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[发明专利]多晶硅场板及其制备方法和应用-CN202210747974.0在审
发明人：曲凯;史仁先;鲁艳春 -专利权人：北海惠科半导体科技有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本申请公开了一种多晶硅场板及其制备方法和应用。多晶硅场板包括衬底，在衬底上设有连接区和P+环区；P+环区包括多个隔离岛，每一隔离岛呈框型并结合在衬底表面上，多个隔离岛间隔分布，并依次围合连接区；相邻两隔离岛之间形成框型P+沟道，在P+沟道内填充有复合多晶硅层；复合多晶硅层包括掺杂多晶硅层和与掺杂多晶硅层层叠结合的无掺杂多晶硅层，且掺杂多晶硅层结合在P+沟道的底部，在无掺杂多晶硅层的背离掺杂多晶硅层的表面还含有导电改性层。多晶硅场板电场效应所含的复合多晶硅层导电性能高，具有良好的导通性。含有本申请多晶硅场板的半导体功率器件的可靠性等性能得到了提高。
多晶硅场板及其制备方法应用

[发明专利]一种多晶硅质量控制评价方法及装置-CN202211345920.8在审
发明人：杨帅;侯雨;高静;银波;朱晓明;甘新业;候春霞;王新月;李云鹏 -专利权人：新特能源股份有限公司;新疆新特晶体硅高科技有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶硅质量控制评价方法及装置，涉及多晶硅质量控制技术领域。该方法包括获取多晶硅生产系统的生产参数信息，所述生产参数信息包括一下至少一项：所述多晶硅生产系统在预设时间段内的原料输入量，以及，多晶硅生产过程中所述多晶硅生产系统的过程能力指数、半成品的合格率、杂质粒子数量；根据所述生产参数信息，得到所述多晶硅质量控制的评价结果。本发明的方案，根据多晶硅生产系统的生产参数信息，从多晶硅生产的各个流程对多晶硅的质量控制进行评价，提升了多晶硅生产系统的稳定性。解决了多晶硅的质量控制主要集中于冷氢化工序以及原料工序等物料及气系统进行生产的优化控制，对多晶硅的质量控制不完善且不稳定的问题。
一种多晶质量控制评价方法装置

[发明专利]深沟槽器件的栅极多晶硅的制备方法-CN201210133331.3无效
发明人：杨继业;姚亮 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-04-28 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明公开了一种深沟槽器件的栅极多晶硅的制备方法，包括步骤：步骤一、提供一形成有深沟槽和栅氧化层的半导体衬底。步骤二、进行一次以上多晶硅淀积形成第一多晶硅层，该第一多晶硅层的厚度满足使所述深沟槽留有缝隙且不被封口。步骤三、对第一多晶硅层进行退火，使第一多晶硅层的应力进行有效释放。步骤四、进行多晶硅淀积形成第二多晶硅层，由填充于深沟槽中的第一多晶硅层和第二多晶硅层组成栅极多晶硅。本发明能降低衬底的面内应力，改善衬底的翘曲度，从而能避免后续工艺流程中的传送问题。本发明还能保证形成的栅极多晶硅的各分层的多晶硅相互连通为一体，不会影响器件的电性。
深沟器件栅极多晶制备方法

[实用新型]沟槽型功率MOSFET器件-CN201620629808.0有效
发明人：朱袁正;叶鹏;刘晶晶 -专利权人：无锡新洁能股份有限公司
申请日： 2016-06-23 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种沟槽型功率MOSFET器件，其有源区的元胞采用沟槽结构，元胞沟槽内设有绝缘氧化层，元胞沟槽内的第二绝缘栅氧化层的厚度大于第一绝缘栅氧化层的厚度；所述栅极导电多晶硅包括栅极导电多晶硅中部组件以及分别位于栅极导电多晶硅中部组件两侧的栅极导电多晶硅左部组件与栅极导电多晶硅右部组件，栅极导电多晶硅位于源极导电多晶硅的正上方，栅极导电多晶硅左部组件、栅极导电多晶硅右部组件分布位于源极导电多晶硅的两侧，栅极导电多晶硅中部组件在元胞沟槽内的高度不大于栅极导电多晶硅左部组件、栅极导电多晶硅右部组件的高度
沟槽功率 mosfet 器件

[发明专利]由多晶硅炉料制备熔硅熔料的方法-CN96110663.8无效
发明人：约翰·Ｄ·霍尔德 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 1996-07-24 - 公布日： 2002-04-10 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：公开了一种用多晶硅制备熔硅熔料的工艺，该熔硅熔料用于通过切克劳斯基方法生产单晶硅。初始向坩埚中填充多晶硅并加以熔化，形成包含熔硅和未熔化多晶硅的特殊熔化炉料。熔硅具有一个上表面，未熔化多晶硅部分暴露于该上表面之上。以一种方式向暴露的未熔化多晶硅上添加颗粒状多晶硅，该方式足以使颗粒状多晶硅在停留于暴露的未熔化多晶硅的表面期间和在逐渐沉入熔硅之前实现脱氢。然后颗粒状多晶硅和未熔化的多晶硅全部熔化形成熔硅熔料。该方法使生产单晶硅晶锭时的零缺陷成品率、产量和平均热循环时间均得到改善。$#!
多晶炉料制备熔硅熔料方法

[发明专利]一种多晶硅生产的控制方法、系统-CN202011526351.8在审
发明人：王文;范协诚;张兆东;冯留建;赵鹏;张霞飞;谢瑞;宋高杰 -专利权人：新疆新特晶体硅高科技有限公司;新疆硅基新材料创新中心有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开一种多晶硅生产的控制方法，包括：对多晶硅生产设备进行优化控制，以获取优化后的设备参数；根据优化后的设备参数对所述多晶硅生产设备进行改进；对改进后的多晶硅生产设备的多晶硅生产过程进行优化控制，以获取目标多晶硅产品相应的，还公开一种多晶硅生产的控制设备。该控制方法和设备可实现准确控制多晶硅生产的过程，提高产品质量。
一种多晶生产控制方法系统

[发明专利]一种TOPCon电池及其背面金属化处理方法-CN202310279151.4在审
发明人：杜浩江;叶继春;曾俞衡;杨阵海;廖明墩;刘伟;行孟超;王太强 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供一种TOPCon电池及其背面金属化处理方法，TOPCon电池包括晶硅衬底，所述晶硅衬底的背面设有隧穿氧化层，所述隧穿氧化层上依次设第一多晶硅层和第二多晶硅层，所述第一多晶硅层的材质为n型或p型多晶硅薄膜，所述第二多晶硅层的材质为掺杂的改性n型或p型多晶硅薄膜。本发明将第一多晶硅层和第二多晶硅层的双层多晶硅结构作为TOPCon电池的载流子传输层，可以提升多晶硅结构的表面润湿性，且电学与钝化性能良好，从而能提高电镀或化学镀种子层的质量，获得更高的电池效率。
一种 topcon 电池及其背面金属化处理方法

[发明专利]多晶硅场限环-CN201310177855.7有效
发明人：苏少爽 -专利权人：江西创成半导体有限责任公司
申请日： 2013-05-10 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：一种多晶硅场限环，在制作高压器件场限环终端时采用半绝缘多晶硅掺杂替代传统的单晶硅掺杂以改善高压器件的耐压特性。该多晶硅场限环特点在于：制作高压器件场限环终端时采用了半绝缘多晶硅掺杂。该多晶硅场限环的实现要点包括：1)采用半绝缘多晶硅制作高压器件场限环的终端结构；2)制作高压器件场限环中半绝缘多晶硅掺杂的元素及其浓度，所述掺杂的元素包括：为使耐压特性改善在多晶硅中掺加氧、氮、磷等；3)制作高压器件场限环终端时采用了半绝缘多晶硅的制作工艺流程，所述半绝缘多晶硅的制作工艺流程包括刻蚀、多晶硅淀积、及后续的保护层。
多晶硅场限环

[发明专利]一种籽晶铺设方法、多晶硅锭的制备方法和多晶硅锭-CN201910175300.6在审
发明人：徐云飞;毛伟;何亮;雷琦;周成;李建敏 -专利权人：赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种籽晶铺设方法，提供坩埚，在所述坩埚的底部铺设多晶硅层，然后在所述多晶硅层上形成引晶层，所述多晶硅层由若干块多晶硅片拼接而成，所述多晶硅片中的晶粒生长方向与坩埚底部表面平行，所述引晶层的材质包括原生硅纯料碎块，所述多晶硅层和所述引晶层构成籽晶层。该籽晶铺设方法中使用多晶硅层和引晶层组成籽晶层，可以显著减少扩散的各种杂质，大大降低硅锭中金属杂质，显著减少制备得到的多晶硅锭尾部红区。本发明还提供了多晶硅锭的制备方法和多晶硅锭。
多晶硅层多晶硅锭引晶铺设坩埚制备多晶硅片籽晶层种籽碎块晶粒生长方向底部表面金属杂质原生硅纯料硅锭籽晶拼接平行扩散

[发明专利]防止PMOS器件工艺中栅极多晶硅耗尽的方法-CN201210269123.6有效
发明人：陈瑜;罗啸;马斌 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-07-30 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种防止PMOS器件工艺中栅极多晶硅耗尽的方法，包括步骤：进行多晶硅淀积，第一段多晶硅淀积形成栅极多晶硅的底层部分，第二段多晶硅淀积形成栅极多晶硅的顶层部分，第二段多晶硅淀积中通入氧气使顶层部分中同时形成一氧化硅阻挡层；栅极多晶硅生长完成后注入硼离子；在栅极多晶硅的表面形成钨硅层。本发明通过在栅极多晶硅生长过程中使其表面形成一层氧化硅阻挡层，该氧化硅阻挡层能防止后续热过程中硼从栅极多晶硅渗透到钨硅层中，多晶硅生长完成后再进行硼离子注入，这样能有效降低硼在钨硅层中的聚集，从而能有效抑制PMOS器件工艺中栅极多晶硅耗尽的发生，使PMOS器件的阈值电压稳定。
防止 pmos 器件工艺栅极多晶耗尽方法

[发明专利]多晶硅锭冷却间风机的控制方法、装置和系统-CN201810601783.7在审
发明人：黄超;左金胜;孙雷;贾重阳 -专利权人：山东大海新能源发展有限公司
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种多晶硅锭冷却间风机的控制方法、装置及系统，该方法包括如下步骤：采集多晶硅锭冷却间的环境状态信息，其中，环境状态信息至少包括：多晶硅锭冷却间的环境温度、多晶硅锭冷却间的空间大小；基于待降温的多晶硅锭的温度，根据多晶硅锭冷却间的环境状态信息，确定多晶硅锭冷却间内冷却水泵的运行功率；根据冷却水泵的运行功率、待降温的多晶硅锭的温度和多晶硅锭冷却间的环境状态信息，确定多晶硅锭冷却间内冷却风机的运行功率；在检测到冷却水泵运行的情况下，联动控制冷却风机按照确定的多晶硅锭冷却间内冷却风机的运行功率工作。本申请根据多晶硅锭冷却间的环境状态实时调整风机的运行功率，实现了降低能耗的技术效果。
多晶硅锭冷却间运行功率环境状态信息冷却风机冷却水泵风机装置及系统环境状态技术效果联动控制实时调整申请采集检测

[发明专利]分裂栅结构的制造方法-CN201811231545.8在审
发明人：罗泽煌;张文文;许超奇 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种分裂栅结构的制造方法，包括：在晶圆表面形成沟槽；向沟槽内填充多晶硅；以设计厚度在沟槽内的多晶硅表面形成掩膜层；定量刻蚀所述掩膜层，刻蚀掉的厚度至少为所述设计厚度，以使得表面为平面的多晶硅表面裸露、且多晶硅表面凹陷部的掩膜层因厚度大于所述设计厚度而残留并作为形貌调整掩膜；向下刻蚀沟槽内的多晶硅，直至所述形貌调整掩膜从多晶硅上脱离；将脱离的形貌调整掩膜移除，沟槽内的多晶硅作为分裂栅的底层多晶硅。本发明的形貌调整掩膜在刻蚀多晶硅的过程中作为刻蚀的阻挡结构，使得凹陷处多晶硅的刻蚀速度小于其他位置多晶硅的刻蚀速度，从而最终获得表面较为平坦的底层多晶硅。
分裂结构制造方法

[发明专利]多晶硅填充方法、半导体器件制作方法及半导体器件-CN201910785416.1在审
发明人：宋金星;丛茂杰 -专利权人：中芯集成电路制造(绍兴)有限公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶硅填充方法、半导体器件制作方法及半导体器件，多晶硅沉积和多晶硅刻蚀在同一工艺腔中进行，可以避免在从刻蚀工艺腔转移到沉积工艺腔的过程中多晶硅发生自然氧化，进而避免该自然氧化层导致沟槽中前后两次沉积的多晶硅分层的问题；多晶硅沉积和多晶硅刻蚀在同一工艺腔中进行，还可以避免在从沉积工艺腔转移至刻蚀工艺腔的过程中多晶硅发生自然氧化，进而避免该自然氧化层导致的刻蚀不良问题。且采用含氟的气体刻蚀多晶硅，能使得刻蚀多晶硅后的产物为气体，避免沟槽中积聚不必要的刻蚀副产物而影响下次多晶硅沉积等后续工艺的效果，并避免前后两次沉积的多晶硅出现分层的问题。
多晶硅多晶硅沉积刻蚀半导体器件刻蚀多晶硅自然氧化层刻蚀工艺两次沉积同一工艺自然氧化工艺腔分层沉积多晶硅填充刻蚀副产物不良问题后续工艺含氟积聚制作

[发明专利]半导体器件及制备方法-CN202310636908.0在审
发明人：蔡超迁;卓红标;刘春玲 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及制备方法，包括：在基底的表面均形成多晶硅层；对高阻多晶硅电阻区域的多晶硅层进行离子注入；在高阻多晶硅电阻区域的多晶硅层的表面形成保护层；在栅极电阻区域的多晶硅层的表面形成金属层；使用图案化的光刻胶作为掩膜，刻蚀金属层、栅极电阻区域的多晶硅层、保护层和高阻多晶硅电阻区域的多晶硅层，露出部分基底的表面，以分别形成栅极电阻、位于栅极电阻的表面的金属层、高阻多晶硅电阻以及位于高阻多晶硅电阻的表面的保护层本发明保护了高阻多晶硅电阻不被清洗剂的离子污染，进而保证了半导体器件的阻值精度。
半导体器件制备方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板的制造方法-CN200810186827.0有效
发明人：萧富元;温佑良 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2006-08-25 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：利用一第一半调式光掩膜在多晶硅层上形成一第一图案化光阻层；以第一图案化光阻层为掩膜移除部分多晶硅层，以形成多个第一多晶硅岛状物、多个第二多晶硅岛状物与多个第三多晶硅岛状物，其中第一多晶硅岛状物与第二多晶硅岛状物位于周边区上，且第三多晶硅岛状物位于数组区上；移除第二多晶硅岛状物与第三多晶硅岛状物上方的第一图案化光阻层；进行一沟道掺杂工艺，以于第二多晶硅岛状物与第三多晶硅岛状物内注入离子；移除第一图案化光阻层。
薄膜晶体管阵列制造方法