“李承勋”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果222个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]细胞培养容器-CN201880046753.2有效
发明人：张仙虎;具松熙;徐寅踊;李承勋;金灿 -专利权人：阿莫生命科学有限公司
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C12M1/12 文献下载
摘要：提供一种细胞培养容器。本发明一个实施例的细胞培养容器具备在内部容纳细胞培养支撑体的作为内部空间的容纳部，其中，所述细胞培养容器包括用于使所述细胞培养支撑体固定于所述容纳部的下部面所需的固定构件，所述固定构件包括：第一粘合层，所述第一粘合层附着于所述容纳部的下部面；第二粘合层，所述第二粘合层与所述细胞培养支撑体的下部面附着；及支撑膜，所述支撑膜介于所述第一粘合层及第二粘合层之间，执行支撑功能；所述第二粘合层与细胞培养支撑体之间的粘合力体现得大于所述第一粘合层与容纳部的下部面之间的粘合力。
细胞培养容器

[发明专利]优化弓形线的方法和使用该方法的装置-CN202180087567.5在审
发明人： 李承勋;金进英 -专利权人：株式会社美迪特
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： A61C9/00 文献下载
摘要：根据本发明的弓形线优化方法包括以下步骤：基于具有预定曲率半径的圆的圆弧生成司匹曲线；以及基于司匹曲线改变三维弓形线。
优化弓形方法使用装置

[发明专利]半导体器件-CN201711128763.4有效
发明人：金锡勋;李炫姃;金坰喜;金善政;金真范;慎一揆;李承勋;李峭蒑;申东石 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件，该半导体器件能够通过在源极/漏极区域中形成含碳的半导体图案来改善短沟道效应。该半导体器件包括：第一栅电极和第二栅电极，在鳍型图案上彼此间隔开；凹陷，形成在第一栅电极与第二栅电极之间的鳍型图案中；以及半导体图案，包括沿凹陷的轮廓形成的下半导体膜和在下半导体膜上的上半导体膜，其中下半导体膜包括顺序地形成在鳍型图案上的下外延层和上外延层，并且上外延层的碳浓度大于下外延层的碳浓度。
半导体器件

[发明专利]用于从培养基去除气泡的气泡去除装置及包括其的培养基循环式细胞培养系统-CN202180087612.7在审
发明人：张仙虎;李承勋;徐寅踊;金灿;韩景九;金载润 -专利权人：阿莫绿色技术有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C12M1/21 文献下载
摘要：本发明提供用于从培养基去除气泡的气泡去除装置。本发明例示性实施例的用于从培养基去除气泡的气泡去除装置包括：外壳，包括内部空间、流入口及流出口，上述内部空间用于储存规定量的上述培养基，上述流入口使上述培养基从外部向上述内部空间流入，上述流出口在上述内部空间中向外部排出去除气泡的状态的培养基；以及支撑部，与上述外壳相结合，以便于能够以从底面隔开规定高度的状态维持上述外壳，上述内部空间包括：第一空间，填充规定量的上述培养基；第二空间，位于上述第一空间的上部，不填充上述培养基，上述第一空间及第二空间根据从外部通过上述流入口向上述内部空间流入的上述培养基的水位区分。
用于培养基去除气泡装置包括循环细胞培养系统

[发明专利]转印膜及其制备方法-CN202180075885.X在审
发明人：柳茂善;任巨赫;李承勋 -专利权人：乐尔幸华奥斯株式会社
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： B41M5/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种转印膜及其制备方法，该转印膜使用包括具有脱模性的表面保护层的硬涂层来改善转印后载体膜撕裂或载体膜残留在最终产品中的问题。
转印膜及其制备方法

[发明专利]半导体器件-CN201710217824.8有效
发明人：徐东灿;卓容奭;朴起宽;朴美善;梁炆承;李承勋;P.唐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-04-05 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开提供了半导体器件。一种半导体器件至少包括第一线图案、栅电极、半导体图案、栅绝缘层和第一间隔物。第一线图案在衬底上并与衬底分隔开。栅电极围绕第一线图案并交叉第一线图案。半导体图案在第一线图案的两侧，并且半导体图案包括交叠第一线图案的部分。栅绝缘层设置在栅电极与第一线图案之间，并且栅绝缘层围绕第一线图案。第一间隔物在第一线图案与衬底之间，并且第一间隔物在栅绝缘层与半导体图案之间。
半导体器件

[发明专利]从三维模型确定对象体区域的方法和三维模型处理装置-CN202180072440.6在审
发明人：金斗洙;李承勋 -专利权人：株式会社美迪特
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G06T17/00 文献下载
摘要：本公开的一方面提供一种区域确定方法，从关于口腔的三维模型确定对应于对象体的区域，其中，所述区域确定方法包括如下步骤：获取所述三维模型，在所述三维模型上确定种子点，基于所述种子点在所述三维模型上确定基准点，基于所述基准点逐渐扩大选择区域来确定对应于对象体的区域，以及在所述三维模型上显示所确定的区域。
三维模型确定对象区域方法处理装置

[发明专利]用于管理安全凭证管理系统中的注册证书的方法和装置-CN201910831962.4有效
发明人：李锡雨;金德洙;金义锡;沈相奎;李钟国;高东勋;金政煜;徐祥源;奇正恩;李承勋 -专利权人：潘塔安全系统公司
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H04L9/32 文献下载
摘要：一种用于管理用于V2X通信的SCMS中的注册证书的方法可以包括：从设备配置管理器DCM接收请求生成证书签署请求CSR的授权的消息；经由管理最终实体EE的性能和要求的认证实验室来更新设备认证数据，并通过使用更新的设备认证数据来验证请求向DCM发布注册证书的EE；基于验证的结果向DCM发送指示针对生成CSR的授权的响应数据；从DCM接收根据所述响应数据而生成的CSR；以及验证所接收的CSR，并基于验证的结果来向注册证书授权机构(ECA)请求针对CSR的响应数据。
用于管理安全凭证系统中的注册证书方法装置

[发明专利]用于预防或改善脱发的包含有效成分董尼酮的组合物-CN201980020191.9有效
发明人：苏弘燮;金亨珍;迪本德拉·卡德卡;吴奇洙;李承勋 -专利权人：（株）娜迪安生物公司
申请日： 2019-01-18 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： A61K31/343 文献下载
摘要：本发明涉及用于预防或改善化疗诱发的脱发的药物组合物，该药物组合物包含作为活性成分的董尼酮化合物、其药学上可接受的盐、其前药、其溶剂化物或其异构体。将本发明的董尼酮化合物给药至由给药抗癌药物所诱发的脱发的动物模型，结果观察到脱发以及毛囊和内根鞘的消除减少了。因此，董尼酮化合物、其药学上可接受的盐、其前药、其溶剂化物或其异构体可以有效地用在用于预防或改善由抗癌疗法引起的脱发的药物组合物中。
用于预防改善脱发包含有效成分董尼酮组合

[发明专利]集成电路装置-CN201810253757.X有效
发明人：赵南奎;林青美;成金重;李承勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-03-26 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种集成电路装置包括：第一鳍有源区，在与衬底的顶表面平行的第一方向上延伸；第二鳍有源区，在所述第一方向上延伸且在与所述第一方向不同的第二方向上与所述第一鳍有源区间隔开；栅极线，与所述第一鳍有源区及所述第二鳍有源区交叉；第一源极/漏极区，在所述第一鳍有源区中位于所述栅极线的一侧；以及第二源极/漏极区，在所述第二鳍有源区中位于所述栅极线的一侧且面对所述第一源极/漏极区，其中所述第一源极/漏极区的与所述第一方向垂直的横截面相对于所述第一源极/漏极区在所述第二方向上的中心线具有不对称形状，所述中心线在与所述衬底的所述顶表面垂直的第三方向上延伸。
集成电路装置

[发明专利]用于预防或改善与抗癌药物治疗相关的副作用的药物组合物-CN202310196078.4在审
发明人：苏弘燮;金亨珍;吴奇洙;李承勋;迪本德拉·卡德卡 -专利权人：（株）娜迪安生物公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： A61K31/353 文献下载
摘要：本发明涉及包含基于萘醌的化合物作为活性成分的组合物，其用于预防或改善作为与抗癌药物治疗相关的副作用的疲劳、恶病质、疼痛、认知减退和造血干细胞减少。具体地，已经证实基于萘醌类化合物，董尼酮和β‑拉帕醌减少由抗癌药物治疗增加的炎性细胞因子的分泌和产生，并且预防作为与抗癌药物治疗相关的副作用的疲劳、恶病质、认知减退和造血干细胞减少，并且因此，董尼酮和β‑拉帕醌化合物、其药学上可以接受的盐、前药、溶剂化物或异构体可有效地用作药物组合物，所述药物组合物用于预防或改善任意一种或多种选自疲劳、恶病质、疼痛、认知减退和造血干细胞减少的与抗癌药物治疗相关的副作用。
用于预防改善抗癌药物治疗相关副作用组合

[实用新型]一种声频响应的调节结构及扬声器-CN202222496294.4有效
发明人：郑铭景;詹竣凯;罗松成;李承勋;陈昱辰;郑旭翔;王志哲;方维伦 -专利权人：星传科技股份有限公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H04R1/22 文献下载
摘要：本申请提供了一种声频响应的调节结构及扬声器，该声频响应的调节结构包括设置在前腔与背腔之间的共振腔以及用于开闭共振腔的阀门结构，该扬声器包括扬声器主体以及封装在扬声器主体内的声频响应的调节结构。本申请提供的声频响应的调节结构，通过阀门结构调节共振腔的开闭程度来调整腔体有关的声学阻抗，进而达到调整声学频率响应的目的。显然，设置有该声频响应的调节结构的扬声器，也能够具有声频调节功能而能够在工作时具有良好的音质效果。
一种声频响应调节结构扬声器

[发明专利]有机晶体管-CN201880012833.6有效
发明人：林潽圭;鲁容泳;李志永;李承勋 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10K10/46 文献下载
摘要：本说明书涉及有机晶体管，其包括：源电极；漏电极；栅电极；绝缘层；以及具有一个或更多个层的有机半导体层，其中所述有机半导体层中的一个或更多个层包含由式1表示的化合物。
有机晶体管

[发明专利]包括源/漏层的半导体器件及其制造方法-CN202210637775.4在审
发明人：柳亥俊;崔庆寅;金成玟;李承勋;金真范 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体器件包括第一沟道和第二沟道、第一栅极结构和第二栅极结构、第一源/漏层和第二源/漏层、第一鳍间隔物和第二鳍间隔物、以及第一蚀刻停止图案和第二蚀刻停止图案。第一沟道竖直设置在衬底的第一区域上。第二沟道竖直设置在衬底的第二区域上。第一栅极结构形成在第一区域上并且覆盖第一沟道。第二栅极结构形成在第二区域上并且覆盖第二沟道。第一源/漏层和第二源/漏层分别接触第一沟道和第二沟道。第一鳍间隔物和第二鳍间隔物分别接触第一源/漏层和第二源/漏层的侧壁和上表面。第一蚀刻停止图案和第二蚀刻停止图案分别形成在第一鳍间隔物和第二鳍间隔物上，并且分别不接触第一源/漏层和第二源/漏层。
包括半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及制造其的方法-CN202210423953.3在审
发明人：金傔;金真范;金东宇;申东石;李商文;李承勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：包含有源图案的基板、在有源图案上的沟道图案和源极/漏极图案、提供在沟道图案上并在第一方向上延伸的栅电极、以及联接到源极/漏极图案的有源接触。有源接触包括掩埋在源极/漏极图案中的掩埋部分以及在掩埋部分上的接触部分。掩埋部分包括提供在源极/漏极图案的下部中的扩展部分以及将接触部分连接到扩展部分的垂直延伸部分。
半导体器件制造方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
下一页»
尾页
共 222 条