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[发明专利]一种深硅槽中选择性外延锗方法-CN202110956076.1在审
发明人：杨荣 -专利权人：杨荣
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了一种深硅槽中选择性外延锗方法，包括：步骤1、在硅衬底表面沉积硬掩膜，并制作深硅槽；步骤2、在深硅槽的侧壁和底部同时选择性外延生长锗；步骤3、高温退火使侧壁锗材料再分布；步骤4、重复步骤2‑3使深硅槽处外延生长锗表面高于硬掩膜；步骤5、进行化学机械抛光使锗表面与硬掩膜表面齐平；步骤6、去除硬掩膜，完成深硅槽的选择性外延锗。本发明提出的方案在硅槽侧壁和底部同时外延锗/锗硅，结合高温锗再分布技术，可以在不影响形貌的情况下，实现深硅槽中锗/锗硅外延生长；并且无需在硅与锗中间插入氧化硅层，有利于提升硅波导到锗器件的耦合效率。
一种深硅槽中选择性外延方法

[发明专利]锗硅源漏结构及其制造方法-CN202011037590.7在审
发明人：颜强;黄秋铭;谭俊;周海锋 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗硅源漏结构，包括：形成于半导体基体中的凹陷；在凹陷的内侧表面形成有锗硅种子层；锗硅主体层形成于锗硅种子层上并将凹陷完全填充；硅固化层形成在锗硅主体层表面，锗硅主体层和硅固化层采用不间断的外延生长形成，以实现对锗硅主体层的形貌固化，从而防止锗硅主体层顶部表面直接暴露时由高温而产生的形貌变化；在硅固化层的表面形成有盖帽层。本发明还公开了一种锗硅源漏的制造方法。本发明能使锗硅主体层的形貌得到很好的控制，能提高器件的性能。
锗硅源漏结构及其制造方法

[发明专利]半导体结构的制造方法-CN202210417435.0在审
发明人：包家豪;杨智铨;林士豪;林建隆;陈稚轩;王屏薇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开提供半导体结构的制造方法，包括提供具第一区域及第二区域的基板、形成自基板的第一区域突出的鳍片，其中鳍片包括第一硅锗层及设置于第一硅锗层上的多个硅层与多个第二硅锗层交替的堆叠，且第一硅锗层具有第一锗浓度而多个第二硅锗层中的每一者具大于第一锗浓度的第二锗浓度、掘入鳍片以形成S/D凹槽、掘入S/D凹槽中暴露的第一硅锗层与多个第二硅锗层，其中多个第二硅锗层被掘入的程度多于第一硅锗层、在S/D凹槽中形成S/D特征、移除被掘入的第一硅锗层及多个第二硅锗层以形成多个开口
半导体结构制造方法

[发明专利]FD-SOI衬底结构、器件结构的制备方法-CN202010404717.8在审
发明人：徐大朋;薛忠营;罗杰馨;柴展 -专利权人：上海功成半导体科技有限公司
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种FD‑SOI衬底结构、器件结构的制备方法，衬底结构的制备方法包括：1)提供FD‑SOI衬底，包括硅基底、埋氧化层及顶硅层；2)于顶硅层上外延生长锗硅层；3)氧化锗硅层，将锗硅层中的锗推进顶硅层，形成顶锗硅层；4)去除氧化反应生成的二氧化硅层；5)于顶锗硅层上外延生长氮氧化锗层。本发明的衬底结构采用顶锗硅层及氮氧化锗层的堆栈结构，顶锗硅层作为器件的沟道，不需要进行掺杂且厚度较薄，可以大幅降低源漏极之间的泄漏电流，另一方面，顶锗硅层可大幅提高空穴迁移率，进而提高器件性能。顶锗硅层上覆盖氮氧化锗层，可以有效防止锗硅沟道表面形成溶于水的GeO2或易挥发的GeO，提高器件的稳定性。
fd soi 衬底结构器件制备方法

[发明专利]一种锗硅分离方法-CN201510163645.1有效
发明人：李世平;倪常凯;陈磊;王志斌 -专利权人：贵州宏达环保科技有限公司
申请日： 2015-04-08 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： C22B3/12 文献下载
摘要：本发明涉及含锗硅原料中锗硅分离技术领域，尤其是一种锗硅分离方法，通过含锗硅物料的球磨以及采用氢氧化钠溶液在一定的温度环境下以及对液固比进行限制，使得含锗硅物料中的锗和硅均被浸出，进而破坏二氧化硅晶格对锗的包裹，再通过电解法电解分离锗硅浸出液，进而使得锗硅的分离率达到90％以上。
锗硅分离技术领域氢氧化钠溶液电解分离二氧化硅温度环境电解法浸出液液固比浸出晶格球磨

[发明专利]嵌入式锗硅器件的制作方法-CN201410697457.2在审
发明人：鲍宇 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-11-26 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种嵌入式锗硅器件的制作方法，在半导体衬底的源/漏区刻蚀出凹槽以及在凹槽侧壁外延第一锗硅层之后，对第一锗硅层进行高温氧化处理，使得第一锗硅层中的硅被氧化，而锗向第一锗硅层周围的半导体衬底内部移动并形成新的锗硅层，由此使得处理后的第一锗硅层更加接近沟道，从而具有更大的沟道区有效应力，进而提高嵌入式锗硅器件的性能。
嵌入式器件制作方法

[发明专利]对硅膜或锗膜或硅锗膜进行成膜的方法和装置-CN201910132739.0在审
发明人：高木聪 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种对硅膜或锗膜或硅锗膜进行成膜的方法和装置。提供一种能够在单晶硅或单晶锗或单晶硅锗上大致完全地对非晶质的硅膜或锗膜或硅锗膜进行成膜的技术。具备如下工序：第1工序，在该第1工序中，准备具有单晶硅或单晶锗或单晶硅锗作为被处理面的被处理体；第2工序，在该第2工序中，使卤元素吸附于被处理体的被处理面；第3工序，在该第3工序中，向被处理体供给用于对硅膜或锗膜或硅锗膜进行成膜的原料气体，在被处理体的被处理面上对非晶质硅膜或非晶质锗膜或非晶质硅锗膜进行成膜。
锗膜成膜被处理体硅锗膜硅膜单晶硅方法和装置单晶硅锗单晶锗非晶质非晶质硅膜被处理面非晶质硅原料气体卤元素吸附

[发明专利]半导体衬底和包括其的半导体器件-CN201610037286.X有效
发明人：梁炆承;崔恩惠;金善政;李承勋;李炫姃 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-01-20 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：所述半导体衬底包括底部衬底、底部衬底上的第一硅锗层以及第一硅锗层上的第二硅锗层。第二硅锗层的锗分率在离开底部衬底的方向上减小，并且第二硅锗层的最下面部分的锗分率大于第一硅锗层的最上面部分的锗分率。
半导体衬底包括半导体器件

[发明专利]嵌入在MOS器件中的锗阻挡件-CN201410376999.X有效
发明人：郭紫微;李昆穆;宋学昌;李启弘;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-08-01 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：第一硅锗区位于开口中，其中，第一硅锗区具有第一锗百分比。第二硅锗区位于第一硅锗区的上方，其中，第二硅锗区的第二锗百分比大于第一锗百分比。第三硅锗区位于第二硅锗区的上方，其中，第三硅锗区的第三锗百分比小于第二锗百分比。本发明还提供了一种形成集成电路结构的方法。
嵌入 mos 器件中的阻挡

[发明专利]改善锗硅或锗硅碳单晶与多晶交界面形貌的方法-CN201010027233.2有效
发明人：刘继全;季伟 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-01-06 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善锗硅或锗硅碳单晶与多晶交界面形貌的方法，在形成有STI区域和有源区的硅片上进行锗硅或锗硅碳外延生长，外延生长过程中通入一定量的卤化氢气体，降低锗硅或锗硅碳在STI区域的生长速率，使锗硅或锗硅碳单晶与多晶交界面向
改善锗硅碳单晶多晶界面形貌方法

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置-CN201510443534.6有效
发明人：邓浩;肖德元 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-07-24 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制作方法、半导体器件及电子装置，该制作方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上交替形成多个硅层和锗层；执行固相外延再生长退火工艺以使所述硅层和锗层转变为硅锗层；形成被隔离结构分隔的多个硅锗鳍片本发明提出的半导体器件的制作方法，硅锗层中的锗浓度可根据需要通过控制硅层和锗层的厚度来实现，即，可以容易获得各种锗浓度的硅锗层，非常好控制硅锗鳍中的锗掺杂浓度。
一种半导体器件及其制作方法电子装置

[发明专利]一种半导体结构的制备方法-CN202211043321.0在审
发明人：韩冲;李士普;彭宇飞 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构的制备方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成锗硅层；利用三甲基铝溶液对所述锗硅层进行至少一次钝化工艺；对所述锗硅层进行退火工艺。本发明采用三甲基铝溶液对具有锗硅层进行三甲基铝钝化处理，使所述锗硅层表面形成含有大量Al‑O键的钝化层，并在所述钝化层与所述锗硅层的交界处形成锗凝聚，最后通过退火工艺使凝聚的锗离子均匀地扩散至所述锗硅层中，提高所述锗硅层中的锗离子浓度，并借助退火工艺中提供的能量形成形态良好的锗硅晶体结构，进而为提供界面陷阱密度较低且载流子迁移率较大的所述锗硅层，以提升半导体器件的性能。
一种半导体结构制备方法

[发明专利]调节MOS器件中的锗百分比-CN201310594148.8在审
发明人：郭紫微;李昆穆;宋学昌;李啟弘;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-11-21 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及调节MOS器件中的锗百分比的技术。本发明的集成电路结构包括：位于半导体衬底上方的栅极堆叠件，以及延伸到半导体衬底内的开口，其中开口邻近栅极堆叠件。第一硅锗区域设置在开口中，其中，第一硅锗区域具有第一锗百分比。第二硅锗区域覆盖第一硅锗区域，其中，第二硅锗区域具有大于第一锗百分比的第二锗百分比。金属硅化物区域位于第二硅锗区域上方并与第二硅锗区域接触。
调节 mos 器件中的百分比

[发明专利]一种碳量子点增强的光电探测器及其制备方法-CN201611109564.4在审
发明人：庄爱芹 -专利权人：庄爱芹
申请日： 2016-12-06 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳量子点增强的硅化锗/锡化锗光电探测器及其制备方法，该硅化锗/锡化锗光电探测器自下而上依次有衬底、导电镀膜层、锡化锗层、硅化锗层及碳量子点层，所述的光电探测器还设有第一电极和第二电极，第一电极设置在导电镀膜层上，第二电极设置在硅化锗层上。其制备方法如下先在衬底上沉积导电镀膜层，再沉积锡化锗层；然后将硅化锗沉积至锡化锗层上；在硅化锗层上制备碳量子点层；最后在硅化锗层及导电镀膜层上分别制作电极，获得光电探测器。本发明的碳量子点增强的硅化锗/锡化锗光电探测器利用碳量子点引入的掺杂效应来获得具有高转化效率的硅化锗/锡化锗光电探测器。
一种量子增强光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种半导体结构及其制备方法-CN202111454488.1在审
发明人：孔真真;王桂磊;亨利·H·阿达姆松;杜勇;苗渊浩;苏佳乐 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构包括基底，基底上方形成有组分渐变的硅锗虚拟衬底层，硅锗虚拟衬底层上方形成有第一硅锗限制层，第一硅锗限制层上形成有硅量子阱层，硅量子阱层上形成有第二硅锗限制层，第二硅锗限制层上形成有帽层。通过在形成组分渐变的硅锗虚拟衬底层的过程中，调节组分渐变的硅锗过度程度和生长温度，能够调控应变大小，实现通过硅锗虚拟衬底层的优化，有效减少穿透位错的向上延伸，形成可限制载流子的结构；再在硅锗虚拟衬底层上方依次形成第一硅锗限制层、硅量子阱层和第二硅锗限制层，使最终形成的半导体结构为包含高迁移率二维电子气的异质结结构，能够在硅量子阱层中制备出更多数量的量子位元。
一种半导体结构及其制备方法