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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种半导体器件的制备方法-CN201910055441.4在审
发明人：蒙元明;闫宇 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-01-21 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制备方法，其包括在器件层上生长多晶硅层，在多晶硅层表面上形成氧化物层，氧化物层覆盖多晶硅层表面上的突起，使用缓冲氧化物刻蚀液对氧化物层进行腐蚀；在腐蚀得到的多晶硅层表面上制备功能层，得到半导体器件；基于此，本发明在得到多晶硅层后，先在多晶硅层表面上形成一道保护作用的氧化物层，然后利用缓冲氧化物刻蚀液，基于其可控性，蚀刻保护氧化膜和多晶硅层表面上的突起，从而起到降低多晶硅层表面突起的作用，同时也能很好的保护好多晶硅层表面，缓解了现有多晶硅层存在的表面粗糙的技术问题。
多晶硅层表面氧化物层半导体器件多晶硅层突起制备缓冲氧化物刻蚀液腐蚀蚀刻功能层可控性器件层氧化膜缓解生长覆盖

[发明专利]一种带有夹紧功能的多晶硅切割装置-CN201910511607.9在审
发明人：杨定勇 -专利权人：扬州晶樱光电科技有限公司
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： B28D5/02 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅加工技术领域，且公开了一种带有夹紧功能的多晶硅切割装置，包括底座，底座的顶部固定安装有调节板。该带有夹紧功能的多晶硅切割装置，通过设置丝杆和把手，通过转动把手，可对横向夹板调节左右的距离，可对工作台上的多晶硅的左右侧进行夹持，通过设置纵向夹板和拉手，在将多晶硅的左右侧进行夹持之前，通过拉动拉手，可对纵向夹板的高度进行调节，然后将多晶硅的左右侧进行夹持，最后松开拉手，通过复位弹簧推动纵向夹板，使得纵向夹板与多晶硅接触，此时即可将多晶硅的上下方向进行夹持，该装置可对多晶硅的左右侧和上下进行夹持，可避免在对多晶硅加工时出现偏移和挪位的现象
一种带有夹紧功能多晶切割装置

[发明专利]半导体装置-CN202210880388.3在审
发明人：林振华;冉景涵 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置，包括：半导体基板，具有有源区和与该有源区相邻的无源区；多晶硅电阻结构，设置在该无源区的隔离结构上；虚设多晶硅电阻结构，在该隔离结构上，分别设置在该多晶硅电阻结构的相对两侧的外侧；以及多晶硅环状结构，设置于该隔离结构上，环绕该多晶硅电阻结构与该虚设多晶硅电阻结构。本发明通过多晶硅环状结构及其前身来阻挡显影液流对多晶硅电阻结构的过度蚀刻，从而保证后续形成的多晶硅电阻结构之间的大小或尺寸基本相同，这样后续形成的多晶硅电阻结构之间的电阻可以基本相同，减少或基本消除电阻差异
半导体装置

[发明专利]一种深槽隔离结构的制作方法-CN201410417668.6有效
发明人：林率兵;王永刚;姜海涛;蔡丹华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-08-22 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种深槽隔离结构的制作方法，至少包括以下步骤：S1：提供一衬底，在所述衬底中形成至少一个深槽，并在所述深槽中填满多晶硅；S2：进行退火以使所述多晶硅的晶粒结构重组；S3：采用Cl₂与HBr的混合气体作为刻蚀气体对所述多晶硅进行回刻，去除所述深槽外多余的多晶硅；S4：采用SF₆作为刻蚀气体对所述多晶硅进行过刻蚀，在所述深槽顶部获得平坦的多晶硅表面。本发明不仅可以改善深槽内部及表面的多晶硅接缝现象，提高多晶硅熔合程度，同时可以在所述深槽顶部获得平坦光滑的多晶硅表面的同时减少多晶硅的过刻蚀量，减少深槽顶部的下沉程度。
一种隔离结构制作方法

[发明专利]一种在集成电路中集成复合型多晶硅电阻的方法-CN201811098718.3有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：南京溧水高新创业投资管理有限公司
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种在集成电路中集成复合型多晶硅电阻的方法，通过在器件场氧化层上方生长的多晶硅层进行超高阻离子注入获得超高阻多晶硅电阻，在超高阻多晶硅电阻内再次进行高阻离子注入获得高阻多晶硅电阻，在超高阻多晶硅电阻内通过炉管扩散掺杂离子获得低阻多晶硅电阻，并在最后通过离子注入形成源极和漏极的同时，也注入在局部超高阻多晶硅电阻内，形成中阻多晶硅电阻，获得四种不同阻值的多晶硅电阻，从而极大便利了电路设计工程师的设计，大幅提升低阻值电阻器的电阻精度，缩减超高阻电阻器的芯片占用面积
一种集成电路集成复合型多晶电阻方法

[发明专利]多晶硅棒还原炉电气系统及其启动方法-CN201410258768.9有效
发明人：张玉泉;邓飞;薛涛;胡俊辉;李波;何克周;郑晨 -专利权人：陕西天宏硅材料有限责任公司
申请日： 2014-06-11 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本发明公开了多晶硅棒还原炉电气系统及其启动方法，特别涉及24对多晶硅棒还原炉的启动方法，包括：三圈布置的24对多晶硅棒，其中内圈分布4对多晶硅棒、中圈分布8对多晶硅棒、外圈分布12对多晶硅棒，上述24对多晶硅棒均连接调功柜电源，其中中圈分布8对多晶硅棒通过中圈隔离开关还连接有高压启动电源，其中内圈分布4对多晶硅棒还连接有四组晶闸管模块，且内圈中每对多晶硅棒对应一组反并联的晶闸管。
多晶还原电气系统及其启动方法

[发明专利]电池背部结构及其制备方法、电池-CN202111617968.5有效
发明人：朱家宽;戴虹;钟文兵;孙海晨;刘阳;桑雪岗;章晖 -专利权人：理想晶延半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供一种电池背部结构，包括基底、隧穿氧化层、掺杂多晶硅薄膜层、扩散多晶硅薄膜层、氮化硅层和电极；所述隧穿氧化层设置于所述基底的表面；所述掺杂多晶硅薄膜层设置于所述隧穿氧化层的表面；所述扩散多晶硅薄膜层设置于所述掺杂多晶硅薄膜层的表面，且所述扩散多晶硅薄膜层的方阻小于所述掺杂多晶硅薄膜层的方阻；所述氮化硅层设置于所述扩散多晶硅薄膜层的表面；所述电极贯穿所述氮化硅层和部分所述扩散多晶硅薄膜层，且所述电极与所述掺杂多晶硅薄膜层分隔设置。
电池背部结构及其制备方法

[发明专利]半导体器件结构及其制作方法-CN201410535529.3无效
发明人：义夫 -专利权人：丽晶美能（北京）电子技术有限公司
申请日： 2014-10-11 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：其中，该半导体器件结构包括：衬底，具有沟槽，沟槽的开口位于衬底的第一表面；有源区，设置于沟槽两侧的衬底中；栅极结构，包括设置于沟槽表面上的栅氧层、设置于栅氧层表面上的第一多晶硅层和设置于第一多晶硅层上的第二多晶硅层，第一多晶硅层为非掺杂多晶硅或者轻掺杂多晶硅，第二多晶硅层为重掺杂多晶硅。上述半导体器件结构同时实现了沟槽两侧衬底上多晶硅的彻底刻蚀，以及位于沟槽侧壁上的多晶硅对有源区的很好覆盖，进而减少了器件性能的失效和成品率的损失。
半导体器件结构及其制作方法

[实用新型]一种用于直拉硅单晶炉的块状多晶硅加料装置-CN201220272138.3有效
发明人：曾泽斌 -专利权人：曾泽斌
申请日： 2012-06-11 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于直拉硅单晶炉的块状多晶硅加料装置。通过使用挡料球作为多晶硅的隔离装置，使用导料管作为注入多晶硅的通过闸板阀或翻板阀的导料装置，使用闸板阀或翻板阀作为隔离直拉硅单晶炉真空的装置，这些装置的尺度远大于块状多晶硅的粒度，使本实用新型的一种用于直拉硅单晶炉的块状多晶硅加料装置能够向直拉硅单晶炉内加注粒度小于50mm的块状多晶硅和粒度小于5mm的颗粒多晶硅，解决了现有的多晶硅加料仓只能向直拉硅单晶炉内加注粒度小于5mm的颗粒多晶硅，不能加注块状多晶硅的难题。
一种用于直拉硅单晶炉块状多晶加料装置

[实用新型]一种带有夹紧功能的多晶硅切割装置-CN201920888993.9有效
发明人：杨定勇 -专利权人：扬州晶樱光电科技有限公司
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： B28D5/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及多晶硅加工技术领域，且公开了一种带有夹紧功能的多晶硅切割装置，包括底座，底座的顶部固定安装有调节板。该带有夹紧功能的多晶硅切割装置，通过设置丝杆和把手，通过转动把手，可对横向夹板调节左右的距离，可对工作台上的多晶硅的左右侧进行夹持，通过设置纵向夹板和拉手，在将多晶硅的左右侧进行夹持之前，通过拉动拉手，可对纵向夹板的高度进行调节，然后将多晶硅的左右侧进行夹持，最后松开拉手，通过复位弹簧推动纵向夹板，使得纵向夹板与多晶硅接触，此时即可将多晶硅的上下方向进行夹持，该装置可对多晶硅的左右侧和上下进行夹持，可避免在对多晶硅加工时出现偏移和挪位的现象
一种带有夹紧功能多晶切割装置

[发明专利]一种极性相同的钝化接触结构及电池、制备工艺、组件和系统-CN202110484677.7在审
发明人：沈承焕;赵影文;陈嘉;季根华;杜哲仁;陆俊宇;林建伟 -专利权人：泰州中来光电科技有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池技术领域，涉及一种极性相同的钝化接触结构及电池、制备工艺；该极性相同的钝化接触结构包括硅衬底、设于硅衬底至少一面的电介质层、交替布置于电介质层表面的多晶硅层和第一多晶硅掺杂层、以及设于第一多晶硅掺杂层表面的第二多晶硅掺杂层；所述第一多晶硅掺杂层和第二多晶硅掺杂层的厚度之和大于所述多晶硅层的厚度，位于所述多晶硅层两侧的第一多晶硅掺杂层的掺杂极性相同，且第二多晶硅掺杂层的掺杂浓度大于第一多晶硅掺杂层的掺杂浓度。
一种极性相同钝化接触结构电池制备工艺组件系统

[发明专利]硅纳米管的制作方法-CN201110328164.3有效
发明人：景旭斌;杨斌;郭明升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-10-25 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅纳米管的制作方法，包括以下步骤：在硅片上热氧化生长二氧化硅层，在二氧化硅层上依次沉积多晶硅和氮化硅；刻蚀氮化硅和多晶硅，形成顶部覆盖有氮化硅的多晶硅线；边旋转硅片边以一倾斜角度对多晶硅线进行离子注入；去除多晶硅线上的氮化硅；以垂直角度对多晶硅线进行离子注入；在多晶硅线上热氧化生长二氧化硅膜。本发明采用氮化硅作为注入阻挡层，旋转硅片对多晶硅线侧壁均匀掺杂，去除氮化硅阻挡层对多晶硅线的顶部进行掺杂，使得多晶硅线上均匀掺杂，同时使得后续在多晶硅线上热氧化生长的二氧化硅膜厚度均匀，硅纳米管的性能提高
纳米制作方法

[实用新型]一种极性相同的钝化接触结构及电池、组件和系统-CN202120943571.4有效
发明人：沈承焕;赵影文;季根华;陈嘉;杜哲仁;陆俊宇;林建伟 -专利权人：泰州中来光电科技有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种极性相同的钝化接触结构及电池、组件和系统；该极性相同的钝化接触结构包括硅衬底、设于硅衬底至少一面的电介质层、交替布置于电介质层表面的多晶硅层和第一多晶硅掺杂层、以及设于第一多晶硅掺杂层表面的第二多晶硅掺杂层；第一多晶硅掺杂层和第二多晶硅掺杂层的厚度之和大于多晶硅层的厚度，位于多晶硅层两侧的第一多晶硅掺杂层的掺杂极性相同，且第二多晶硅掺杂层的掺杂浓度大于第一多晶硅掺杂层的掺杂浓度；电介质层的厚度为0.9～2.9nm
一种极性相同钝化接触结构电池组件系统

[发明专利]多晶硅层及其制造方法、薄膜晶体管及阵列基板的制造方法-CN201810402853.6有效
发明人：张慧娟 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：一种多晶硅层及其制造方法、薄膜晶体管及阵列基板的制造方法。该多晶硅层的制造方法包括：形成非晶硅层；对该非晶硅层进行结晶化处理形成第一多晶硅层；利用绿色激光退火工艺对该第一多晶硅层进行处理形成第二多晶硅层。该制造方法采用绿色激光退火工艺对多晶硅层进行二次晶化处理，可以获得晶粒尺寸与均匀性俱佳的多晶硅层。
多晶及其制造方法薄膜晶体管阵列

[发明专利]改善多晶硅缺陷的方法-CN200610119058.3有效
发明人：杨芸;杨振良;金贤在;王刚宁 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-04 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种改善多晶硅缺陷的方法，包括下列步骤：在硅基底上形成氧化硅层；在氧化硅层中形成多晶硅插塞，所述多晶硅插塞贯穿氧化硅层；在氧化硅层上形成氮化硅层，且覆盖多晶硅插塞；在氮化硅层上形成层间介质层；蚀刻多晶硅插塞上方的层间介质层，形成开口；蚀刻开口处的氮化硅层，露出多晶硅插塞；在开口内填充多晶硅，与多晶硅插塞连通。经过上述步骤，由于氮化硅层的保护，不会产生热标准清洗液1号与多晶硅插塞反应；由于氮化硅层是最后被蚀刻掉的，因此就不会产生氮化硅层露出，使后续填充平整。
改善多晶缺陷方法

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