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[实用新型]一种连续制备二维纳米薄膜的化学气相沉积设备-CN201220197015.8有效
发明人：徐明生 -专利权人：徐明生
申请日： 2012-05-03 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： C23C16/54 文献下载
摘要：利用本设备，可以采用化学气相沉积等方法制备石墨烯、过镀金属硫化物、硅烯、锗烯或氮化硼等二维纳米薄膜。本设备在薄膜制备腔室与化学气相沉积腔室之间设有过渡的平衡腔室，结构简单、工作可靠，可大面积地连续制备均匀的石墨烯、过镀金属硫化物、硅烯、锗烯或氮化硼等二维纳米薄膜，适合于二维纳米薄膜的产业化制备。
一种连续制备二维纳米薄膜化学沉积设备

[发明专利]包含与硅衬底和硅电路集成的绝缘锗光电探测器的图像传感器-CN200480033261.8无效
发明人：克利福德·A·金;康纳·拉弗蒂 -专利权人：卓越设备技术公司
申请日： 2004-10-13 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： H04N1/028 文献下载
摘要：根据本发明，改进的图像传感器包括与硅衬底和硅读出电路集成的锗感光元件阵列。首先利用众所周知的硅晶片制作技术，在硅衬底上形成硅晶体管。随后通过外延生长形成覆盖在硅上的锗元件。锗元件有利地形成在电介质覆层表面孔口内部。将晶片制作技术应用到这些元件中，从而形成隔离的锗光电二极管。由于锗加工所需的温度低于硅加工的温度，锗装置的形成没有必要影响以前形成的硅装置。然后沉积绝缘层和金属层并且对它们进行图案化处理，从而互连硅装置，并且将锗装置连接到硅电路上。锗元件因而借助外延生长集成到硅上，并且借助公共金属层与硅电路集成。
包含衬底电路集成绝缘光电探测器图像传感器

[发明专利]绝缘体上锗硅的形成方法-CN201210287340.8无效
发明人：陈勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-08-13 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种绝缘体上锗硅的形成方法，包括：提供第一衬底和第二衬底，所述第一衬底上形成有绝缘层，所述第二衬底上形成有锗硅层；结合所述绝缘层和所述锗硅层，使所述第一衬底和所述第二衬底结合成一体结构；去除所述第二衬底；去除所述第二衬底后，采用对所述第二衬底和所述锗硅层具有高刻蚀选择比的清洗剂，对所述锗硅层的表面进行清洗，去除所述锗硅层表面的第二衬底的残留物。所述绝缘体上锗硅的形成方法不仅能够提高所述锗硅层中锗的含量，从而提高载流子迁移率。并且采用所述绝缘体上锗硅的形成方法形成的绝缘体上锗硅的上表面的具有更好的平坦度，从而不影响半导体器件的性能。
绝缘体上锗硅形成方法

[发明专利]一种在绝缘衬底上制备图形石墨烯的方法-CN201510952653.4有效
发明人：狄增峰;汪子文;戴家赟;王刚;郑晓虎;薛忠营;张苗;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2015-12-17 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明提供一种在绝缘衬底上制备图形石墨烯的方法，包括：1）提供一绝缘衬底，于绝缘衬底上沉积锗薄膜；2）采用光刻刻蚀工艺于锗薄膜中刻蚀出所需图形，形成图形锗薄膜；以及步骤3）以所述图形锗薄膜为催化剂，在高温下生长石墨烯，同时，图形锗薄膜在高温下不断蒸发，并最终被全部去除，获得结合于绝缘衬底上的图形石墨烯。本发明通过在绝缘衬底上制备锗薄膜，并光刻刻蚀所述锗薄膜形成所需图形后，催化生长石墨烯，并在生长的同时将锗薄膜蒸发去除，获得绝缘体上图形石墨烯，克服了采用光刻刻蚀工艺对石墨烯进行刻蚀所带来的光刻胶等污染，提高了绝缘体上图形石墨烯材料的质量及性能。采用本发明的方法可以获得质量很高的图形石墨烯。
石墨烯锗薄膜衬底绝缘制备绝缘体刻蚀去除生长蒸发石墨烯材料光刻胶催化剂沉积催化污染

[发明专利]一种高速锗硅光电探测器-CN202311116318.1在审
发明人：余宇;石洋;邹明洁;李祖航;张新亮 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种高速锗硅光电探测器。高速锗硅光电探测器包括：掺杂硅层、锗吸收区、掺杂锗层、接触电极和锗上电极；掺杂硅层与掺杂锗层的掺杂极性相反，掺杂硅层、锗吸收区和掺杂锗层依次连接成垂直PIN结；接触电极设置在掺杂硅层上，接触电极围绕在锗吸收区的三个侧面，锗上电极设置在掺杂锗层上；接触电极和锗上电极收集锗吸收区吸收光而产生的光生载流子，形成光电流；接触电极的各边与锗吸收区中对应的边之间的距离和锗吸收区的边长成反比。
一种高速光电探测器

[发明专利]一种鳍式场效应晶体管及其制备方法-CN201610663545.X有效
发明人：王桂磊;崔虎山;殷华湘;秦长亮;李俊峰;赵超 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请公开了一种鳍式场效应晶体管及其制备方法，利用所述鳍式场效应晶体管的制备方法制备FinFET器件时，通过先形成硅鳍部和隔离部，然后原位刻蚀硅鳍部，以为硅锗鳍和锗鳍的形成预留空间；最后通过外延生长依次形成硅锗鳍和锗鳍由于所述硅锗鳍在所述硅衬底与所述锗鳍之间，起到了应变缓冲层的作用，减少了锗与硅之间的晶格失配程度，从而为锗鳍的形成建立前提条件，避免直接将锗材料填入所述隔离部之间的小尺寸缝隙中而出现锗无法将缝隙填满而使得锗鳍存在形态缺陷
一种场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]共形硅锗膜沉积-CN202180090595.2在审
发明人：王慧圆;S·S·罗伊;A·B·玛里克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：描述了在基板上沉积硅锗膜的方法。所述方法包括将基板暴露于硅前驱物和锗前驱物，以形成共形硅锗膜。所述基板包括至少一个膜叠层和至少一个特征，所述膜叠层包括硅和硅锗的交替层。硅锗膜具有大于50％的共形度。
共形硅锗膜沉积

[发明专利]PMOS晶体管的形成方法-CN201110406861.6有效
发明人：邓浩;张彬 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-12-08 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种PMOS晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成凹槽；在所述凹槽内形成至少一层硅锗层，硅锗层的表面低于半导体衬底表面或与半导体衬底表面平齐；对硅锗层进行氧化处理，在硅锗层表面形成氧化层，以消耗硅锗层中的硅；去除硅锗层表面的氧化层。本发明实施例提供的PMOS晶体管的形成方法，提高了硅锗层中锗的浓度，提高了器件的性能。
pmos 晶体管形成方法

[发明专利]一种增益峰可调的锗硅光电探测器-CN201911382300.X有效
发明人：张红广;肖希;王磊;胡晓;陈代高;李维忠 -专利权人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本申请涉及一种增益峰可调的锗硅光电探测器，所述锗硅光电探测器自下而上包括：硅衬底层，埋氧层，硅波导层，锗有源层和绝缘覆盖层，所述锗硅光电探测器还包括布置在所述锗有源层上的可调的带宽增益组件。本发明提供的具有可调的带宽增益组件的锗硅光电探测器，通过可调的带宽增益组件能够弥补由于锗硅光电探测器不同个体间的差异性引起的带宽增益的差异性问题，实现了针对每一个锗硅光电探测器的最佳带宽增益。
一种增益可调光电探测器

[发明专利]形成硅锗外延层的方法-CN201910174278.3在审
发明人：谭俊;黄秋铭;颜强 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明涉及形成硅锗外延层的方法，涉及半导体芯片制造技术，通过采用包括硅氢化物的一种或几种的硅源与氯硅化物的一种或几种的硅源的混合性气体进行嵌入式锗硅外延沉积工艺以形成硅锗外延层，代替硅氢化物或氯硅化物中的一种的硅源进行嵌入式锗硅外延沉积工艺以形成硅锗外延层，有效提高了衬底上不同图形区域的硅锗外延层生长的均匀性，改善micro‑loading效应。
硅锗外延层硅源硅氢化物锗硅外延硅化物嵌入式沉积半导体芯片制造混合性气体图形区域均匀性衬底生长

[发明专利]半导体结构及其形成方法、PMOS晶体管及其形成方法-CN201210149349.2有效
发明人：涂火金;三重野文健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-05-14 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，以及一种PMOS晶体管及其形成方法，本发明所提供的半导体结构形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有凹槽；在所述凹槽表面形成硅锗层；还包括：在所述硅锗层表面形成硅锗锡层在本发明所提供的半导体结构形成方法中，由于所述硅锗层表面形成有硅锗锡层，而锡的晶格常数大于硅和锗的晶格常数，因此，所述硅锗锡层的可以提供较硅锗层和硅层更大的应力，从而提高半导体结构和PMOS管内的载流子迁移率
半导体结构及其形成方法 pmos 晶体管

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN200510071129.2无效
发明人：曹敏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-05-20 - 公布日： 2005-12-07 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构，由上而下包括应变单晶硅层、松弛硅－锗层及硅基板层共三层，其中松弛硅－锗层厚度小于500埃。其形成方法包含外延形成硅－锗层及外延形成单晶硅层，其中硅－锗层于形成时受应力，且于硅－锗层上形成单晶硅层后，利用快速热退火或激光热处理程序选择性地熔化硅－锗层，但不熔化单晶硅层，大部分硅－锗层在熔化时释放出压缩应力；最后经一冷却步骤后形成一松弛硅－锗层及一应变单晶硅层。本发明所述半导体结构及其形成方法可降低硅－锗的厚度，除了可降低错位的浓度及降低成本外，还可提供较佳的热传导、降低接面电容、减少接面泄漏。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种纯相硅锗合金固溶体颗粒及其制备方法-CN201910529645.7在审
发明人：向钢;冯雷豪;王焕明;张析 -专利权人：四川大学
申请日： 2019-06-19 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： C22C1/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种纯相硅锗合金固溶体颗粒及其制备方法，所述的硅锗合金成分为Si_xGe_1‑x（0.4。本发明采用硅、锗粉末混合烧结法，首次制备出具有良好结晶形态的硅锗合金固溶体颗粒。通过X射线衍射，拉曼光谱以及荧光光谱测试分析，表明本次制备的硅锗合金颗粒中硅锗完全固溶形成纯相硅锗固溶体，在可见光范围内具有良好的荧光性能。本发明获得的硅锗合金颗粒因制备工艺简单、成本低廉、具有良好的结晶性和荧光性能，可用于制备硅锗薄膜的前驱体材料，在太阳能电池和光电器件领域具有广泛的应用前景。
硅锗合金制备固溶体颗粒荧光硅锗光电器件领域混合烧结法前驱体材料太阳能电池测试分析硅锗薄膜结晶形态拉曼光谱荧光光谱制备工艺可见光固溶体结晶性锗粉末固溶可用应用

[发明专利]晶体管的形成方法-CN201210039634.9有效
发明人：刘佳磊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-02-21 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有第一硅锗层、第一硅层和第二硅锗层，所述半导体衬底具有第一区域和第二区域，所述第二区域在第一区域两侧；在第二硅锗层表面形成硬掩膜层，去除第二区域的硬掩膜层、第二硅锗层和第一硅层直至暴露出第一硅锗层；去除第一区域的第一硅锗层和第二硅锗层之间的第一硅层；在第一区域的第一硅锗层和第二硅锗层之间形成隔离层；去除硬掩膜层，在第二区域形成第二硅层直至与第二硅锗层表面齐平；在第一区域的第二硅锗层表面形成栅极结构。所形成的晶体管能抑制短沟道效应，价格低廉，能与基于硅衬底的半导体器件集成。
晶体管形成方法

[发明专利]嵌入式锗硅外延结构的形成方法-CN202210784396.8在审
发明人：张强 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种嵌入式锗硅外延结构的形成方法，包括：提供一硅衬底，硅衬底中形成有凹槽；执行外延工艺，在凹槽中形成锗硅层，硅衬底及锗硅层的表面上形成有缺陷颗粒；形成硅层覆盖硅衬底、锗硅层的表面以及缺陷颗粒；执行硅刻蚀工艺，去除硅层及缺陷颗粒。本发明通过形成硅层覆盖硅衬底、锗硅层的表面以及缺陷颗粒，使得缺陷颗粒与硅层具有相较于硅衬底的表面具有更强的结合力，从而在硅刻蚀工艺中较为容易地去除缺陷颗粒及硅层，由此以解决形成锗硅外延结构时的缺陷颗粒问题
嵌入式外延结构形成方法