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[发明专利]锗硅沟道的形成方法-CN202310615127.3在审
发明人：岳双强;汪韬;李妍;辻直树 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供一种锗硅沟道的形成方法，提供绝缘体上硅衬底，绝缘体上硅衬底由自下而上的硅层、绝缘体层和薄半导体层组成，在绝缘体上硅衬底上形成垫氧化层以及位于垫氧化层上的硬掩膜层，在硬掩膜层上形成光刻胶层，之后光刻打开光刻胶层使得PMOS区域的硬掩膜层裸露；去除裸露的硬掩膜层及其下方的垫氧化层，使得PMOS区域的绝缘体上硅衬底裸露；在裸露的绝缘体上硅衬底上形成锗硅外延层；利用快速退火使得锗离子扩散至薄半导体层的底部形成锗硅沟道，锗硅外延层的表面形成第一氧化层，锗硅沟道的厚度均匀性位于设置范围内；刻蚀去除硬掩膜层以及所需厚度的第一氧化层。本发明能够解决目前锗硅沟道厚度均匀性极差的问题。
沟道形成方法

[发明专利]一种锗硅量子阱电致折射率调制器和集成光电子器件-CN201811529867.0有效
发明人：孙军强;张意 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗硅量子阱电致折射率调制器和集成光电子器件，包括：P型硅衬底、P型锗硅合金缓冲层、本征锗硅合金下隔离层、本征锗硅合金耦合量子阱层、本征锗硅合金上隔离层、N型锗硅合金盖层，本征锗硅合金耦合量子阱层由多个非对称耦合量子阱组成，单个非对称耦合量子阱由两个不同宽度的量子阱、一个中间薄壁垒、两个侧边壁垒组成，相邻两个非对称耦合量子阱共用一个侧边壁垒区，两个侧边壁垒的锗硅合金组分配比相同，中间薄壁垒的Ge含量必须低于所述两个侧边壁垒
一种量子阱电致折射率调制器集成光电子器件

[发明专利]具有高弛豫和低堆垛层错缺陷密度的薄SGOI晶片的制作方法-CN200480040518.2有效
发明人：陈华杰;斯蒂芬·W.·贝戴尔;德温得拉·K.·萨达纳;丹·M.·莫库塔 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2004-01-16 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：一种形成绝缘体上硅锗(SGOI)结构的方法。硅锗层(104)被淀积(300)在SOI晶片(102，100)上。执行硅锗层和硅层的热混合(302)，以便形成具有高弛豫和低堆垛层错缺陷密度的厚SGOI(106)。然后将硅锗层(110)减薄(306)到所希望的最终厚度。锗浓度、弛豫量、以及堆垛层错缺陷密度不被此减薄工艺改变。从而得到具有高弛豫和低堆垛层错缺陷密度的薄的SGOI膜。然后，硅层(112)被淀积在此薄的SGOI晶片上。用修整CMP、原位氢烘焙、以及应变硅淀积过程中的硅锗缓冲层、或利用氯化氢、DCS、以及锗烷的气体混合物在氢环境中对晶片进行加热，来整平HIPOX或蒸汽氧化减薄所引起的粗糙硅锗表面。
具有高弛豫堆垛缺陷密度 sgoi 晶片制作方法

[发明专利]一种锗基硅锗降场层LDMOS器件结构-CN201610624781.0有效
发明人：王勇;王瑛;丁超 -专利权人：东莞华南设计创新院;广东工业大学
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公布了一种锗基硅锗降场层LDMOS器件结构，其结构依次为：一P型锗沟道层；一N型掺杂的锗漂移层；一重N型掺杂的锗欧姆接触层；一硅锗与锗间隔的生长层作为漂移层；一P型掺杂的硅锗漂降场层；一深度达到P型锗沟道层的栅槽结构；一在栅槽内形成的氧化介质层；一在栅槽内形成的栅金属层；一在源漏区域形成的源漏金属电极。
一种锗基硅锗降场层 ldmos 器件结构

[发明专利]一种从含锗光纤废料中回收硅锗的方法-CN201910711346.5在审
发明人：翟康;张涵;张磊;王昭文;张力;程杰 -专利权人：西安凯立新材料股份有限公司
申请日： 2019-08-02 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： C01B33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种从含锗光纤废料中回收硅锗的方法，包括以下步骤：步骤一、将破碎后的含锗光纤废料过筛，得到粉体；步骤二、将粉体与水混合打浆加入可溶性碱，真空条件下，微波加热后恒温，得到含硅锗浸出液；步骤三、向含硅锗浸出液中加入碱金属盐，调节pH，搅拌，陈化，固液分离，得到固体和液体；步骤四、烘干固体，得到非晶态二氧化硅；步骤五、向液体中加入镁盐，搅拌沉锗，陈化，过滤，得到截留物和滤液；步骤六、向滤液中加入氯化铁，吸附沉淀反应，陈化，过滤，得到沉淀；步骤七、将截留物和沉淀与水混合打浆，与盐酸混合蒸馏，得到四氯化锗，四氯化锗水解，得到二氧化锗。采用本发明的方法能够有效进行废料中硅锗回收并实现硅锗分离。
硅锗陈化打浆四氯化锗光纤截留物浸出液水混合粉体回收沉淀过滤非晶态二氧化硅沉淀反应二氧化锗固液分离碱金属盐可溶性碱微波加热真空条件蒸馏氯化铁过筛烘干镁盐水解吸附盐酸破碎

[实用新型]一种连续制备二维纳米薄膜的设备-CN201220143736.0有效
发明人：徐明生 -专利权人：徐明生
申请日： 2012-04-02 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：利用本设备，可以采用不同的技术方法制备二维纳米薄膜包括石墨烯、过镀金属硫化物、硅烯、锗烯或氮化硼等。本设备结构简单、工作可靠，可大面积地连续制备均匀的石墨烯、过镀金属硫化物、硅烯、锗烯或氮化硼等二维纳米薄膜，适合于二维纳米薄膜的产业化制备。
一种连续制备二维纳米薄膜设备

[发明专利]一种在异质结双极型晶体管的基区中抑制硼扩散的方法-CN200910199451.1有效
发明人：孙涛;陈乐乐;曼纽拉·奈耶尔 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2009-11-26 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提供一种一种在异质结双极型晶体管的基区中抑制硼元素扩散的方法，所述方法包括：在硅衬底上生长基区的缓冲硅层，锗硅层和单晶硅层时，不是在所述锗硅层进行原位掺杂杂质元素硼元素，而是在生长完基区的缓冲硅层，锗硅层和单晶硅层之后，对所述锗硅层进行二氟化硼元素的离子注入。
一种异质结双极型晶体管基区中抑制扩散方法

[发明专利]厚应变硅层及含有厚应变硅层的半导体结构的形成方法-CN200380108050.1有效
发明人：汪海宏;P·R·贝塞尔;J－S·古;M·V·努;E·N·帕东;相奇 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2003-10-30 - 公布日： 2006-02-08 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：在硅锗层(40)上生长应变硅层(50)，并在与应变硅(50)同一个连续的原位沉积过程中在应变硅(50)上生长硅锗层(52)。在形成应变硅层(50)之前，在下硅锗层(40)内形成浅沟槽隔离(48)。该两层硅锗层(40，52)在应变硅层(50)的两个表面上有效地提供两层基片，用来维持应变硅层(50)的拉伸应变，并防止在加工中可能会因温度变化而产生的错配位错的形成。因此，对于硅锗层(40，52)给定的锗含量，能生长的应变硅(50)的临界厚度可有效加倍，而在随后的加工中不会有显著的错配位错。在形成应变硅层(50)之前形成浅沟槽隔离(48)避免了应变硅层(50)受到极端的热应力，并进一步减少了错配位错的形成。
应变含有半导体结构形成方法

[发明专利]LPCVD法沉积硅锗膜的方法-CN201611203154.6在审
发明人：胡绍璐 -专利权人：苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种LPCVD法沉积硅锗膜的方法，该方法包括以下步骤首先，对基底进行清洗，在基底上生长SiO2层；其次，在SiO2层上高温(425℃‑550℃)预沉积非晶硅种子层；最后，在低温(380℃‑420℃)下，于该非晶硅种子层上沉积硅锗材料形成硅锗膜，通过该方法制备所得到的硅锗膜表面光滑。
lpcvd 沉积硅锗膜方法

[发明专利]一种从氯化蒸馏渣中提取锗的方法-CN200810058925.6有效
发明人：张爱华;包文东;胡德才 -专利权人：云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
申请日： 2008-09-16 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明是一种从氯化蒸馏渣中提取锗的方法。经一次碱浸、二次碱浸、除硅、硅渣碱浸、沉锗、烘干灼烧、氯化蒸馏等工艺。锗浸出率＞85％，除硅率＞95％，沉锗率＞95％，锗的回收率＞70％。本发明的氯化蒸馏渣中的锗提取方法，年处理氯化渣2000余吨，回收锗(以GeCl₄中Ge计)1吨余，获利税450万元。解决了碱液中硅锗分离，锗沉淀技术等问题。本发明的运用，为从氯化蒸馏渣中锗的提取开辟了一条合理的途径，减少了废渣的堆存，合理的利用了资源，减少了工作时间，间接地降低了生产成本，使沉淀锗成本由原栲胶(价格高)沉锗695元/kg Ge降为370元/
一种氯化蒸馏提取方法

[发明专利]一种从高含硅光纤生产废料中回收锗的方法-CN201811537883.4有效
发明人：李世平;钟波 -专利权人：六盘水中联工贸实业有限公司
申请日： 2018-12-15 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种从高含硅光纤生产废料中回收锗的方法，包括以下步骤：（1）将高含硅锗光纤生产废料磨细至100目以上，然后加入硫化剂并混合均匀制粒为直径1‑5mm；（2）进行锗的硫化挥发，并收集硫化锗挥发烟尘，或收集硫化锗与二氧化锗的混合挥发烟尘；（3）将获得的含锗烟尘进行微波氧化焙烧或其他形式的氧化焙烧、或直接进行硫酸氧化浸出；（4）将高含锗微波氧化焙烧产物直接进行盐酸氯化蒸馏，获得四氯化锗进行水解得到二氧化锗精矿；（5）将步骤（2）及步骤（3）的低含锗物料进行硫酸氧化浸出，浸出液用丹宁沉淀或有机溶剂萃取提取富集锗，生产锗精矿。本发明能够高效率、低成本地从含硅达95%以上的物料中提取分离锗、硅。
一种高含硅光纤生产废料回收方法

[发明专利]一种硅锗合金基热电元件及其制备方法-CN201610209315.6有效
发明人：吴洁华;夏绪贵;杨小燕;顾明;陈立东 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2016-04-05 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅锗合金基热电元件及其制备方法，所述硅锗合金基热电元件由电极层、硅锗合金基热电层以及位于电极层和硅锗合金基热电层之间的阻挡层组成，所述阻挡层为硅化物与氮化硅的混合物，所述硅化物为硅化钼、硅化钨、硅化钴、硅化镍、硅化铌、硅化锆、硅化钽、硅化铪中的至少一种。本发明提供的硅锗合金基热电元件中各界面结合良好，界面处未见裂纹与明显的扩散现象存在，接触电阻小，热接触状态好，且能够经受长时间的高温加速试验。
一种合金热电元件及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201710800190.9在审
发明人：中山知士 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2017-09-07 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：沟槽提供在从锗生长保护膜的顶表面起但没有到达半导体衬底的主表面的锗生长保护膜、p型硅层和第一绝缘膜上。i型锗层和n型锗层被嵌入在沟槽中，籽晶层介于该层和沟槽之间，籽晶层由非晶硅、多晶硅或硅锗制成。i型锗层和n型锗层都没有从锗生长保护膜的顶表面突出，从而在n型锗层和锗生长保护膜上形成了具有基本均匀厚度的平坦的第二绝缘膜。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制备方法-CN200780100178.1无效
发明人：塔-霍·洛;会安-萨恩·阮 -专利权人：新加坡科技研究局
申请日： 2007-08-08 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：该方法包括在介电层内形成至少一个沟槽、从而将半导体基片的一部分暴露，至少在该至少一个沟槽的底部形成硅-锗缓冲层，在该硅-锗缓冲层上形成锗种子层且在该锗种子层上形成锗层。还公开了一种半导体装置。该半导体装置包括半导体基片、置于该半导体基片之上的介电层、在该介电层且将该半导体基片的一部分暴露的至少一个沟槽、至少置于该至少一个沟槽的底部之上的硅-锗缓冲层，置于该硅-锗缓冲层之上的锗种子层以及置于该锗种子层之上的锗层
半导体装置及其制备方法

[发明专利]用于光学通信的方法和系统-CN202010038119.3在审
发明人：卡姆-扬·霍恩;詹洛伦佐·马西尼;苏巴尔·萨尼 -专利权人：卢克斯特拉有限公司
申请日： 2015-12-01 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L31/08 文献下载
摘要：一种用于光学通信的方法，包括：在具有光电探测器的半导体晶片中，光电探测器包括n‑型硅层、锗层、p型硅层、以及在n型硅层和所述p型硅层的每个层上的金属接触，其中，‑锗层的顶部表面位于‑n‑型硅层和‑p‑型硅层两者的顶部表面之上，且‑锗层的底部表面位于‑n‑型硅层和‑p‑型硅层两者的顶部表面之下，并且其中，与‑光电探测器的接触在‑锗层的相对的侧面上，在‑锗层的顶部表面上没有接触：接收光信号；在‑锗层中吸收光信号；以及从吸收的光信号生成电信号
用于光学通信方法系统