口与非中心出气口，来控制混合气的出气量，保证混合气在多晶硅本实用新型，实施和操作简单，并能有效地提高多晶硅CVD炉的生产效率、提高多晶硅品质和降低多晶硅生产能耗。
多晶 cvd 混合进出调节装置

[发明专利]多晶硅栅极的形成方法-CN201310383307.X有效
发明人：孟晓莹;王冬江 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-08-28 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅栅极的形成方法，包括提供衬底；在衬底上形成多晶硅层、及位于多晶硅层上的图形化掩模层；以图形化掩模层为掩模，对多晶硅层进行第一各向异性干法刻蚀，以去除部分厚度的多晶硅层，形成多晶硅栅极的上部；在加热条件下，利用含H2的气体进行第二各向异性干法刻蚀，以对多晶硅栅极上部的侧壁进行修整；第二各向异性干法刻蚀之后，对多晶硅层进行第三各向异性干法刻蚀，以去除部分厚度的多晶硅层下方的剩余多晶硅层，形成多晶硅栅极利用该方法可以减小多晶硅栅极的线宽粗糙度。
多晶栅极形成方法

[发明专利]采用物理法提纯的硅料制备的多晶硅锭和多晶硅棒及方法-CN201910032735.5在审
发明人：闫灯周;刘俊辉;郭志球 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用物理法提纯的硅料制备的多晶硅锭和多晶硅棒及相应方法，采用定向凝固法将所述硅料制备为多晶硅锭，制备过程中掺杂第一类元素和第二类元素，以控制所述多晶硅锭的电阻率在预设范围内，其中，所述第一类元素控制所述多晶硅锭的电阻率升高，及所述第二类元素控制所述多晶硅锭的电阻率降低。由上述内容可知，本发明提供的技术方案，通过定向凝固法制备多晶硅锭以去除金属杂质，进而能够有效去除多晶硅锭和多晶硅棒中的金属杂质；以及，通过掺杂第一类元素和第二类元素，能够实现多晶硅锭和多晶硅棒中的掺杂平衡，使其电阻率在预设范围内，进而保证采用该多晶硅锭或多晶硅棒制作的硅片的性能提高，有效降低半导体结构器件的成本。
多晶硅锭多晶硅棒电阻率硅料制备掺杂金属杂质元素控制物理法提纯去除预设半导体结构定向凝固法定向凝固制备过程硅片升高平衡制作保证

[发明专利]形成多晶硅结构-CN03825535.9无效
发明人：桑杰伊·纳塔拉詹;凯文·海德里奇;伊布拉西姆·班恩 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2003-09-22 - 公布日： 2005-12-28 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种掺杂多晶硅结构无需蚀刻多晶硅就可以形成。可以覆盖图样化的多晶硅(14)，在多晶硅覆盖物(16，18)上形成开口，然后可以通过该开口来掺杂所述多晶硅。结果，在一些场合下，可以避免对掺杂多晶硅进行麻烦的蚀刻。
形成多晶结构

[发明专利]硅单晶锭的制造方法-CN201110461265.8无效
发明人：加藤英生;村上英明 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2011-12-26 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：在CZ法的装填多晶硅的步骤中，不将小尺寸的多晶硅块S1用作装入的多晶硅块S。仅使用中等尺寸的多晶硅块S2和大尺寸的多晶硅块S3。此外，在装填多晶硅的步骤中，将多晶硅块S随机地装入坩埚中。
硅单晶锭制造方法

[发明专利]由多晶硅装料制备熔化的硅熔体的方法和装置-CN01818537.1无效
发明人： R·H·菲尔克霍夫;M·巴纳;J·D·霍尔德 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 2001-10-23 - 公布日： 2004-02-04 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：用于在拉晶装置中由多晶硅制备熔化的硅熔体的方法和装置，要求装入坩埚中的多晶硅装置少于要熔化的预定的多晶硅总量。将坩埚加热，以便在坩埚中形成具有暴露于熔化的硅的上表面之上的未熔化的多晶硅岛的部分熔化的装料。从加料器将粒状多晶硅加到未熔化的多晶硅岛上，直至已将预定的多晶硅总量装入坩埚为止。随着将粒状多晶硅加到上述岛上，用电子学方法确定该岛相对于坩埚侧壁的位置。根据所确定的该岛相对于坩埚侧壁的位置，控制从加料器将粒状多晶加到未熔化的多晶硅岛上的加料速率。
多晶装料制备熔化硅熔体方法装置

[发明专利]一种多晶硅栅极刻蚀的方法-CN200710170615.9有效
发明人：张海洋;杜珊珊;陈海华;马擎天 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-11-19 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅栅极刻蚀的方法，该方法包括完成多晶硅沉积的步骤、完成多晶硅光刻的步骤、及完成多晶硅刻蚀的步骤；所述方法还包括清洗晶片底层背面多晶硅的步骤，该步骤完成清洗晶片底层背面多晶硅的过程。本发明揭示的多晶硅栅极刻蚀的方法，通过清洗掉晶片底层背面多晶硅，来增加晶片的拉应力，从而可以有效避免栅极足的形成、提高晶片性能。
一种多晶栅极刻蚀方法

[发明专利]一种改善激光修调多晶硅电阻精度的方法-CN202011376100.6在审
发明人：刘若曦;田泽;刘敏侠;陈智;邵刚;郎静 -专利权人：西安翔腾微电子科技有限公司
申请日： 2020-12-05 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L21/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善激光修调多晶硅电阻精度的方法，本发明包括以下步骤：1)将多晶硅电阻设计成矩形，将金属连线设置在矩形多晶硅电阻两侧；2)使用激光将多晶硅电阻金属连线未连接的多晶硅电阻两侧边缘进行修调；3)在多晶硅电阻上进行粗调；4)在多晶硅电阻上进行细调。本发明对多晶硅电阻两侧边缘进行激光修调，可减小低阻区，改善了粗调和精调的激光修调效果，达到对多晶硅电阻的激光精确修调，降低了流片成本。
一种改善激光多晶电阻精度方法

[发明专利]多晶硅基板的制造方法以及多晶硅基板的制造装置-CN202111543893.0在审
发明人：柳憙官;金珍浩;吴泳勋 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供多晶硅基板的制造方法以及多晶硅基板的制造装置。多晶硅基板的制造方法包括：制作多晶硅试验基板的多晶硅试验基板制作步骤；对于制作出的所述多晶硅试验基板，通过暗视野显微镜和相机拍摄所述多晶硅试验基板的多个焦点区域的焦点区域拍摄步骤；提取拍摄出的各所述焦点区域的颜色表的颜色表提取步骤；通过提取出的所述颜色表判断所述多晶硅试验基板的结晶化度的多晶硅试验基板的结晶化度判定步骤；以及通过判定出的所述结晶化度选定OPED的OPED选定步骤。
多晶硅基板制造方法以及装置