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[发明专利]一种检测区熔多晶硅表面损伤深度的方法-CN202111406144.3在审
发明人：李朋飞;徐岩;王春静;邢阳阳;王露;董永鸽;曹佳佳;韩秀英;张艳玲;左赛虎 -专利权人：陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测区熔多晶硅表面损伤深度的方法，涉及半导体制造技术领域。该方法的一具体实施方式包括：从机加后的区熔多晶硅棒上切割下一段多晶硅棒；从所述多晶硅棒的外缘上获取多晶硅片；采用蚀刻剂对所述多晶硅片进行蚀刻；采用显微镜采集蚀刻后的所述多晶硅片的表面的损伤图像，从而检测区熔多晶硅表面的损伤深度该实施方式能够解决目前没有可以实现检测区熔多晶硅表面损伤深度的方法的技术问题。
一种检测多晶表面损伤深度方法

[发明专利]一种提高RF LDMOS的性能及可靠性的方法-CN202211466320.7在审
发明人：遇寒;陈跃华 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种提高RF LDMOS的性能及可靠性的方法，形成第一氧化层；定义栅极位置和源端区域，去除源端区域的第一氧化层；在栅极位置形成栅极多晶硅结构；形成P型体区、P+区、N+区、NLDD区；形成第二氧化层；刻蚀去除漏端区域的第二氧化层及第一氧化层形成凹槽；在源端区域、覆盖多晶硅层并刻蚀多晶硅层露出栅极多晶硅结构顶部；定义漏端多晶硅结构的形貌，刻蚀多晶硅层，形成漏端多晶硅结构；在源极多晶硅结构侧壁以及漏端多晶硅结构的侧壁分别形成侧墙；在漏端区域的硅基底内形成漏端N+区；在形成覆盖源端区域、栅极多晶硅结构顶部以及漏端多晶硅结构顶部的金属硅化物；形成第三氧化层；形成屏蔽罩。
一种提高 rf ldmos 性能可靠性方法

[发明专利]多晶硅填充方法-CN201711354006.9有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：南京溧水高新创业投资管理有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶硅填充方法，包括：在宽尺寸沟槽进行二氧化硅填充，形成二氧化硅层；对所述二氧化硅层进行不完全回刻处理，以使所述宽尺寸沟槽底部的硅衬底暴露出来并在所述宽尺寸沟槽内部形成二氧化硅侧墙；在所述宽尺寸沟槽内部进行第一次多晶硅填充，形成第一多晶硅层；对所述第一多晶硅层进行回刻，所述第一多晶硅层被回刻之后保留被所述二氧化硅侧墙包围的多晶硅柱；将所述宽尺寸沟槽内部的二氧化硅侧墙去除；在所述宽尺寸沟槽内部进行第二次多晶硅填充，以形成第二多晶硅层，所述第二多晶硅层包围所述多晶硅柱；对所述第二多晶硅层进行回刻。
多晶填充方法

[发明专利]多晶硅加工品的制造方法-CN201880013910.X有效
发明人：秋吉彩生 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2018-03-07 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本申请的问题在于，提供一种多晶硅加工品的新型制造方法，其包含：防止在处理通过西门子法得到的多晶硅棒时，因存在于上述多晶硅棒端部的碳构件导致的多晶硅棒表面的碳污染的工序。本申请的技术方案在于，提供一种多晶硅加工品的制造方法，其特征在于，将在利用西门子法的反应器内使与电极连接的碳构件所保持的硅芯线析出多晶硅而得到的多晶硅棒，在其端部包含上述碳构件的状态下取出，在对上述多晶硅棒进行加工的方法中，包括：将上述多晶硅棒从上述电极卸下至进行加工为止的期间，使用包覆材料包覆存在于上述多晶硅棒的端部的碳构件，由此，在将多晶硅棒与碳构件隔离的状态下进行处理的工序。
多晶加工品制造方法

[发明专利]多尺寸硅沟槽的填充方法-CN201711366194.7在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：深圳市晶特智造科技有限公司
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种多尺寸硅沟槽的填充方法包括以下步骤：提供硅衬底，在硅衬底的一侧依次形成第一、第二沟槽、第一阻挡层、第一多晶硅，其中第一多晶硅将第一沟槽填满，第二沟槽未被第一多晶硅填满；在第一多晶硅上形成第二阻挡层，第二阻挡层未将第二沟槽填满；在第二阻挡层上形成第二多晶硅，第二多晶硅将第二沟槽填满；对第二多晶硅进行第一次回刻蚀，使得第二沟槽外侧的第二多晶硅被去除，第二沟槽中的第二多晶硅被保留；去除第二沟槽外侧的第二阻挡层，第二沟槽中的第二阻挡层及第二多晶硅均被保留；对第一多晶硅进行第二次回刻蚀，去除第一、第二沟槽外侧的第一多晶硅；去除第一、第二沟槽外侧的第一阻挡层、第一、第二沟槽上方的部分第二阻挡层。
多晶硅阻挡层去除沟槽填满硅衬底硅沟槽回刻蚀填充多晶硅填满保留

[发明专利]一种测量多晶硅粗糙度的方法及装置-CN201710447035.3在审
发明人：余宏萍 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2017-06-14 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： G01B11/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种测量多晶硅粗糙度的方法及装置，所述方法操作方便，所述装置结构简单，通过将多晶硅放置于光源与积分球之间的不同位置，在积分球中测得多晶硅位于不同位置时的穿透率，根据穿透率计算出所述多晶硅的雾度，再以多晶硅雾度和粗糙度的数学关系得出多晶硅的表面粗糙度。本方案不需要对多晶硅进行切片取样，大大缩短测量时间、节约成本，并且可对多晶硅粗糙度进行实时监控。
一种测量多晶粗糙方法装置

[发明专利]多晶硅还原炉电源的电压控制方法、装置和计算机设备-CN202310587909.0在审
发明人：谭黎军;苏钟焕;杨圣彬;吴朝贤;阴祖强;张世崇;付欢球;陈光胜;王晶;赵孟娇;李纯源 -专利权人：特变电工衡阳变压器有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本申请涉及一种多晶硅还原炉电源的电压控制方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：根据多晶硅还原炉电源当前所处阶段确定对应的初始电流，获取多晶硅的测量数据，根据初始电流和多晶硅的测量数据计算电压偏差值，根据电压偏差值和多晶硅的测量数据得到预期电压，根据多晶硅还原炉电源的工作模式和预期电压得到目标电压，根据目标电压对多晶硅还原炉电源进行电压控制。采用本方法能够对不同生长过程的多晶硅提供对应的准确的电压。
多晶还原电源电压控制方法装置计算机设备

[发明专利]多晶硅晶体管制造方法及多晶硅晶体管、显示器件-CN201210291360.2无效
发明人：石磊 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2012-08-15 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅晶体管制造方法及多晶硅晶体管、显示器件，为解决现有技术中存在的，多晶硅晶体管源极及漏极-半导体接触电阻偏高的问题，该方法包括，形成多晶硅层，在多晶硅层上形成高功函接触层，在高功函接触层上形成金属电极，由于在多晶硅层上形成镍金属层，利用多晶硅高迁移率以及镍金属相对于多晶硅的高功函特性，达到降低接触电阻的目的，从而实现降低开启电压和器件功耗的效果。
多晶晶体管制造方法显示器件

[实用新型]低温多晶硅层及薄膜晶体管-CN201821583150.X有效
发明人：李立胜;何鹏;颜源 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本揭示提供了低温多晶硅层及薄膜晶体管。低温多晶硅层包括基板、至少一缓冲层以及多晶硅层。至少一缓冲层设置在基板上。多晶硅层设置在至少一缓冲层上。多晶硅层包括沟道区域、设置在沟道区域的两侧的两个低掺杂区域、设置在低掺杂区域的外侧的两个高掺杂区域。沟道区域的边缘及至少部分低掺杂区域的厚度小于多晶硅层的其他位置的厚度。本揭示能减少低温多晶硅层对光子的吸收及降低低温多晶硅层的光生漏电流。
低温多晶硅多晶硅层沟道区域低掺杂缓冲层薄膜晶体管基板高掺杂漏电流光子吸收

[实用新型]一种多晶硅打磨设备-CN201620952799.9有效
发明人：黄贤强;张苏州;栗学华;何建军;李顺 -专利权人：浙江溢闳光电科技有限公司
申请日： 2016-08-27 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： B24B7/07 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多晶硅打磨设备，包括用于夹持多晶硅的夹持装置和用于对多晶硅进行打磨操作的打磨装置，所述夹持装置包括将多晶硅两侧夹紧的夹持部和与多晶硅背面相抵的抵接部，所述打磨装置包括磨头以及用于驱动磨头做前后左右进给运动的驱动装置，磨头和抵接部位于多晶硅的异侧。采用夹持装置将多晶硅夹紧，通过电机驱动驱动装置，带动磨头前后左右运动，对多晶硅表面进行打磨，降低了工人的劳动强度，增加了打磨效率。
一种多晶打磨设备

[发明专利]一种沟槽形成方法-CN201710564684.1在审
发明人：张凯 -专利权人：张凯
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：所述沟槽形成方法包括在硅衬底形成多晶硅层并在所述多晶硅层形成第一多晶硅沟槽；在所述多晶硅层表面形成第一氧化层，所述第一氧化层覆盖所述第一多晶硅沟槽的内表面；对所述第一氧化层进行刻蚀并形成第二多晶硅沟槽；在所述多晶硅层表面形成第二氧化层，所述第二氧化层覆盖所述第二多晶硅沟槽的内表面；对所述第二氧化层进行刻蚀并形成第三多晶硅沟槽；利用所述多晶硅层作为掩膜对所述硅衬底进行刻蚀，并形成衬底沟槽。
一种沟槽形成方法

[发明专利]一种定向凝固及渣滤熔炼提纯多晶硅的方法及设备-CN201110125906.2有效
发明人：谭毅;战丽姝;顾正 -专利权人：大连隆田科技有限公司
申请日： 2011-05-16 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种定向凝固及渣滤熔炼提纯多晶硅的方法，加热在熔炼坩埚中的造渣剂，并使其保持液态，同时通过另一小坩埚中熔化高硼、高金属的多晶硅料形成多晶硅熔液；将多晶硅熔液连续导入并分散于液态造渣剂中，熔炼反应去除杂质硼，待熔炼坩埚中液体装满时，停止加入多晶硅熔液，加热使熔炼坩埚中保持液态，熔炼后进行定向凝固，切去硅锭顶部杂质含量较高的多晶硅及废渣，即可得到硼和金属杂质含量较低的多晶硅锭。综合渣滤熔炼和定向凝固的技术去除多晶硅中的杂质硼和金属，有效提高了多晶硅的纯度，达到了太阳能级硅的使用要求，其提纯效果好，技术稳定，工艺简单，节约能源，成本低，生产效率高。
一种定向凝固熔炼提纯多晶方法设备

[发明专利]分栅SONOS的制造方法-CN201810832870.3在审
发明人：许昭昭 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本发明公开了一种分栅SONOS的制造方法，形成ONO层后，依次淀积第一多晶硅层、氮化硅层，刻蚀氮化硅层并在其侧面形成氧化层侧墙，刻蚀第一多晶硅层；形成SONOS存储管的源端，淀积第二多晶硅层，该第二多晶硅层直接和硅衬底连接，在第二多晶硅层顶部形成氧化层，湿法去除氮化硅层并再次刻蚀第一多晶硅层，热氧化形成逻辑区晶体管栅氧化层和选择管栅氧化层，同时在第一多晶硅层侧面形成热氧化层侧墙。淀积第三多晶硅层并刻蚀，同时形成SONOS存储管的多晶硅栅和逻辑区多晶硅栅。本发明能节省芯片面积，降低制造成本。
多晶硅层淀积刻蚀氮化硅层多晶硅栅存储管逻辑区氧化层分栅刻蚀氮化硅层氧化层侧墙晶体管栅热氧化层栅氧化层制造成本侧面硅衬底热氧化选择管侧墙去除湿法源端制造芯片

[发明专利]屏蔽栅沟槽MOSFET的制造方法-CN201610373504.7有效
发明人：范让萱;缪进征 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-05-31 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：形成硬质掩模层并定义出栅极形成区域；采用各向异性加各向同性刻蚀形成顶部沟槽；形成氧化阻挡层；对氧化阻挡层进行回刻，之后进行各向异性刻蚀形成底部沟槽；进行热氧化自对准形成底部氧化层；去除氧化阻挡层；形成栅介质层；形成第一多晶硅层；对第一多晶硅层进行回刻，回刻后第一多晶硅层分别组成多晶硅栅和底部屏蔽多晶硅；形成多晶硅间隔离介质层；对多晶硅间隔离介质层进行回刻；形成第二多晶硅层并和底部屏蔽多晶硅叠加形成屏蔽多晶硅。
屏蔽沟槽 mosfet 制造方法

[实用新型]精密多晶硅电阻器结构及集成电路-CN201320870763.2有效
发明人： P·蒙塔尼尼;G·利克;B·H·恩格尔;R·M·米勒;J·Y·金 -专利权人：意法半导体公司;国际商业机器公司;格罗方德公司;三星电子株式会社
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本实用新型的实施例公开了一种精密多晶硅电阻器结构及集成电路。使用替换金属栅极(RMG)工艺提供用于与金属栅极晶体管并排创建精密多晶硅电阻器的机会。在形成牺牲多晶硅栅极期间，多晶硅电阻器也可以从相同多晶硅膜形成。可以略微凹陷多晶硅电阻器，使得保护绝缘层可以在用金属栅极随后替换牺牲栅极期间覆盖电阻器。使用这样的工艺来制作的精密多晶硅电阻器的最终结构比为具有金属栅极晶体管的集成电路提供金属电阻器的现有结构更紧凑并且复杂性更少。另外，可以通过向多晶硅膜注入掺杂物、调整多晶硅膜厚度或者二者来自由调节精密多晶硅电阻器至具有所需薄片电阻。
精密多晶电阻器结构集成电路