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[发明专利]消除多晶硅残留的方法-CN201610307725.4有效
发明人：吴继科;王立斌;曹秀亮 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-05-11 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供了一种消除多晶硅残留的方法，包括：在衬底中形成沟槽，并且在衬底表面以及沟槽底部及侧壁上形成氧化物层；沉积多晶硅层，而且所述多晶硅层填充了沟槽；对所述多晶硅层进行化学机械研磨处理以形成减薄的多晶硅层；执行预清洗以清洗硅片表面；对硅片进行退火，使得所述多晶硅层表面氧化生成二氧化硅层；去除所述多晶硅层表面的二氧化硅层；去除硅片表面剩余的多晶硅，仅剩下沟槽内的全部或部分多晶硅。
消除多晶残留方法

[发明专利]一种栅极结构的制备方法-CN201710766388.X在审
发明人：陆连;孟祥国;李全波 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种栅极结构的制备方法，包括提供一基板，并于基板上形成一复合结构；刻蚀第一多晶硅层和第二多晶硅层的暴露出的上表面一预设厚度；于第一多晶硅层和第二多晶硅层刻蚀后暴露出的上表面及侧壁上覆盖一防护层；刻蚀覆盖有防护层的第一多晶硅层和第二多晶硅层的上表面以将第一多晶硅层和第二多晶硅层的连接隔断，形成相互独立的一第一栅极和一第二栅极；能够对栅极结构的多晶硅暴露的表面进行保护，从而避免多晶硅掺杂类型不同在多晶硅表面产生过刻蚀的缺陷
一种栅极结构制备方法

[发明专利]多晶硅薄膜成膜方法-CN202010423940.7在审
发明人：袁宿陵 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅薄膜成膜方法，首先在要形成多晶硅薄膜的介质层上，先通过低工艺温度形成第一层多晶硅薄膜；然后在第一层多晶硅薄膜上，逐渐升温，提高到更高的工艺温度，在升温的过程中形成第二层多晶硅薄膜；本发明所述的多晶硅薄膜的工艺方法，主要是通过在多晶硅沉积过程中增加温度变化，首先形成半球形晶粒的多晶硅薄膜，然后再边升温边淀积剩余膜厚的多晶硅薄膜，减少炉管内的多晶硅晶格大小差异，得到一种均匀性更好的多晶硅膜层
多晶薄膜方法

[发明专利]一种沟槽栅IGBT芯片-CN201410421724.3有效
发明人：刘国友;覃荣震;黄建伟 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2014-08-25 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种沟槽栅IGBT芯片，包括位于衬底表面上方的第二多晶硅层和栅极区，所述衬底与所述第二多晶硅层之间通过绝缘层隔离；其中，所述第二多晶硅层包括第一多晶硅子层和第二多晶硅子层；所述第一多晶硅子层用于将常规栅极对应的沟槽内的第一多晶硅层引出到衬底表面；所述第一多晶硅子层还用于实现所述第二多晶硅子层与栅极区连接；所述第二多晶硅子层用于根据预设条件选择性地将虚栅极对应沟槽内的第一多晶硅层引出到衬底表面。
一种沟槽 igbt 芯片

[发明专利]多晶硅电阻及其制作方法-CN200810043985.0有效
发明人：陈华伦;熊涛;陈瑜;陈雄斌;罗啸 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2008-11-24 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L29/86 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅电阻，包括双层多晶硅，两层多晶硅上下分布，两层多晶硅之间设有绝缘层；两层多晶硅之间通过接触孔与第一层金属线相连。所述绝缘层是氧化硅、氮化硅或氧化硅与氮化硅的结合。本发明利用双层多晶硅将一个平面的多晶硅电阻变成上下双层的立体结构，上下两层多晶硅之间利用一层绝缘层进行隔离，并且上下两层的多晶硅通过接触孔与第一层金属线相连，这样大约能够缩减50％的芯片占用面积，大大节省了成本，在制作大的多晶硅电阻时，这样的结构更具优势。本发明还公开了该多晶硅电阻的制作方法。
多晶电阻及其制作方法

[发明专利]半导体存储器的制造方法-CN200910052647.8有效
发明人：张翼英;洪中山;王友臻;周儒领 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-06-05 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明涉及半导体存储器的制造方法，包括步骤：在半导体衬底上形成栅极；在所述半导体衬底上沉积多晶硅层，所述多晶硅层的顶面距离所述半导体衬底的最小高度小于所述栅极的高度，而所述多晶硅层的顶面距离半导体衬底的最大高度大于所述栅极的高度，从而所述多晶硅层形成高低起伏；在所述多晶硅层之上形成至少填充所述多晶硅层凹陷的有机物层；刻蚀所述有机物层和所述多晶硅层至所述多晶硅层的顶面距离所述半导体衬底的最大高度小于所述栅极的高度；去除剩余的有机物层与现有技术相比，本发明用有机物层填充多晶硅层凹槽，从而避免产生多晶硅颗粒以及化学机械研磨的泥浆颗粒陷入字线多晶硅层的凹陷处。
半导体存储器制造方法

[发明专利]一种集成电路晶片结构及其制造方法-CN200810007232.4有效
发明人：李秋德 -专利权人：和舰科技（苏州）有限公司
申请日： 2008-02-19 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成电路晶片结构及其制造方法，该制造方法包括以下步骤：步骤1，在基底上沉积第一多晶硅层和第二多晶硅层；步骤2，在第二多晶硅层和/或第一多晶硅层上涂覆光阻并对光阻进行蚀刻；步骤3，对第一多晶硅层和第二多晶硅层进行蚀刻，去除光阻、部分第一多晶硅层和部分第二多晶硅层；步骤4，沉积SIN衬垫，而后对SIN衬垫进行大面积蚀刻，使衬垫沿多晶硅残留最小；步骤5，对多晶硅残留进行氧化。本发明的有益效果在于，通过该方法，增加了一个沉积SIN衬垫的步骤，对多晶硅残留物进行处理，使其经氧化后不会对后续的过程产生不利影响。
一种集成电路晶片结构及其制造方法

[发明专利]一种低温多晶硅基板及其制作方法、阵列基板-CN201910199665.2有效
发明人：赵永亮;许卓;崔星花 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供了一种低温多晶硅基板及其制作方法、阵列基板，涉及显示技术领域，本发明通过在衬底上形成遮光层薄膜，在遮光层薄膜上形成多晶硅薄膜，通过一次构图工艺对遮光层薄膜和多晶硅薄膜进行图案化处理，以得到遮光层和多晶硅层，多晶硅层在遮光层上的正投影位于遮光层所在的区域内。通过形成在衬底上的遮光层实现遮光效果的同时，代替现有低温多晶硅基板中的缓冲层，在对遮光层薄膜和多晶硅薄膜进行图案化处理时，只需采用一次构图工艺就可得到遮光层和多晶硅层，简化了整个低温多晶硅基板的制作工艺，同时也减小了低温多晶硅基板的厚度，从而可降低低温多晶硅基板的制作成本。
一种低温多晶硅基板及其制作方法阵列

[发明专利]一种多晶硅薄膜制作方法-CN201810923670.9有效
发明人：曾煌 -专利权人：上海和辉光电股份有限公司
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种多晶硅薄膜制作方法，多晶硅薄膜制作方法包括提供第一衬底且所述第一衬底的耐温温度大于等于600℃；在所述第一衬底上形成多晶硅薄膜；将形成的所述多晶硅薄膜转移至玻璃衬底上。本发明的技术方案，在耐温温度较高的第一衬底上先形成多晶硅薄膜再将形成的多晶硅薄膜转移至玻璃衬底，避免了玻璃衬底的耐温性使得多晶硅薄膜的制作过程受到限制的问题，且相对于现有技术采用的激光镭射工艺使得多晶硅薄膜的晶粒能够达到更大尺寸，晶粒尺寸大的多晶硅薄膜晶界缺陷较少，提高了形成的多晶硅薄膜的成膜质量以及多晶硅薄膜的电学可靠性。
一种多晶薄膜制作方法

[实用新型]一种多层多晶硅电池片-CN201821156385.0有效
发明人：王惜华 -专利权人：东莞市汇海鸿电子制品有限公司
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： H01L31/054 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多层多晶硅电池片，包括主栅、副栅和若干多晶硅电池片本体，所述多晶硅电池片本体为纵向截面呈圆形，所述若干多晶硅电池片本体水平设置与竖直布置，相邻两个所述多晶硅电池片本体外切，所述多晶硅电池片本体相切处设置有焊带，所述多晶硅电池片本体为叠层结构，且从上到下依次为氮氧化硅层、二氧化硅层和多晶硅基体，所述多晶硅电池片本体的外表面覆有一层减反射膜，所述多晶硅电池片本体内部设置有反射板，所述反射板拐角设置有反射折角，所述反射板表面设置有反射层本实用新型有效的提高多晶硅电池片本体吸能效率，增加吸收。
多晶硅电池片本实用新型反射板多层氮氧化硅层多晶硅基体二氧化硅层反射板表面从上到下叠层结构拐角设置减反射膜内部设置竖直布置水平设置纵向截面反射层反射副栅焊带外切吸能相切折角主栅吸收

[发明专利]低温多晶硅薄膜及其制备方法、低温多晶硅薄膜晶体管-CN201410524654.4有效
发明人：葛泳;刘玉成;朱涛;顾维杰 -专利权人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司
申请日： 2014-10-08 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种低温多晶硅薄膜及其制备方法、低温多晶硅薄膜晶体管，所述低温多晶硅薄膜的制备方法包括在基板的第一缓冲层上沉积第一非晶硅层，并对所述第一非晶硅层进行准分子激光退火，形成第一多晶硅膜层；在所述第一多晶硅膜层上沉积第二非晶硅层，并对所述第二非晶硅层进行准分子激光退火，形成第二多晶硅膜层。上述低温多晶硅薄膜及其制备方法，能够使多晶硅表面凸起高度降低，多晶硅晶粒分布更均匀，且在整个制备过程中不引入其它物质。
低温多晶薄膜及其制备方法薄膜晶体管

[发明专利]形成多晶硅电阻的方法及半导体器件-CN201410392176.6有效
发明人：夏禹;刘丽丽 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-08-11 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种形成多晶硅电阻的方法及半导体器件。其中，该方法包括：在半导体基体上形成多晶硅层；在多晶硅层的表面上形成含硅介质薄膜，以使硅原子扩散至多晶硅层中并形成多晶硅电阻。该方法可以通过调节形成含硅介质薄膜的工艺参数，从而精确控制所形成多晶硅电阻的电阻率。同时，该方法仅通过形成含硅介质薄膜的这一步骤即可形成多晶硅电阻，因此该方法能够快速的调整所有多晶硅电阻的电阻率，且简便需要易行，可应用于所有需要用到多晶硅电阻的生产工艺中。
多晶硅电阻多晶硅层硅介质薄膜半导体器件电阻率半导体基体硅原子生产工艺扩散申请应用

[发明专利]双极晶体管的制作方法-CN201711397387.9有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：浙江昌新生物纤维股份有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：所述制作方法在形成发射极多晶硅时，包括以下步骤：在所述基区浅结上、所述氧化硅层上、所述氧化层上及所述隔离侧墙上形成第二多晶硅层；对所述第二多晶硅层做离子注入，在所述第二多晶硅层上形成第三多晶硅层，对所述第三多晶硅层做离子注入，对所述第二及第三多晶硅层进行热退火，将所述第二及第三多晶硅层中的注入离子驱入所述基区浅结；去除所述氧化层上、所述氧化硅层上及所述隔离侧墙上的所述第二及第三多晶硅层，所述位于所述基区浅结上的第二及第三多晶硅层作为发射极多晶硅本发明采用多次淀积多晶硅及注入的方式形成发射极多晶硅，解决当前工艺由于多晶发射极尺寸过小，导致基极‑发射极短路问题。
双极晶体管制作方法

[发明专利]太阳能电池的制作方法-CN201810089762.1在审
发明人：何川 -专利权人：上海凯世通半导体股份有限公司
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池的制作方法，包括：对N型硅衬底进行双面制绒；在该N型硅衬底正面形成氧化层；在该氧化层上形成非晶硅或多晶硅；对该非晶硅或多晶硅进行选择性含硼元素注入，以在非晶硅或多晶硅的预定区域形成含硼元素掺杂；热处理该N型硅衬底，经含硼元素掺杂的非晶硅或多晶硅形成P型多晶硅，未经含硼元素掺杂的非晶硅或多晶硅形成本征多晶硅；对该N型硅衬底的正面进行碱刻蚀以去除至少部分该本征多晶硅，并保留P型多晶硅。利用简单的离子注入和选择性碱刻蚀工艺在N型太阳能电池正面形成图案化多晶硅层，既能减小多晶硅的吸光效应，又可以减少少子复合对太阳能电池效率的影响。
多晶硅非晶硅硼元素衬底本征多晶硅太阳能电池掺杂的氧化层太阳能电池效率图案化多晶硅层热处理衬底正面刻蚀工艺少子复合吸光效应选择性碱预定区域减小刻蚀制绒去除制作离子掺杂保留

[发明专利]在多晶硅上形成金属硅化物的方法和半导体器件-CN201410049252.3有效
发明人：闻正锋;马万里;赵文魁;黄杰 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-02-12 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种在多晶硅上形成金属硅化物的方法和一种金属氧化物半导体器件，其中，在多晶硅上形成金属硅化物的方法包括在硅半导体外延层上生长栅氧化层，并在栅氧化层上沉积多晶硅层；在多晶硅层上形成作为栅极的多晶硅线条；在多晶硅层上沉积第一氧化层；刻蚀第一氧化层，在多晶硅线条的侧壁上形成侧墙；在多晶硅线条上制作需覆盖金属硅化物的多晶硅裸露区域；沉积金属层，对金属层进行热处理，在多晶硅裸露区域上生成金属硅化物；去除未生成金属硅化物的金属本发明通过在多晶硅层上沉积第一氧化层，刻蚀第一氧化层以在多晶硅的侧壁形成侧墙，使得即使光刻对偏，也不会在多晶硅两边有源区上形成金属硅化物，避免短路或漏电引起器件失效。
多晶形成金属硅方法半导体器件

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