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[实用新型]热-光调制器-CN202320722468.6有效
发明人：邵华;刘恩峰;晋孟佳;冯兴甲;王乾 -专利权人： 北京燕东微电子科技有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本实施例提供一种热‑光调制器，涉及集成光学和光波导技术，目的是为了解决现有的热‑光调制器调节效率低、速度慢、工艺实现难度大的问题。本实用新型的热‑光调制器中，波导加热器以及所述热腔均位于包覆层内，电连接结构的一端与加热器电连接、另一端用于连接外部电路；加热器包括电连通的顶部加热器和两个侧部加热器，顶部加热器位于波导上方，两个侧部加热器分别位于波导两侧；隔热腔位于侧部加热器远离波导的一侧，且隔热腔顶端低于顶部加热器顶端。本实用新型在波导顶部和两侧均布置加热器，热调制速度快、调制效率高；与现有工艺相比，隔热腔在包覆层沉积厚度不超过加热器有效加热距离时进行刻蚀，工艺难度大大降低。
调制器

[发明专利]半导体成膜方法和半导体器件的制造方法-CN202310926905.0在审
发明人：龚丽;邱方林;崔楠;王巧巧;尹秀珍;宋传贵;陶国航 -专利权人： 北京燕东微电子科技有限公司
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本申请实施例涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体成膜方法和半导体器件的制造方法，该半导体成膜方法包括：向放置有待成膜半导体在制品的反应腔室中通入氧源以及由载气携带的硅源，使氧源与硅源反应，在待成膜半导体在制品表面形成氧化硅薄膜，其中反应温度为364‑521℃、反应压力为150‑520torr。该半导体成膜方法，解决了目前沟槽型半导体产品加工过程中化学气相沉积工艺的成膜质量较差的技术问题。
半导体方法半导体器件制造

[发明专利]测试结构及测试方法-CN202310644467.9在审
发明人：代佳;刘恩峰;王乾 -专利权人： 北京燕东微电子科技有限公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开一种测试结构及测试方法。测试结构包括衬底；多个测试金属层，包括穿插设置的蛇形金属线和梳齿状结构；第一至第三测试电极，第一和第二测试电极分别与每个蛇形金属线的第一端和第二端相连，第三测试电极与每个梳齿状结构相连，相应在第一与第二测试电极间形成第一测试支路，第一与第三测试电极间形成第二测试支路，第二与第三测试电极间形成第三测试支路；第一和第二测试电极与每个蛇形金属线的第一和第二端间分别串联有第一和第二预设电阻；不同第一测试支路中的预设电阻的阻值和不同，不同第二测试支路中的第一预设电阻的阻值各不同，不同第三测试支路中的第二预设电阻的阻值各不同。本发明的测试结构成倍的节省了面积和测试次数。
测试结构方法

[实用新型]晶圆-CN202320528773.1有效
发明人：李静怡;朱林迪;常东旭;冯喆;张若男 -专利权人： 北京燕东微电子科技有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶圆，涉及半导体加工技术领域，解决晶圆边缘金属脱落的问题。该晶圆包括：衬底，以及位于衬底上的多层层间介质层，相邻层间介质层之间设有金属布线层，且相邻金属布线层之间通过位于层间介质层中的金属插塞实现电连接，其中，最顶层的层间介质层的面积小于最靠近衬底的层间介质层的面积，且相邻的两层层间介质层中，靠近衬底的层间介质层的面积大于或等于远离衬底的层间介质层的面积，以在多层层间介质层的边缘部分形成台阶结构。本实用新型提供的晶圆，多层层间介质层的边缘形成台阶结构，可以分层释放晶圆的应力，解决了晶圆边缘金属脱落的问题。
晶圆

[实用新型]用于射频LDMOS器件的测试结构和晶圆-CN202320529628.5有效
发明人：邢岳;周源;刘园园 -专利权人： 北京燕东微电子科技有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本申请实施例提供用于射频LDMOS器件的测试结构和晶圆，该测试结构的外延层位于衬底之上，外延层中设有漂移区；栅极介质层位于外延层之上；栅位于栅氧化层之上；法拉第环结构部分覆盖栅，场板结构覆盖漂移区并与法拉第环结构连接为Z字型一体结构；介质层覆盖栅极介质层、栅和法拉第环结构，且法拉第环结构与栅、场板结构和栅极介质层中间由介质层隔开；第一焊盘通过位于介质层中的接触孔与场板结构相连；第二焊盘通过位于介质层中的接触孔与栅相连。采用本申请提供的测试结构能够在线测量射频LDMOS器件的栅源电容，从而有效缩短了产品设计和研发周期，降低了试错成本。
用于射频 ldmos 器件测试结构

[实用新型]用于评价集成电路介质隔离性能的测试结构及晶圆-CN202320327283.5有效
发明人：于江勇;刘恩峰;张小麟;代佳;罗胡瑞;孙楠;郭艳华 -专利权人： 北京燕东微电子科技有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型提供用于评价集成电路介质隔离性能的测试结构及晶圆。测试结构包括衬底、介质层和顶层金属层；衬底与介质层之间设有氧化层，氧化层包括厚氧区、第一和第二薄氧区；第一薄氧区在衬底的表面围成闭合环状；多个第二薄氧区间隔设置于第一薄氧区围成的区域内；衬底内设有第一掺杂区和隔离槽，第一掺杂区位于第二薄氧区下方；隔离槽位于第一薄氧区围成的区域内，并从厚氧区的下方起延伸，隔离槽围成闭合环状，第二薄氧区位于隔离槽围成的区域内；介质层中设有第一导电通路；顶层金属层包括第一压焊部，第一压焊部通过第一导电通路与第一掺杂区电连接。上述测试结构能够在研发及生产过程中对集成电路的隔离性能进行在线测试，不需破坏管芯。
用于评价集成电路介质隔离性能测试结构

[实用新型]晶圆载片装置-CN202320344436.7有效
发明人：靳莹;谢超;孙博;朱大正 -专利权人： 北京燕东微电子科技有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶圆载片装置，涉及半导体加工技术领域，解决加工设备的传感器难以识别超薄晶圆的问题。该晶圆载片装置包括：平行于晶圆容置平面的两个底板、垂直于晶圆容置平面的两个挡板以及多个安装件，其中，两个底板和两个挡板构成晶圆载片装置的壳体，并在壳体上形成有便于晶圆取放的开口；多个安装件相互平行地设置在两个挡板之间，以形成用于容置晶圆的限片槽；安装件包括限片齿和舌板，限片齿设置在挡板的内壁上，舌板连接在相对的两个限片齿中间并向开口方向延伸预设长度；在舌板上设有检测槽口，该检测槽口颜舌板延伸方向贯穿整个舌板以使得传感器信号得以通过。
晶圆载片装置

[发明专利]测试结构及测试方法-CN202310645733.X在审
发明人：代佳;刘恩峰;李静怡 -专利权人： 北京燕东微电子科技有限公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开一种测试结构及测试方法。测试结构包括衬底；多个测试金属层，包括穿插设置的蛇形金属线和梳齿状结构；第一至第三测试电极，第一和第二测试电极分别与每个蛇形金属线的第一端和第二端相连，第三测试电极与每个梳齿状结构相连，使第一与第二测试电极间、第一与第三测试电极间、第二与第三测试电极间分别形成第一至第三测试支路；第一和第二测试电极与每个蛇形金属线的两端之间分别串联有第一和第二预设二极管，不同第一测试支路在相同电压下的电流不同，不同第二测试支路中的第一预设二极管在相同偏置下的导通电流不同，不同第三测试支路中的第二预设二极管在相同偏置下的导通电流不同。该测试结构成倍的节省了所占晶圆面积和测试次数。
测试结构方法

[发明专利]测试结构及测试方法-CN202310645720.2在审
发明人：代佳;刘恩峰;于江勇 -专利权人： 北京燕东微电子科技有限公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种测试结构及测试方法。该测试结构包括衬底；多个测试金属层，每个测试金属层均包括穿插设置的蛇形金属线和梳齿状结构；第一测试电极至第三测试电极，第一和第二测试电极分别与每个蛇形金属线的第一端和第二端相连，第三测试电极与每个梳齿状结构相连，使第一与第二测试电极间、第一与第三测试电极间、第二与第三测试电极间形成第一至第三测试支路；第一和第二测试电极与每个蛇形金属线间还串联有第一和第二预设MOS管；每个第一测试支路在相同测试电压下的电流不同，每个第二测试支路在相同测试电压下的电流不同，每个第三测试支路在相同测试电压下的电流不同。本发明中的测试结构可成倍的节省所占用的晶圆面积和测试次数。
测试结构方法

[实用新型]用于屏蔽栅型MOSFET的测试结构和晶圆-CN202320897320.6有效
发明人：朱林迪;陈丽颖;胡磊;王超;常东旭;李静怡 -专利权人： 北京燕东微电子科技有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于屏蔽栅型MOSFET的测试结构和晶圆，测试结构与屏蔽栅型MOSFET位于同一晶圆中，测试结构包括：至少一个沟槽；位于沟槽中的第一多晶硅层和第二多晶硅层，以及隔离第一多晶硅层和第二多晶硅层的氧化层；第一导电柱，与第一多晶硅层电连接；第二导电柱，与第二多晶硅层电连接；其中，第一多晶硅层为屏蔽栅型MOSFET中屏蔽栅的模拟结构，第二多晶硅层为屏蔽栅型MOSFET中沟道栅的模拟结构；第一多晶硅层、氧化层和第二多晶硅层构成电容结构。该测试结构，通过第一多晶硅层、氧化层与第二多晶硅层组成的电容结构，可以对氧化层进行监测，进而提升屏蔽栅型MOSFET的可靠性和生产效率，降低生产成本。
用于屏蔽 mosfet 测试结构

[发明专利]晶圆制造派工方法、派工装置及电子设备-CN202310558107.7在审
发明人：张昊;姜浩;江浩志;闫磊;李元元;陆素仙;李续楠;宋珏池;任志军 -专利权人： 北京燕东微电子科技有限公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实施例提供一种晶圆制造派工方法、派工装置及电子设备，涉及集成电路制造领域，目的是为了解决现有的晶圆制造派工方法难以兼顾生产时间和设备产能最大化的问题。本发明的方法包括：建立包含待派工晶圆制品信息和可作业设备信息的信息表；根据待派工晶圆制品的若干个指标筛选出优先作业批和非优先作业批；按照生产配方一致原则从信息表中依次筛选出优先作业批的最优设备和非优先作业批的最优设备，并添加到派工清单中，以对待派工晶圆制品进行派工。本发明的方法综合考虑多种因素来确定优先作业批，灵活地实现制品派工的控制，既保证了制品的良率、品质和交期，也能满足瓶颈设备的稼动率需求，减少切换生产配方的次数，提高了瓶颈设备的产能。
制造方法工装电子设备

[发明专利]中高压MOS器件及其版图结构和制造方法-CN202310486047.2在审
发明人：于江勇;代佳;张小麟;罗胡瑞;孙楠;郭艳华 -专利权人： 北京燕东微电子科技有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种中高压MOS器件及其版图结构和制造方法。本发明的MOS器件的版图结构包括衬底中的第一阱区，和第一阱区中的欧姆接触区；阱区中的第一漂移区和第二漂移区，以及第一漂移区中的源极区和第二漂移区中的漏极区；第一阱区上方包括栅极绝缘层所在的第一薄氧区，和对应阱区欧姆接触区的第二薄氧区；以及包围且隔离第一漂移区和第二漂移区的场注入区，场注入区的掺杂类型与第一阱区的掺杂类型相同，与漂移区的掺杂类型不同。通过在MOS器件场区增加包围且分割漂移区的场注入区，可防止MOS场区产生漏电通道，有效阻断了MOS场区产生的寄生沟道，显著减小了源漏之间由厚氧层内正电荷积累引起的漏电，因此得到耐压性能更高的中高压MOS器件。
高压 mos 器件及其版图结构制造方法

[发明专利]测试结构及测试方法-CN202310225139.5在审
发明人：代佳;张欣慰;王乾;李静怡;于江勇;张小麟 -专利权人： 北京燕东微电子科技有限公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本申请公开了一种测试结构及测试方法，以解决现有技术中测试效率较低，结构设置冗余的问题。该测试结构，包括：衬底；至少两个测试金属层，每个测试金属层上均设置有子测试结构，子测试结构包括第一子测试结构和第二子测试结构；第一测试电极，与每个测试金属层中的第一子测试结构分别相连；第二测试电极，与每个测试金属层中的第二子测试结构相连；其中，第一测试电极与每个测试金属层的第一子测试结构之间还设置有MOS管，不同测试金属层的第一子测试结构与第一测试电极之间的MOS管的开启电压不同。该测试结构可同时对多个测试金属层进行检测，可判断是否具有短路缺陷以及短路缺陷的位置，极大地节省了测试结构的数目，提高了测试效率。
测试结构方法

[发明专利]测试结构及测试方法-CN202310201514.2在审
发明人：代佳;于江勇;王乾;张欣慰;李静怡;张小麟 -专利权人： 北京燕东微电子科技有限公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本申请公开了一种测试结构及测试方法，以解决现有技术中测试效率较低，测试结构冗余的问题。该测试结构包括：衬底；至少两个测试金属层，每个测试金属层上均设置有子测试结构，子测试结构包括第一和第二子测试结构；第一测试电极，由金属和通孔与每个测试金属层中的第一子测试结构分别相连；第二测试电极，通过导电通道与每个测试金属层中的第二子测试结构相连；其中，第一测试电极与每个测试金属层的第一子测试结构之间还设置有二极管，不同测试金属层的第一子测试结构与第一测试电极之间的二极管的反向击穿电压不同。该测试结构可同时对多个测试金属层进行检测，可判断是否具有短路缺陷以及短路缺陷的位置，极大的提高了测试效率。
测试结构方法

[实用新型]过压防护器件和电子电路-CN202320222844.5有效
发明人：杨京花;李洪朋;杨显精;韦仕贡;常国;张彦秀 -专利权人： 北京燕东微电子科技有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种过压防护器件和电子电路。该过压防护器件包括：第一导电类型的衬底，所述衬底具有相对的第一表面和第二表面；位于衬底内具有第二导电类型的隔离区，所述隔离区贯穿衬底的第一表面和第二表面，且在第一表面上的正投影为环形；基于所述衬底形成的三极管和晶闸管，所述三极管位于所述隔离区所包围的区域内；位于所述衬底第一表面上的金属层，所述金属层以所述三极管的发射区为中心呈向外的辐射形状，以电连接所述三极管的发射区与所述晶闸管的基区。通过设置晶闸管围绕三极管以及辐射形状的金属层，能够从多个电通路向晶闸管输出多路控制电流，使晶闸管快速且均匀地接收控制电流，快速进入箝位状态进行浪涌电流泄放。
防护器件电子电路

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