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[实用新型]一种全自动多晶硅料破碎筛分机-CN202020720654.2有效
发明人：吕磊 -专利权人：华磊寰球工业装备（青岛）股份有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： B02C1/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种全自动多晶硅料破碎筛分机，该多晶硅料破碎筛分机包括用于破碎多晶硅料的颚式破碎机和用于筛分破碎后的多晶硅料的筛分装置，颚式破碎机包括静颚板、动颚板和边板，静颚板、动颚板和边板均由与多晶硅料接触的工作板和安装于所述工作板背面的背板组成，工作板由对多晶硅料不产生污染的材料制成。该多晶硅料破碎筛分机能够对多晶硅料自动上料、破碎、筛分及下料，并且其对多晶硅料破碎筛分的全过程防护完善，不会造成硅料的二次污染。
一种全自动多晶破碎筛分

[发明专利]一种多晶硅薄膜的处理方法和薄膜晶体管的制作方法-CN201610004494.X在审
发明人：李小龙;刘政;李栋;张慧娟;敏健 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-01-04 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅薄膜的处理方法和薄膜晶体管的制作方法，涉及显示技术领域，用于减小多晶硅薄膜的表面粗糙度，减小薄膜晶体管的漏电流。该多晶硅薄膜的处理方法包括：使用刻蚀粒子对所述多晶硅薄膜进行刻蚀，所述刻蚀粒子的移动方向与所述多晶硅薄膜之间的夹角大于0°且小于90°。本多晶硅薄膜的处理方法用于对使用GLA技术制备的多晶硅薄膜进行处理。
一种多晶薄膜处理方法薄膜晶体管制作方法

[发明专利]多晶硅碎料平台及碎料方法-CN201610098028.2在审
发明人：齐林喜;郭金强 -专利权人：内蒙古盾安光伏科技有限公司
申请日： 2016-02-23 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： B02C23/00 文献下载
摘要：一种多晶硅碎料平台，用于破碎多晶硅棒料，包括多级分布的V形槽，该多级分布的V形槽按照预定间距沿多晶硅棒料长度方向依次排布并承载夹持多晶硅棒料。本发明还提供了使用该多晶硅碎料平台的碎料方法。本发明的多晶硅碎料平台及碎料方法，采用多级V形槽结构，破碎时可以分段碎料，破碎更为均匀，容易控制尺寸，操作方便，而且本发明的破碎方法可以有效地减少多晶硅棒料碎料过程中的污染。
多晶硅碎料平台方法

[实用新型]太阳能多晶硅面板-CN201720284621.6有效
发明人：王增林 -专利权人：宁夏金海金晶光电产业有限公司
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H02S30/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种太阳能多晶硅面板，设置的若干通孔的柔性石墨密封层能够提高太阳能多晶硅面板的密封性能和多晶硅片的牢固性；多晶硅片嵌入边框内，能够提高太阳能多晶硅面板的防碰撞强度，避免太阳能多晶硅面板在发生碰撞的情况下多晶硅片发生角崩和角裂的问题，有效提高太阳能多晶硅面板的使用寿命，满足市场需求。
太阳能多晶面板

[发明专利]利用离子植入方法制作混合电路元件电容器的方法-CN02105962.4有效
发明人：刘建宏;黄守伟;潘锡树 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-04-10 - 公布日： 2003-10-22 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：此方法先在已形成隔离区的硅基底上形成一层多晶硅层，接着对多晶硅层进行一离子植入步骤，将氧离子植入多晶硅层中的设定深度，随后进行回火步骤，使植入多晶硅层的氧离子与硅离子产生反应，而于多晶硅层中形成一层氧化硅层最后，定义氧化硅层与多晶硅层，使氧化硅层上的多晶硅层作为电容器上电极与氧化硅层下的多晶硅层作为电容器下电极，以完成混合电路元件的电容器。
利用离子植入方法制作混合电路元件电容器

[发明专利]一种多晶硅电阻-CN202111487430.7在审
发明人：李定;杜帅;储宜兴 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种多晶硅电阻，用于降低多晶硅电阻的电压系数。其中，本申请实施例提供一种多晶硅电阻，包括：多晶硅层、电压模块和衬底层，所述电压模块，用于将所述多晶硅层上的电压传递给所述衬底层。
一种多晶电阻

[发明专利]一种多晶硅电阻-CN201810380599.4有效
发明人：李定;杜帅;储宜兴 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种多晶硅电阻，用于降低多晶硅电阻的电压系数。其中，本申请实施例提供一种多晶硅电阻，包括：多晶硅层、电压模块和衬底层，所述电压模块，用于将所述多晶硅层上的电压传递给所述衬底层。
一种多晶电阻

[发明专利]SGT-MOSFET半导体器件的制备方法-CN202011302570.8在审
发明人：楼颖颖;李铁生 -专利权人：旭矽半导体（上海）有限公司;龙腾半导体股份有限公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种SGT‑MOSFET半导体器件的制备方法，在第二沟槽区的侧壁和底部形成多晶硅层，所述多晶硅层包括位于所述第二沟槽区侧壁的第一介质层表面的侧壁多晶硅层，以及位于所述第一氧化层表面的底面多晶硅层，所述底面多晶硅层的厚度厚于所述侧壁多晶硅层的厚度；氧化所述侧壁多晶硅层和所述底面多晶硅层，直至所述侧壁多晶硅层全部氧化成初始第二氧化层，所述底面多晶硅层部分氧化成所述初始第二氧化层；去除所述初始第二氧化层以及位于所述第二沟槽区的侧壁的第一介质层，直至暴露出所述第一氧化层上的剩余的底面多晶硅层；氧化所述剩余的底面多晶硅层，在所述第一氧化层上形成第二氧化层，从而避免出现第一氧化层过薄。
sgt mosfet 半导体器件制备方法

[发明专利]一种双控制栅半浮栅晶体管及其制备方法-CN202110115619.7在审
发明人：刘珩;杨志刚;冷江华;关天鹏 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种双控制栅半浮栅晶体管及其制备方法，位于衬底上设有U型槽的浅掺杂阱区；浮栅氧化层的一部分覆盖U型槽侧壁和底部，另一部分覆盖U型槽一侧的浅掺杂阱区上，并覆盖浅掺杂阱区上的浮栅氧化层设有将浅掺杂阱区上表面暴露的开口；浮栅多晶硅层填充于U型槽并覆盖浮栅氧化层；多晶硅控制栅叠层包括位于浮栅多晶硅层上的多晶硅控制栅氧化层及位于多晶硅控制栅氧化层上的多晶硅控制栅多晶硅层；金属控制栅叠层包括高K介质层和金属栅；金属控制栅叠层连续地覆盖在部分多晶硅控制栅多晶硅层和浅掺杂阱区之上；金属栅上表面高于多晶硅控制栅多晶硅层上表面；形成于金属栅侧壁及浮栅叠层、多晶硅控制栅叠层外侧的侧壁。
一种控制栅半浮栅晶体管及其制备方法

[发明专利]一种多晶硅薄膜晶体管的制备方法-CN201410171565.6有效
发明人：姜晓辉;张家祥 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2014-04-25 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种多晶硅薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，涉及显示技术领域，可使轻掺杂区的长度一致，从而避免漏电流过大的问题。薄膜晶体管包括在衬底基板上形成有源层、栅绝缘层、栅电极、源电极和漏电极；有源层包括第一多晶硅区、位于第一多晶硅区两侧的轻掺杂区、位于轻掺杂区一侧的重掺杂区；所述方法还包括通过干法刻蚀，在栅电极和栅绝缘层之间形成阻挡层，阻挡层与第一多晶硅区对应；其中，形成有源层的轻掺杂区包括在衬底基板上形成多晶硅层，包括第一多晶硅区、位于第一多晶硅区两侧的第二多晶硅区、位于第二多晶硅区一侧的第三多晶硅区；以覆盖第一多晶硅区的阻挡层为掩膜，对第二多晶硅区进行掺杂，形成轻掺杂区。
一种多晶薄膜晶体管制备方法

[发明专利]在器件的掺杂多晶硅沟槽上形成钛化硅层的方法-CN200910046709.4有效
发明人：汪铭;韩轶男;贺吉伟 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-02-26 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：一种在器件的掺杂多晶硅沟槽上形成钛化硅层的方法：在器件衬底依次沉积垫氧化膜、非掺杂多晶硅层及氮化硅层；根据图案化的氮化硅层，依次刻蚀氮化硅层、非掺杂多晶硅层、垫氧化膜及器件衬底，形成掺杂多晶硅沟槽；在掺杂多晶硅沟槽内沉积氧化硅层后，沉积掺杂多晶硅柱并刻蚀至垫氧化膜，在掺杂多晶硅沟槽内进行热氧化，氧化非掺杂多晶硅层侧壁，得到作为氧化硅侧墙的氧化膜；干法刻蚀掺杂多晶硅柱上的氧化膜后，依次刻蚀掺杂多晶硅沟槽上的氮化硅层、非掺杂多晶硅层、垫氧化膜及掺杂多晶硅柱上的氧化膜，沉积钛Ti并采用快速退火处理，形成TiSi2层。
器件掺杂多晶沟槽形成钛化硅层方法

[发明专利]一种多晶硅颗粒制备系统及制备方法-CN201310086173.5有效
发明人：李波;宫有圣;汤川·理查德 -专利权人：浙江精功新材料技术有限公司
申请日： 2013-03-19 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅颗粒制备系统，解决了现有技术的多晶硅颗粒易在流化床反应器内壁沉积，制得的多晶硅颗粒粒径不均匀，多晶硅晶种利用率低，多晶硅细粉损失率大的问题，其包括倾斜设置的旋转式流化床、一级旋风分离器、二级旋风分离器、载气过滤器、物料预热储罐及尾气缓冲罐，旋转式流化床中间的反应筒体部分可相对两端的封头转动，且旋转式流化床中设置有折流挡板，本发明能有效抑制多晶硅颗粒易在流化床反应器内壁沉积，提高多晶硅晶种利用率，降低多晶硅细粉损失率。本发明还公开了一种多晶硅颗粒制备方法，该制备方法工艺过程稳定，操作连续性好，多晶硅晶种利用率高，多晶硅生产效率高，且得到的多晶硅颗粒粒径均匀。
一种多晶颗粒制备系统方法

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN201410235131.8有效
发明人：王新鹏 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L27/11517 文献下载
摘要：一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，包括存储区域和逻辑区域；在存储区域上形成若干第一多晶硅层；形成覆盖第一多晶硅层的控制栅介质材料层；形成覆盖控制栅介质材料层和逻辑区域的第二多晶硅层；刻蚀部分第二多晶硅层和控制栅介质材料层，形成暴露出第一多晶硅层顶部部分表面的第二开口；形成覆盖第二多晶硅层的第三多晶硅层；刻蚀存储区域的部分第三多晶硅层、第二多晶硅层、控制栅介质材料层和第一多晶硅层，形成闪存器件的选择栅，浮栅和位于浮栅上的控制栅；形成覆盖选择栅、控制栅的保护层；在保护层上形成光刻胶层；刻蚀逻辑区域的第三多晶硅层和第二多晶硅层，形成逻辑晶体管的栅极。
多晶硅层控制栅介质材料层存储区域逻辑区域选择栅刻蚀半导体器件覆盖保护层浮栅逻辑晶体管光刻胶层闪存器件凹陷衬底半导体开口暴露

[发明专利]集成电路中的单元布局-CN201610207915.9有效
发明人：杨任航 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2016-04-06 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：根据本发明的集成电路中的单元布局，此单元布局含有第一单元，其包含了多条沿着第一方向延伸的第一多晶硅线，其中该多条第一多晶硅线具有一致的第一多晶硅节距与第一多晶硅宽度，此外还含有第二单元，其包含了多条沿着第一方向延伸的第二多晶硅线，其中多条第二多晶硅线具有一致的第二多晶硅节距与第二多晶硅宽度，第二多晶硅节距小于第一多晶硅节距，另包含与第一单元邻接的边界单元，边界单元含有沿着该第一方向延伸的n条第一虚设多晶硅线和m条第二虚设多晶硅线
集成电路中的单元布局

[发明专利]低温多晶硅薄膜的制备方法、制备设备及低温多晶硅薄膜-CN201410631331.5在审
发明人：张隆贤;余威 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2014-11-11 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明提供一种低温多晶硅薄膜的制备方法、低温多晶硅薄膜的制备装置及低温多晶硅薄膜。所述低温多晶硅薄膜的制备方法包括：提供一基板；形成一层非晶硅薄膜；用准分子镭射技术对所述非晶硅薄膜的不同区域分别施加不同的温度，使所述非晶硅薄膜变为熔融状态；所述非晶硅薄膜自温度较低的区域为起点向温度较高的区域结晶，以形成所述低温多晶硅薄膜。本发明提供的低温多晶硅薄膜的制备方法及低温多晶硅薄膜的制备装置制备出的低温多晶硅薄膜具有较大的晶粒及较高的电子迁移率。
低温多晶薄膜制备方法设备