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[发明专利]一种三氯氢硅的制备方法及制备装置-CN202110404851.2有效
发明人：武珠峰;刘兴平;银波;范协诚;宋高杰 -专利权人：新疆硅基新材料创新中心有限公司;新特能源股份有限公司
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开一种三氯氢硅的制备方法，包括：以硅粉和氯化氢为原料，使硅粉和氯化氢在流化床反应器中进行合成反应生成三氯氢硅，并在所述合成反应过程中通入四氯化硅液作为冷却介质进行冷却，控制反应温度，以减少副产物四氯化硅的生成。本发明还公开一种三氯氢硅的制备装置，包括流化床反应器和冷却机构，流化床反应器用于硅粉和氯化氢进行合成反应；冷却机构包括冷却管束，冷却管束从流化床反应器的上部伸入到流化床反应器内，并沿流化床反应器的反应腔室向下延伸，冷却管束内通有四氯化硅液，其上设有开孔，以将四氯化硅液喷入到流化床的反应腔室内。本发明还公开一种后处理厂系统。本发明能够有效减少副产物四氯化硅的生成，提高三氯氢硅的收率。
一种三氯氢硅制备方法装置

[发明专利]一种尾气排放结构和还原炉-CN202110661114.0有效
发明人：冯留建;吴万里;王文;张霞飞;范协诚;银波;董越杰 -专利权人：新疆硅基新材料创新中心有限公司;新特能源股份有限公司
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本申请公开了一种尾气排放结构和还原炉，尾气排放结构包括：连接体，连接体上设有环形孔，环形孔具有第一开口与第二开口；多个尾气支管的第一端与环形孔的第一开口连通；多个尾气支管的第二端与汇集管连通；尾气母管的一端与汇集管连通。将尾气排放结构应用于还原炉，连接体的第二开口与还原炉底部的排气孔连通，还原炉中的尾气通过排气孔进入环形孔，通过环形孔对尾气进行平衡，环形孔中的气体通过尾气支管进入汇集管，不同尾气支管中的气体流量可以在汇集管进行平衡，然后汇集管中的气体通过尾气母管排出，连接体的高换热面积和汇集管的流量平衡作用，降低了尾气支管内的结硅情况和硅渣清理频次，使得还原炉内的压力、流场、温度场稳定。
一种尾气排放结构还原

[发明专利]一种用于有机硅流化床的进气装置及流化方法-CN202111387545.9有效
发明人：陈国辉;李军;刘兴平;张书涛;李宏强 -专利权人：新疆晶硕新材料有限公司;新特能源股份有限公司
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B01J8/18 文献下载
摘要：本发明提供一种用于有机硅流化床的进气装置及流化方法，所述有机硅流化床的下端为下锥体，所述进气装置包括中部进气管和多个侧壁进气管。在原料气进入流化床反应器之前，原料气中大部分的氯甲烷气体作为喷动气由所述中部进气管进入，剩余小部分作为流化其由所述多个侧壁进气管进入。其中，所述喷动气使所述流化床内的气固混合物产生喷动流化，同时将所述气固混合物吹送到流化床内较高的位置进行反应。所述流化气使得所述流化床内的颗粒正常流化，同时将因重力回落的原料再次吹送至中心。本发明中硅粉不会在所述流化床内停留、堆积，解决了现有技术中硅粉在气体分布器上形成死区的问题，从而保证了流化床的正常反应。
一种用于有机硅流化床装置流化方法

[发明专利]生产多晶硅的控制方法及控制系统-CN202210759614.2有效
发明人：吕海花;李大伟;李伟;邵雅雅;王旭;张福川 -专利权人： 新特能源股份有限公司;新疆新特晶体硅高科技有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型的生产多晶硅的控制方法及控制系统，该方法包括以下步骤：将三氯氢硅原料、氢气通入还原炉内，进行氢还原反应，生成多晶硅，三氯氢硅原料为含有二氯二氢硅、四氯化硅的三氯氢硅原料，其中，在硅棒的不同预设的生长阶段，向还原炉内通入具有不同预设含量二氯二氢硅、四氯化硅的三氯氢硅原料，控制硅棒上的多晶硅沉积速度、雾化现象。本发明通过研究还原炉内的硅棒在不同生长阶段的运行特点，在不同的生长阶段通入含有不同预设含量二氯二氢硅和四氯化硅的三氯氢硅原料，与氢气发生氢还原反应，以达到还原炉全程高速生产的目的，既提高多晶硅的沉积速度，避免硅棒生长较脆，容易倒炉；又能保证多晶硅外观质量，减少雾化现象。
生产多晶控制方法控制系统

[发明专利]一种去除含碳杂质的方法和装置、以及多晶硅生产系统-CN202210920619.9有效
发明人：李聚安;蔡云和;胡启红;詹丽;马永露;王廷海;郭洪星 -专利权人： 新特能源股份有限公司
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开一种去除含碳杂质的方法，包括：对含有三氯氢硅、甲基氯硅烷的物料进行物理吸附处理，吸附分离出含碳杂质甲基氯硅烷，得到三氯氢硅和含有碳杂质甲基氯硅烷、三氯氢硅的吸附物；对所述吸附物进行脱附处理，得到再生料；将所述再生料中的碳杂质甲基氯硅烷中的甲基二氯硅烷转化为甲基三氯硅烷，得到混合料；对混合料进行精馏分离，分离出混合料中的碳杂质甲基氯硅烷，得到三氯氢硅。本发明还公开一种去除含碳杂质的装置、以及多晶硅生产系统。本发明能够深度分离三氯氢硅与甲基氯硅烷，去除含碳杂质，可用于处理多晶硅生产中的精馏排残物料，对精馏排残物料回收再利用，降低硅耗率，避免碳杂质在多晶硅生产系统中富集，确保多晶硅品质。
一种去除杂质方法装置以及多晶生产系统

[实用新型]冷氢化中氯硅烷的回收装置-CN202321717279.6有效
发明人：李瑞刚;刘丹丹;刘建海;刘佳;侯素娟;蔡云和;王东;王燕飞 -专利权人： 新特能源股份有限公司;新疆新特晶体硅高科技有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B01D36/04 文献下载
摘要：本实用新型公开一种冷氢化中氯硅烷的回收装置，包括：除渣装置，除渣装置包括第一搅拌罐、第一干燥机、过滤器与缓冲罐，第一搅拌罐的出渣口设置于第一搅拌罐的底部，第一搅拌罐的出液口设置于第一搅拌罐的顶部，出渣口与第一干燥机的进料口连通，出液口与过滤器的进料口连通；过滤器的出渣口与第一搅拌罐的进料口连通，过滤器的出液口与缓冲罐连通，第一干燥机的第一出料口与缓冲罐连通，第一干燥机的第二出料口用于出渣；缓冲罐与分离塔的进料口连通，分离塔的顶部出口与脱轻塔的进料口连通，分离塔的塔釜出口与第二搅拌罐连通；第二搅拌罐的出渣口与第二干燥机的进料口连通。回收装置可以回收氯硅烷，减少氯硅烷的浪费。
氢化硅烷回收装置

[发明专利]一种制备三氯氢硅的装置及方法-CN202310802961.3在审
发明人：齐元红;赵鹏;相文强;李新婷;关鹏羽;刘建海;王伟;刘兴平 -专利权人： 新特能源股份有限公司;新疆新特晶体硅高科技有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B01J19/00 文献下载
摘要：本发明提供一种制备三氯氢硅的装置及方法，所述装置包括：三氯氢硅合成系统、干法除尘系统、湿法除尘系统、脱重提纯系统和渣浆处理系统；所述三氯氢硅合成系统包括三氯氢硅反应器；所述干法除尘系统中包括旋风分离器；所述湿法除尘系统中包括淋洗塔、再沸器、换热器和第一冷凝器；所述脱重提纯系统中包括脱重塔和碳吸附塔。本发明的装置结合了整个多晶硅行业的气力输送硅粉方式，将利用换热器冷凝混合气作为淋洗的液相的节能技术、三氯氢硅和四氯氢硅组分双向采出的节能手段、渣浆浓缩回收的技术相结合，达到整个系统的有效资源整合，充分地实现低能耗、循环再利用的技术效果，打造出一套可以自行运行，自我补偿的高纯三氯氢硅生产系统。
一种制备三氯氢硅装置方法

[发明专利]络合剂、制备方法和三氯氢硅的除杂方法-CN202310901407.0在审
发明人：刘兴平;葛远升;吕学谦;闵中龙;曹红霞 -专利权人： 新特能源股份有限公司;新疆新特晶体硅高科技有限公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C07C323/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种络合剂、制备方法和三氯氢硅的除杂方法，所述络合剂的结构式为结构式(1)。在除杂过程中，向三氯氢硅中加入络合剂，使得络合剂与金属杂质进行络合，络合剂与金属杂质形成化学性质稳定的络合物，可以形成含有不挥发的金属络合物的混合体系，可以再通过精馏分离提纯三氯氢硅。络合剂与金属的选择性更高，结合能力更强，不会引入新的金属污染，可以高效去除三氯氢硅中的金属杂质，处理后的三氯氢硅纯度高，处理工艺简单，易于操作。
络合制备方法三氯氢硅

[发明专利]还原炉控制方法、装置、电子设备及可读存储介质-CN202310818476.5在审
发明人：王文;刘兴平;张兆东;仝少超;罗云;马东;陈娜娜;荣景豪 -专利权人： 新特能源股份有限公司;新特硅基新材料有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： F27D19/00 文献下载
摘要：本申请实施例提供的一种还原炉控制方法、装置、电子设备及可读存储介质，通过基于还原炉的雾化因子、速率因子、质量因子和成本因子来调节还原炉的氯硅烷流量、氯硅烷与氢气的流量比例和温度，又因为雾化因子、速率因子、质量因子和成本因子是基于还原炉的多个监测值确定的，因此相比基于单个监测值来调节还原炉，具有更可靠的调节依据，从而提高输入还原炉的氯硅烷流量、氯硅烷与氢气的流量比例和温度的调节准确度。
还原控制方法装置电子设备可读存储介质

[发明专利]二甲基二氯硅烷水解产物的处理方法和装置-CN202111341156.2有效
发明人：陈国辉;陆家兴;余洋;杜鹃;高军锋 -专利权人：新疆晶硕新材料有限公司;新特能源股份有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C07F7/21 文献下载
摘要：本发明公开了一种二甲基二氯硅烷水解产物的处理方法和装置，方法包括：将二甲基二氯硅烷与浓盐酸进行水解反应，得到水解产物；将水解产物进行相分离，得到第一水解物；将第一水解物在酸性条件下进行反应，得到第二水解物；对第二水解物进行除水和氯化氢，得到第三水解物；利用溶剂对第三水解物进行洗涤，得到第一混合物；将第一混合物加入至具有硅氧烷的高沸物中进行反应。在处理方法中，将第一水解物在酸性条件下反应可降低D3的含量，降低D3的累积结晶，将第一混合物加入至高环体中在酸性条件下进行反应可使D3与硅氧烷反应，使得D3与硅氧烷生成所需要的D4，即利用了D3又利用了有机硅生产中的高环体。
甲基硅烷水解产物处理方法装置

[实用新型]三氯氢硅提纯装置-CN202321556527.3有效
发明人：杨昊;刘兴平;苏国良;黄金锋;潘从伟;徐迪 -专利权人： 新特能源股份有限公司;新疆新特晶体硅高科技有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本实用新型公开一种三氯氢硅提纯装置，包括：一级精馏塔，一级精馏塔的塔底具有第一底出口与第一底进口，一级精馏塔的顶部具有第一顶出口和回流口；第一再沸器的进料口与第一底出口连通，第一再沸器的出料口与第一底进口连通；二级精馏塔的塔底具有第二底出口与第二底进口，二级精馏塔的顶部具有第二顶出口；第二再沸器的进料口与第二底出口连通，第二再沸器的出料口与第二底进口连通；热泵装置的进口与第一顶出口连通，热泵装置的出口与第二再沸器的流体进口连通；吸附装置的进口与第二再沸器的流体出口连通，吸附装置的出口与二级精馏塔的进料口连通。通过提纯装置可以降低能耗，有效提高三氯氢硅的纯度。
三氯氢硅提纯装置

[发明专利]员工培训方法、系统、电子设备及存储介质-CN202310906649.9在审
发明人：陈敬文;谢倩倩;陈学瑞;韩岩;呼维军;陈国辉;李朋;郝付强 -专利权人：新特硅基新材料有限公司;新特能源股份有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G06Q50/20 文献下载
摘要：本发明提供一种员工培训方法、系统、电子设备及存储介质，其中方法包括：实操培训步骤：若用户已经设定实操培训任务，且被培训员工完成了实操培训任务，获取第一操作数据；虚拟培训步骤：根据当前的原始培训数据构建虚拟工作场景和虚拟培训任务，并获取第二操作数据；校验步骤：根据第一操作数据及第二操作数据，确定被培训员工是否达到预设的培训指标得到校验结果；执行步骤：若校验结果为未达到，采用预先训练的培训预测模型根据第一操作数据及第二操作数据得到训练效能预测结果；并根据训练效能预测结果对原始培训数据进行修正；以修正培训数据作为新的原始培训数据返回实操培训步骤直至达到培训指标。本发明能够实现高培训效率。
员工培训方法系统电子设备存储介质

[发明专利]精馏塔实时控制方法、装置、电子设备及可读存储介质-CN202310756115.2在审
发明人：徐迪;苏国良;黄金锋;潘从伟;杨昊;高霞 -专利权人： 新特能源股份有限公司;新疆新特晶体硅高科技有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： B01D3/32 文献下载
摘要：本申请实施例提供的一种精馏塔实时控制方法、装置、电子设备及可读存储介质，通过获取所述精馏塔当前时刻的特征变量；将所述精馏塔当前时刻的特征变量输入至目标软测量模型中，得到所述精馏塔当前时刻的第一目标变量预估值；计算所述第一目标变量预估值和目标变量预设值之间的目标变化值；根据所述目标变化值，调整所述精馏塔的调节阀的开度。这样，可以通过目标软测量模型，得到第一目标变量预估值，根据第一目标变量预估值与目标变量预设值来调整精馏塔输入，避免了需要对精馏塔的产品中某一物质的含量占比进行检测所需的时间，从而提高对精馏塔的调节阀进行调整的及时性。
精馏塔实时控制方法装置电子设备可读存储介质

[发明专利]一种还原炉生产过程的控制方法和控制装置-CN202310742606.1在审
发明人：张兆东;刘兴平;冯留建;吕海花;罗云 -专利权人： 新特能源股份有限公司;新特硅基新材料有限公司
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本发明公开一种还原炉生产过程的控制方法和控制装置，该控制方法，包括：获取还原炉的雾化累计值和六相电流值。获取所述还原炉的TCS实时流量、氢气实时流量和实时电流。根据所述雾化累计值和所述六相电流值，判断所述还原炉是否存在异常状态。根据所述异常状态的判定结果和所述TCS实时流量、所述氢气实时流量和所述实时电流，对所述还原炉进行控制。本方法通过判断还原炉是否存在异常状态，并根据异常状态对TCS实时流量、氢气实时流量和实时电流的进行及时修正，能够实现对还原炉生产过程中TCS流量、氢气流量和电流的精确控制，进而能够统一产品标准，提高产品品质。
一种还原生产过程控制方法装置

[发明专利]一种三氯氢硅的制备方法-CN202310955390.7在审
发明人：齐元红;刘兴平;侯雨;刘丹丹;相文强;赵鹏;王伟;侯素娟 -专利权人： 新特能源股份有限公司;新疆新特晶体硅高科技有限公司
申请日： 2023-08-01 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明提供一种三氯氢硅的制备方法，所述方法为：氯化氢气体和硅粉不间断加入到流化床反应器中进行反应，其中氯化氢气体的流量在400～750标方/h内、硅粉的进料量在19～290kg/h内进行调控，获得一组使床层压差稳定的氯化氢气体流量和硅粉进料量，在反应过程中保持氯化氢气体的流量和硅粉的进料量不变；在反应过程调控冷却水通水量使得反应温度维持在340～350℃之间，调控完成后在反应过程中保持冷却水通水量不变。本发明中提供的制备方法能够实现在恒定温度、恒定床层压差下生产三氯氢硅，相较现有技术中采用的集中供料、间断降温的生产方法，能够有效减少副产、提升三氯氢硅的转化率。
一种三氯氢硅制备方法

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