“2015-03-04”专利公开日期搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果20478个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种单脉冲阵列天线-CN201410666404.4在审
发明人：商远波;王月娟;玄晓波;姚凤薇;王敏;田晓青;刘元云;吉峰;王树文 -专利权人：上海无线电设备研究所
申请日： 2014-11-20 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01Q1/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种单脉冲阵列天线，包含：金属反射板，呈圆形；辐射阵列层，设置在金属反射板的上方，且与金属反射板之间留有间隙；平衡转换馈电层，其与辐射阵列层相连接，设置在金属反射板的上方，且与该辐射阵列层位于同一介质层；单脉冲馈电网络层，其与平衡转换馈电层相连接，设置在金属反射板的下方。本发明中的辐射阵列层采用平行双导线馈电方式，结构简单，易于加工；平衡转换馈电层采用微带转平行双导线馈电方式，可以与辐射阵列层共介质层，实现阻抗转换和单元馈电不平衡与平衡转换；单脉冲馈电网络层采用波导结构，可以减小损耗，提高天线效率，从而使单脉冲阵列天线具有效率高、频带宽，作用距离远等特性。
一种脉冲阵列天线

[发明专利]一种正交模功率合成器的加工工艺-CN201410679695.0在审
发明人：龚建君;廖东波;李文利;周衢;向辉;陈忠;涂学明 -专利权人：成都锦江电子系统工程有限公司
申请日： 2014-11-24 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01P11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种正交模功率合成器的加工工艺，包括以下步骤：S1：根据设计完成上腔体（1）的加工和下腔体（2）的加工；S2：试装上腔体（1）和下腔体（2）；S3：酸洗，去除杂质；S4：制作钎料，并且将上腔体（1）、下腔体（2）和钎料进行装配；S5：设置真空钎焊曲线，加热保温，完成真空钎焊；S6：对正交模功率合成器外形和法兰盘（3）进行进一步的数控加工；S7：机械加工钻孔以及对法兰盘（3）进行铰孔；S8：电化学处理。本发明的新型设计、工艺技术适用于电子行业微波器件多品种功率合成器的批量生产,满足产品质量要求，具有加工工序少、生产周期短、型腔尺寸精度高、基本无焊接变形、焊缝无腐蚀等优点。
一种正交功率合成器加工工艺

[发明专利]基于新型复合左右手传输线技术的小型化MIMO系统-CN201410571064.7在审
发明人：许河秀;王光明 -专利权人：许河秀
申请日： 2014-10-17 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01P3/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于新型复合左右手传输技术的宽频环形电桥及基于该环形电桥的小型化MIMO系统，其解决了现有环形电桥及其所应用的系统工作带宽窄、尺寸大的技术问题，本发明的MIMO系统设有宽频环形电桥，宽频环形电桥包括三组CRLH单元组，分别是第一CRLH单元组、第二CRLH单元组和第三CRLH单元组，每组由两个CRLH单元连接而成，形成首端和尾端；各组相邻的首尾端连接形成信号传送端口，本发明的环形电桥可广泛应用于Bulter矩阵馈电网络，微波功率合成与分解网络，和差器、隔离器，波束可调天线，输入输出系统，以及任意需要解耦的微带天线阵和多信道通信系统。
基于新型复合左右手传输线技术小型化 mimo 系统

[发明专利]一种互易式微波铁氧体开关-CN201410688220.8在审
发明人：朱兆麒;罗会安;韩宜冉 -专利权人：南京国睿微波器件有限公司
申请日： 2014-11-25 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01P1/11 文献下载
摘要：本发明提供了一种互易式微波铁氧体开关，包含一个双联铁氧体移相器及级联于其两端的三分贝电桥A和三分贝电桥B；三分贝电桥A的两个端口标记为端口1和端口4；三分贝电桥B的两个标记为端口2和端口3。双联铁氧体移相器包含两路移相器，这两路移相器对通过其中的微波信号所产生的相移量要么相同(记为0状态)，要么相差180°(记为π状态)；本发明一旦四个端口中的两个选通后，无需转换铁氧体移相器的磁化状态，即可实现微波信号在选通端口间的正向和反向传输，具有互易特性。本应用于微波系统时，开关可以同时传输收/发信号而无须切换开关状态；特别是在雷达中的应用，就不会因此而产生近距离盲区，可改善雷达的性能。
一种式微铁氧体开关

[发明专利]汽车应急启动电源的预热系统-CN201310615654.0在审
发明人：刘剑波 -专利权人：东莞市云帆电子科技有限公司
申请日： 2013-11-28 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01M10/615 文献下载
摘要：本发明公开了一种汽车应急启动电源的预热系统，用于对汽车应急启动电源进行预热，其特征在于，包括：热敏温度传感器、加热单元、内置D/A转换器的MCU，所述MCU的两路I/O口连接紧贴在电池芯上的热敏温度传感器，所述MCU的第一D/A转换输出端口连接有温度警告LED指示灯，所述MCU的第二D/A转换输出端口连接有用于控制应急启动电源放电的放电开关，所述MCU的第三D/A转换输出端口通过加热开关与所述加热单元连接，所述放电开关包括两组每四个并联的N-MOS，所述第二D/A转换输出口通过第一P-MOS的漏极连接两组所述N-MOS的栅极，且第一组N-MOS的漏极与第二组N-MOS的漏极相连，第一组N-MOS的源极接地，第二组N-MOS的源极为应急启动电源的输出端。本发明可以解决各种电池在低温状态下大倍率放电的问题。
汽车应急启动电源预热系统

[发明专利]一种支持在线监测维护的锂电池组-CN201310690433.X在审
发明人：蒋志刚 -专利权人：朱云
申请日： 2013-12-17 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01M10/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种支持在线监测维护的锂电池组，包括主控模块和锂电池控制模块，所述主控模块内包括CPU控制单元、数据芯片、实时时钟模块及增益发射模块，所述增益发射模块连接有天线，所述锂电池控制模块包括锂电池组、锂电池组管理模块及参数采集模块，所述锂电池组管理模块内还设有支持调整控制逻辑的逻辑控制模块。本发明所述锂电池组可以实时了解锂电池的工作状态，方便进行故障排查，还可以支持对锂电池的逻辑控制模块进行控制逻辑的微调，从而更加灵活智能，提升锂电池的寿命和安全可靠性。
一种支持在线监测维护锂电池

[发明专利]一种叠片软包锂离子动力电池制备方法-CN201410590022.8在审
发明人：关成善;宗继月;张敬捧;王勇 -专利权人：山东神工海特电子科技有限公司
申请日： 2014-10-29 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01M10/058 文献下载
摘要：一种叠片软包装锂离子动力电池制备方法，涉及一种叠片软包装锂离子动力电池制备方法。其步骤如下：1、将干燥后的叠片软包装锂离子动力电芯固定在两块夹板之间中，夹板施加于叠片软包装锂离子动力电芯的初始压强为0.05~0.1MPa；2、对叠片软包装锂离子动力电芯进行注液、搁置，最后将带有夹具的叠片软包装锂离子动力电芯进行化成；3、化成后将叠片软包装锂离子动力电芯从夹具中取出，依次进行二次封口、切折烫、整形、检测。制备的叠片软包装锂离子动力电池具有良好的充放电性能和较高的电池一致性，本发明制备的叠片软包装锂离子动力电池较传统方法制备的软包电池循环寿命提高了5%~10%，单只电池成本节约10%~20%。
一种叠片软包锂离子动力电池制备方法

[发明专利]一种有机太阳能电池及制备方法-CN201410549066.6在审
发明人：陈义旺;谌烈;章勇;谈利承;胡笑添 -专利权人：南昌大学
申请日： 2014-10-16 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：一种有机太阳能电池及制备方法，包括透明衬底、负极、电子传输层、光活性层、空穴传输层、正极，其特征是所述电子传输层包括修饰层和共轭聚合物PEDOT:PSS两层，其中修饰层为含氨基的材料。电子传输层的制备为：先将PEDOT:PSS水溶液铺满在清洗干净的负极表面，旋涂甩干后退火，然后再将上述修饰层材料溶液旋涂甩干后退火，得到电子传输层。本发明通过将含氨基的修饰层材料旋涂在PEDOT:PSS膜表面，降低了PEDOT:PSS功函，以匹配各层之间的能级关系，使PEDOT:PSS转变到利于电子传输。含氨基碱性的修饰层能中和酸性的PEDOT:PSS从而降低其对ITO的腐蚀，减小其吸湿性，提高了稳定性；常温制备有利于有机太阳能电池柔性卷对卷的商业化生产，且操作简单，制作成本低，生产效率高。
一种有机太阳能电池制备方法

[发明专利]一种基于纳米碳材料薄膜的电热式泵型致动器及其制备方法-CN201410662624.X在审
发明人：柳青;刘璐琪;张忠 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2014-11-19 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L41/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于纳米碳材料薄膜的电热式泵型致动器及其制备方法，所述致动器的致动材料由纳米碳材料薄膜组成；所述的纳米碳材料薄膜可以通过真空抽滤法、干燥成膜法、逐层沉积法或化学气相沉积法等制备获得。本发明以纳米碳材料薄膜为致动材料的电热式泵型致动器通过电致热原理加热密封气体，使气体受热膨胀继而引起致动薄膜的变形，具有低电压响应、温度变化小、输出应力大、响应迅速及稳定性好等特点，而且致动器的制备过程简单。
一种基于纳米材料薄膜电热式泵型致动器及其制备方法

[发明专利]一种LED灯丝-CN201410563842.8在审
发明人：晏思平;游志 -专利权人：深圳市瑞丰光电子股份有限公司
申请日： 2014-10-21 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：一种LED灯丝，包括透明基板以及设置于透明基板上的LED晶片，所述LED晶片通过金属导线电性连接形成通路，所述基板固晶的一面上通过物理或化学的方式形成有焊盘，所述焊盘的透光率小于30%，所述LED晶片固置于焊盘上且完全位于焊盘范围内，所述晶片上通过点胶或模压方式形成有荧光胶，所述荧光胶完全包覆晶片和金属导线，本发明LED灯丝在透明基板固晶面上成型的不透明焊盘上固置晶片，再单面点胶或单面模压形成荧光胶，焊盘将晶片底面和侧面的蓝光反射至荧光胶中以转化为所需白光，制成全周光发光的LED灯丝器件，简化了制程，降低物料成本；且灯丝侧面无漏蓝现象。
一种 led 灯丝

[发明专利]一种提高发光效率的LED芯片及其制备方法-CN201410598589.X在审
发明人：郑琪;王华清;李荣源;齐向波;董炜玮;马利伟 -专利权人：大恒新纪元科技股份有限公司
申请日： 2014-10-30 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高发光效率的LED芯片及其制备方法。通过在LED芯片衬底和荧光粉涂层之间生成一种光学滤光膜，将荧光粉发射的杂散光收集起来，转换成有用光能，以提高荧光粉的发射效率，同时保证激发光(蓝光)有高的光谱穿透率。
一种提高发光效率 led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种在太阳能光伏背板表面设置二氧化硅涂层的方法-CN201410768597.4在审
发明人：刘东亮 -专利权人：广东生益科技股份有限公司
申请日： 2014-12-12 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种在太阳能光伏背板表面设置二氧化硅涂层的方法及其制备的太阳能光伏背板，包括如下步骤：将太阳能光伏背板的一面或两面涂覆一层聚硅氮烷溶液；然后在相对湿度85％、温度85℃的烘箱中烘烤2-3小时；再在温度120-150℃烘烤1-2小时，从而将聚硅氮烷溶液转化为二氧化硅涂层，得到具有二氧化硅涂层的太阳能光伏背板。在外层氟膜上设置二氧化硅涂层，可以更有效地阻止水汽透过外层氟膜，从而保护里层PET膜和太阳能光伏电池减少水汽的攻击，有效延长PET膜老化的时间，从而更好地保护太阳能光伏电池，有利于太阳能光伏电池效率和长久使用可靠性。
一种太阳能背板表面设置二氧化硅涂层方法

[发明专利]一种显示基板及其制作方法、显示装置-CN201410597037.7在审
发明人：张颖;丁欣;陈甫;刘建辉;董康旭;刘祖宏;吴代吾;侯智 -专利权人：合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-10-29 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，该显示面板包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上且与所述衬底基板直接接触的膜层图形，所述衬底基板表面设置有沟槽，所述膜层图形设置于所述沟槽内。本发明中，在衬底基板表面设置沟槽，将与衬底基板直接接触的非整层膜层结构的膜层图形设置于沟槽内，以减少后续形成的膜层在该膜层图形处产生的段差，提升了显示基板的结构整体平坦度，提高了显示基板的性能。
一种显示及其制作方法显示装置

[发明专利]一种多芯片集成电路抗冲击封装结构-CN201410535314.1在审
发明人：夏俊生;邹建安;周峻霖;潘大卓 -专利权人：华东光电集成器件研究所
申请日： 2014-10-13 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明涉及一种多芯片集成电路抗冲击封装结构，其特征在于：将裸芯片（1）和引线（2）键合区集中布置在基板（3）上，采用盖帽（8）将裸芯片（1）及引线键合区置入盖帽内部，盖帽（8）内灌封软质封装材料（10），壳体（12）内集成电路其它部分整体灌封硬质封装材料（11）。本发明的优点在于：盖帽内软质材料灌封能够保护芯片和引线键合在环境应力(尤其是温度变化应力)下不受损伤，又能发挥整体硬质灌封的抗冲击防护作用。盖帽保护结构能够有效防止硬质材料对软质材料的挤压影响和温度应力影响，使芯片和引线键合得到进一步的保护，提高了产品的组装可靠性。
一种芯片集成电路冲击封装结构

[发明专利]一种用于制备氮化栅极介质层的装置及方法-CN201410686538.2在审
发明人：肖天金;邱裕明 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-11-25 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于制备氮化栅极介质层的装置及方法，通过对DPN工艺腔增设相配套的冷却单元，可在DPN工艺腔内部或外部将硅片冷却到-100～0℃，并在制备氮化栅极介质层时的DPN工艺前，对硅片进行冷却，使所述硅片可在低于室温的工艺温度下进行DPN工艺，因而降低了氮离子的扩散效应，使更多的氮离子聚集在二氧化硅介质层的上表面，能够打断更多的Si-O键来与氮离子键合，因此可以掺入更多的氮离子，提高等离子氮化栅极介质层的上表面氮含量，并因此提高了等效氧化物厚度，抑制了硼离子从栅极多晶硅扩散到栅氧中，实现既能降低漏电流密度，增加驱动电流，又能提供高的栅极电容，从而提高了器件的可靠性。
一种用于制备氮化栅极介质装置方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 20478 条