“薛忠营”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果175个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种晶体生长方法、装置及RF-SOI基材-CN202211734788.X在审
发明人：魏星;刘文凯;薛忠营;刘赟;戴荣旺;李名浩;俞跃辉 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本申请提供一种晶体生长方法、装置及RF‑SOI基材，应用于晶体生长技术领域，其中晶体生长方法包括：控制第一超导线圈产生第一电流，以及控制第二超导线圈产生第二电流，其中第一电流的数值与第二电流的数值不相等，第一超导线圈和第二超导线圈为相对设置地分布于坩埚外且用于在坩埚内部产生磁场的超导线圈；基于所述第一电流和所述第二电流在所述坩埚内产生的非对称磁场进行单晶直拉生长。通过调整线圈电流比为1:n来获得非对称水平磁场，进而可以通过采用非对称水平磁场来抑制熔体流动，进而基于非对称水平磁场对熔体不同抑制作用可获得非对称对流结构，能够显著降低直拉法单晶硅晶体中的氧含量。
一种晶体生长方法装置 rf soi 基材

[发明专利]一种石墨烯转移方法-CN202310072241.6在审
发明人：姜海涛;狄增峰;张苗;薛忠营;田子傲 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C01B32/194 文献下载
摘要：本发明涉及一种石墨烯转移方法，包括：石墨烯生长、应力层沉积、临时键合胶成膜、衬底贴附、剥离、与目标衬底范德华键合、解键合、清洗、应力层刻蚀。本发明可以获得无掺杂、金属痕迹残留、无破损、无褶皱、原子级平坦的石墨烯，可用于规模化生产、半导体兼容的石墨烯，具有良好的市场应用前景。
一种石墨转移方法

[发明专利]一种具有自对准结构的射频晶体管制备方法-CN202310072253.9在审
发明人：姜海涛;狄增峰;张苗;田子傲;薛忠营 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有自对准结构的射频晶体管制备方法，包括：石墨烯生长、旋涂两种光刻胶、沉积铝和金、Lift‑off、自然氧化、沉积金形成自对准结构、旋涂转移胶、贴附过渡衬底、机械剥离(伴随铝的自氧化)、贴附目标衬底、范德华键合、解离清洗。本发明先在衬底上完成器件结构的预制备，然后整体剥离并转移至目标衬底上。全程对目标衬底未造成任何污染和损伤，大幅提高器件的电学性能。而且该方法与半导体工艺兼容，适于规模化应用。
一种具有对准结构射频晶体管制备方法

[发明专利]石墨烯连续膜的干法转移方法-CN202110988599.4有效
发明人：狄增峰;郭旺;薛忠营 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明提供一种石墨烯连续膜的干法转移方法，采用CVD工艺生长出高质量且大面积连续的石墨烯层，并使用hBN层作为中间层对石墨烯层进行O3加UV光处理，以在两者形成的异质结外围产生缺陷环，最后基于该缺陷环及结合PVA/PDMS载玻片实现对异质结下的石墨烯层的拾取，得到完整且连续的石墨烯层；另外，hBN层作为中间层在实现石墨烯层完成且连续拾取的同时，还可以用作顶栅的栅介质层或石墨烯的保护层，使其免受后续加工过程中各种有机物、聚合物及空气掺杂的影响，使其在CVD石墨烯的射频器件等领域具有潜在的应用价值。
石墨连续转移方法

[发明专利]一种叠层SOI器件结构及制备方法-CN202211362139.1在审
发明人：魏星;高远;薛忠营;常永伟;汪子寒;董晨华 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种叠层SOI器件结构及制备方法。该器件结构自上而下依次包括：顶层硅层、隔离层A、配置层、隔离层B、衬底硅层，所述器件结构还包括顶硅层有源区、位于所述顶硅层有源区外端的浅沟槽隔离区、位于所述配置层外端的有源区、依次贯穿所述浅沟槽隔离区和隔离层A的通孔、依次贯穿所述浅沟槽隔离区、隔离层A以及配置层的深沟槽隔离区，所述顶硅层有源区包括：位于所述顶层硅层上方的栅极、栅介质层，位于所述顶层硅层横向两端的源极和漏极，位于所述配置层外端的有源区包括：位于通孔下方的第一P型区，位于漏极左侧的N型区，位于N型区左侧的第二P型区。该器件结构能够避免背栅偏压过补偿对器件其他性能的影响。
一种 soi 器件结构制备方法

[发明专利]一种P型高阻及超高阻直拉单晶硅衬底的制备方法-CN202211360231.4在审
发明人：魏星;李名浩;戴荣旺;汪子文;薛忠营 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种P型高阻及超高阻直拉单晶硅衬底的制备方法，本发明控制硅片中的氧含量与电阻率匹配，实现完成器件制造后硅衬底导电类型不发生转变，且具有高的电阻率；可定氧含量改变掺杂量或定电阻率改变氧含量或两者同时改变，灵活操作，大大提高高阻硅晶体的良率。
一种型高阻超高阻直拉单晶硅衬底制备方法

[发明专利]具有石墨烯气泡的石墨烯结构及其制备方法-CN201810062548.7有效
发明人：狄增峰;贾鹏飞;薛忠营;郑晓虎;张苗;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2018-01-23 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明提供一种具有石墨烯气泡的石墨烯结构及其制备方法，制备方法包括：提供一衬底；于衬底上表面形成氢钝化层和位于氢钝化层上表面的石墨烯层；将一探针置于石墨烯层上，并给探针施加一预设电压，以激发探针对应位置的部分氢钝化层转换成氢气，氢气使得其对应位置的石墨烯层凸起以形成包覆氢气的石墨烯气泡。通过上述方案，本发明提供一种具有石墨烯气泡的石墨烯结构以及该石墨烯结构的制备方法，本发明的技术方案可以精确地控制石墨烯气泡的形成位置，并实现了石墨烯气泡的大小以及形状等的高度可控，本发明的制备方法操作简单，具有很强的可操作性和实用价值。
具有石墨气泡结构及其制备方法

[发明专利]超结器件结构及其制备方法-CN201910364377.8有效
发明人：徐大朋;黄肖艳;薛忠营;罗杰馨;柴展 -专利权人：上海功成半导体科技有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种超结器件结构及其制备方法，所述超结器件结构包括：第一导电类型的半导体衬底；外延叠层，形成于所述半导体衬底上；所述外延叠层包括至少两种沿所述外延叠层的厚度方向交替叠置的第一导电类型的外延层，且其中至少一种所述外延层具有与所述半导体衬底不同的晶格常数；第二导电类型的柱结构，形成于所述外延叠层中，且沿所述外延叠层的厚度方向延伸。本发明通过生长具有不同晶格常数的外延层，引入晶格缺陷，增加载流子复合几率，以优化超结功率器件的反向恢复特性；通过引入至少两种外延层交替叠置的外延叠层，得到均匀可控的缺陷分布。本发明所提供的制备方法工艺简单且成本较低，适用于大批量生产。
器件结构及其制备方法

[发明专利]一种表征硅晶体中缺陷的方法-CN202110260251.3有效
发明人：魏星;刘赟;薛忠营 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本申请公开了一种表征硅晶体中缺陷的方法，所述方法包括：对硅晶体的表面进行蚀刻，以去除目标厚度的硅晶体；对蚀刻后的所述硅晶体的水平表面进行光散射扫描，以得到所述水平表面的光散射颗粒扫描图、缺陷的光散射等效尺寸以及缺陷体密度；根据所述水平表面的光散射颗粒扫描图、所述光散射等效尺寸和所述缺陷体密度中的至少一种确定硅晶体中存在的缺陷的类型和/或每种缺陷在水平面上存在的缺陷区间。所述方法可以减少缺陷表征周期、减少表征成本、同时表征多种缺陷(空洞，氧沉淀，位错)，还可以提高表征精度，能够实现缺陷类型与缺陷区间的区分，具有高可靠性，适用所有晶体缺陷类别，操作简便，为一种环境友好型的原生缺陷检测手段。
一种表征晶体缺陷方法

[发明专利]超结MOS器件结构及其制备方法-CN201910371948.0有效
发明人：罗杰馨;薛忠营;柴展;徐大朋;黄肖艳 -专利权人：上海功成半导体科技有限公司
申请日： 2019-05-06 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种超结MOS器件结构及其制备方法。超结MOS器件结构包括第一导电类型衬底；第一导电类型外延层；多个第二导电类型柱；多个第二导电类型阱区；第一导电类型源区；第二导电类型阱引出区；栅极；栅极间隔层，位于栅极内，包括间隔绝缘层及间隔金属层，间隔绝缘层位于第一导电类型柱的上表面，间隔金属层位于间隔绝缘层的上表面；源极金属层，位于第二导电类型阱引出区的表面及第一导电类型源区的表面；漏极金属层，位于第一导电类型衬底远离第一导电类型外延层的表面。本发明能有效降低超结MOS器件体内的反向恢复电荷、缩短超结器件的反向恢复时间，由此能够降低器件损耗，减小开关过程中的噪声干扰，进一步提升超结器件性能。
mos 器件结构及其制备方法

[发明专利]半导体器件结构的制备方法-CN202010166908.5有效
发明人：徐大朋;薛忠营;罗杰馨;柴展 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件结构的制备方法，制备方法包括：提供第一基底，并在其中形成第一柱结构，将第一基底与第二基底键合，去除部分第一基底并在第一柱结构对应位置处形成第二柱结构，第二柱结构与第一柱结构构成联合柱结构。本发明在第一沟槽及第一柱结构的制备的同时，引入了第二基底及第二沟槽，并形成第二柱结构，得到联合柱结构，从而可以第二沟槽改变第一沟槽的形貌，从而可以得到需要形状的联合柱结构，以适应器件的需求，可以解决由于第一沟槽的形貌的限制所带来的器件结构中电荷不平衡的问题，改善了电场的重新分布，提高了器件的耐压水平，提高器件性能。
半导体器件结构制备方法

[发明专利]一种薄膜材料集成方法-CN202210604165.4在审
发明人：狄增峰;刘冠宇;田子傲;姜海涛;薛忠营;张苗 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜材料集成方法，包括提供一基底；形成石墨烯层于所述基底的上表面；形成至少一功能材料层于所述石墨烯层的上表面；形成刚性临时基底层于所述石墨烯层的上表面，所述刚性临时基底层覆盖所述功能材料层；将由所述刚性临时基底层、所述功能材料层组成的叠层结构从所述石墨烯层表面机械剥离；将所述叠层结构转移至目标衬底，所述功能材料层与所述目标衬底的表面接触；去除所述刚性临时基底层，并使所述功能材料层留在所述目标衬底的表面。本发明通过选用刚性临时基底，有利于减小功能材料层在工艺过程中的变形，实现与目标衬底的晶圆级对准集成。
一种薄膜材料集成方法

[发明专利]TMDs二维材料薄膜、器件及制备方法-CN202010006214.5有效
发明人：张苗;狄增峰;薛忠营;王晨;田子傲;陈玉龙 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C01G41/00 文献下载
摘要：本发明提供一种TMDs二维材料薄膜、器件及制备方法，基于高温热分解法，将TMDs前驱体盐熔融，以形成与生长衬底的表面相接触的溶解盐层及位于溶解盐层上方的TMDs二维材料薄膜；由于溶解盐层的溶解性，只需采用溶液即可将TMDs二维材料薄膜与生长衬底分离，并在溶液中完成TMDs二维材料薄膜的转移，可提供操作便捷、工艺简单、无污染、安全性高、制备面积大以及性能好的TMDs二维材料薄膜及器件。
tmds 二维材料薄膜器件制备方法

[发明专利]一种NiGe/n-Ge肖特基二极管的制备方法-CN202210185094.9在审
发明人：张波;丁华俊;薛忠营;魏星 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明涉及一种NiGe/n‑Ge肖特基二极管的制备方法。该方法包括：将Ge片作为衬底，预处理；然后Ge片上长隔离层，光刻出图形，再经过一次光刻；依次蒸镀Al和Ni，然后去除不在图形内的金属；退火，再去除多余的Ni，蒸镀正反电极。该方法可以有效缓解费米能级钉扎效应，降低NiGe/n‑Ge肖特基势垒高度，并且使得NiGe在400℃到600℃保持热稳定性。
一种 nige ge 肖特基二极管制备方法

[发明专利]一种晶圆表面处理方法-CN202111269451.1在审
发明人：魏星;戴荣旺;汪子文;薛忠营;陈猛;徐洪涛 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆表面处理方法。本发明通过控制处理过程中各个阶段的气体配置以及相应的升温退火和降温氧化减薄过程，使最终晶圆表面粗糙度小于5A，有效减少了最终处理工艺成本，具有良好的应用前景。
一种表面处理方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
下一页»
尾页
共 175 条