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[发明专利]多晶硅的制造方法-CN200710305936.5有效
发明人：张泽龙;李炳一;李永浩;张锡弼 -专利权人：泰拉半导体株式会社
申请日： 2007-12-27 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本发明提供可以适用于LCD等平板显示器的TFT用多晶硅的制造方法。本发明的多晶硅的制造方法包括以下步骤：(a)在非晶质硅上供给含有金属的源气体的步骤；(b)通过调节吸附压力、吸附时间和吸附温度中的至少一个来使规定量的源气体吸附在上述非晶质硅上的步骤；(c)将上述(b)中未吸附于上述非晶质硅上的源气体除去的步骤；(d)在吸附有源气体的上述非晶质硅上供给辅助气体的步骤；(e)通过吸附在上述非晶质硅上的源气体与上述辅助气体发生反应，从而最终在上述非晶质硅上吸附规定量的金属的步骤；(f)对吸附有上述金属的非晶质硅进行热处理的步骤。根据本发明，具有以下效果：可以适当且微细地调节吸附于非晶质硅薄膜上的金属的量，可以在利用金属诱导结晶化方式进行硅的结晶化时，在降低结晶化温度的同时防止金属所导致的污染。
多晶制造方法

[发明专利]光伏元件及其制造方法-CN201480016801.5有效
发明人：小林英治 -专利权人：长州产业株式会社
申请日： 2014-03-18 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：所述光伏元件(10)包括n型结晶半导体基板(11)、在n型结晶半导体基板(11)的一侧层叠的p型非晶质系硅薄膜(13)、以及在n型结晶半导体基板(11)的另一侧层叠的n型非晶质系硅薄膜(15)，所述光伏元件(10)具有存在于n型结晶半导体基板(11)和p型非晶质系硅薄膜(13)之间的本征非晶质系硅薄膜(12)，n型结晶半导体基板(11)和n型非晶质系硅薄膜(15)直接接合，n型非晶质系硅薄膜(15)侧被用作光入射面
元件及其制造方法

[发明专利]低温多晶硅薄膜及其制备方法、薄膜晶体管和显示面板-CN201710267543.3有效
发明人：杨昕 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温多晶硅薄膜及其制备方法、薄膜晶体管和显示面板，其中，所述低温多晶硅薄膜的制备方法，包括：沉积多层具有不同膜质参数的非晶硅层；其中，所述膜质参数包括折射率参数和/或导热系数参数；对所述多层具有不同膜质参数的非晶硅层进行脱氢处理；以及对脱氢处理后的非晶硅层进行晶化处理，形成低温多晶硅薄膜。本发明实施例通过沉积多层具有不同膜质参数的非晶硅层，不同膜质参数的非晶硅折射率、导热系数不同，有利于在晶化过程中形成大尺寸晶粒，使得有源层低温多晶硅的晶界较少，可减小薄膜晶体管导通时的漏电流，提高薄膜晶体管的电性能
低温多晶薄膜及其制备方法薄膜晶体管显示面板

[发明专利]异质接面太阳能电池及其制造方法-CN201611119537.5在审
发明人：黃玉君;吴春森;翁敏航;叶昌鑫;田伟辰 -专利权人：财团法人金属工业研究发展中心
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开一种异质接面太阳能电池，包含：配置于半导体基板相对两侧的第一本质非晶硅层与第二本质非晶硅层、配置于第一本质非晶硅层上的P型非晶硅层、配置于第二本质非晶硅层上的N型非晶硅层、配置于P型非晶硅层上的第一透明导电层、配置于N型非晶硅层上的第二透明导电层、配置于第一透明导电层上的多个电极线及覆盖第二透明导电层的电极层。
透明导电层太阳能电池非晶硅层异质接面配置电极层短波长光电转换效率半导体基板短路电流二次吸收光线反射技术功效相对两侧电极线太阳光覆盖制造

[发明专利]制造液晶显示器的方法以及形成复晶硅层的方法-CN03155806.2有效
发明人：石储荣;蔡耀铭 -专利权人：统宝光电股份有限公司
申请日： 2003-08-22 - 公布日： 2004-04-07 - 主分类号： G02F1/1345 文献下载
摘要：本发明提供一种用于液晶显示器中的复晶硅层的形成方法，包括以下步骤。首先，提供一绝缘基板，在绝缘基板上形成沉积一非晶硅层。接着，使非晶硅层结晶化，而形成一表面具有凸出部分的复晶硅层。接着，在复晶硅层上形成一改质层，以改质复晶硅层表面的凸出部分，改质层为氧化硅层或氮化硅层。最后，除去改质层，并同时除去复晶硅层表面的凸出部分，而得到表面较平坦的复晶硅层。
制造液晶显示器方法以及形成复晶硅层

[发明专利]非晶质硅膜的形成方法-CN201710201313.7有效
发明人：崔暎喆 -专利权人：圆益IPS股份有限公司
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明提供一种非晶质硅膜的形成方法，并且包括如下步骤：沉积步骤，在腔室内的基板上沉积非晶质硅膜；后处理步骤，为了改善所述非晶质硅膜的蚀刻速率或者表面粗糙度，利用等离子体激活后处理气体，在所述非晶质硅膜上部表面部执行后处理
非晶质硅膜形成方法

[发明专利]薄膜光电转换装置及其制造方法-CN201280043703.1有效
发明人：门田直树;佐佐木敏明 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2012-09-04 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L31/076 文献下载
摘要：本发明涉及含有非晶质锗光电转换层（53）的薄膜光电转换装置。本发明的薄膜光电转换装置包含非晶质锗光电转换单元（5），其在p型半导体层（51）和n型半导体层（54）之间具有实质上本征的、且实质上不含硅原子的非晶质锗光电转换层（53）。在一种实施方式所涉及的本发明的薄膜光电转换装置中，在比非晶质锗光电转换单元（5）更接近光入射侧，配置了具有晶质硅光电转换层（43）的晶质硅光电转换单元（4）。在一种实施方式中，优选非晶质锗光电转换单元（5）在波长900nm的量子效率为30%以上。
薄膜光电转换装置及其制造方法

[发明专利]非晶质硅膜的结晶方法-CN200410057765.5有效
发明人：柳明官;李镐年;朴宰徹;金亿洙;孙暻锡;李俊昊;权世烈 -专利权人：京东方显示器科技公司
申请日： 2004-08-17 - 公布日： 2005-06-01 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种在玻璃基板或塑料基板等非晶质基板上形成单晶Si膜的方法。其是在液晶显示装置制造时把在非晶质基板上形成的非晶质硅膜通过热源的照射而结晶的非晶质硅膜的结晶方法。其对像素部的TFT形成区域和外部电路部的TFT形成区域的非晶质硅膜部分选择地进行热源的第一次和第二次照射制成多晶体后，对所述多晶内的晶粒中的任何一个进行热源的第三次照射以所需的位置和大小制成单晶区域。本发明因为不必使非晶质硅膜的全部区域结晶，而仅将必要的部分通过单晶硅膜结晶，所以在提高像素部和外部电路部用的TFT特性的同时可确保均匀度。
非晶质硅膜结晶方法

[发明专利]含硅非晶质碳材料及其制造方法、以及锂离子二次电池-CN201480060555.3有效
发明人：八木下洋平;梶浦裕一;山口浩平;片山美和;小田亘;滨井健太;本田知广;冈崎精二;坂本明男 -专利权人：户田工业株式会社
申请日： 2014-10-29 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01M4/587 文献下载
摘要：本发明提供一种作为使用在锂离子二次电池等的负极的材料的含硅非晶质碳材料，在充放电时，所述使用在锂离子二次电池等的负极的材料的体积变化小，且所述使用在锂离子二次电池等的负极的材料的循环特性能够得到实用上的改善本发明的含硅非晶质碳材料(1)具备易石墨化非晶质碳(4)，易石墨化非晶质碳中含有由SiOx(0＜x＜2)构成的氧化硅粒子，在氧化硅粒子的周围形成有空隙。含硅非晶质碳材料(1)的含硅率为1重量％以上50重量％以下。
含硅非晶质碳材料及其制造方法以及锂离子二次电池

[发明专利]用于太阳能电池的无气泡的多晶硅-CN201910521783.0有效
发明人：邱泰庆;吉勒·奥拉夫·普兰;佩里纳·雅弗雷努;纳丹·哈布卡;谢尔盖·菲洛诺维希 -专利权人：太阳能公司;道达尔销售服务公司
申请日： 2016-03-15 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：在一个实施例中，制造太阳能电池的方法包括在基板的背表面上形成非晶介电层，所述基板的所述背表面与所述基板的光接收表面相对。所述方法还包括通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在所述非晶介电层上形成微晶硅层。所述方法还包括通过PECVD在所述微晶硅层上形成非晶硅层。所述方法还包括对所述微晶硅层和所述非晶硅层进行退火以由所述微晶硅层和所述非晶硅层形成均质多晶硅层。所述方法还包括由所述均质多晶硅层形成发射极区。
用于太阳能电池气泡多晶

[发明专利]用于太阳能电池的无气泡的多晶硅-CN201680018248.8有效
发明人：邱泰庆;吉勒·奥拉夫·普兰;佩里纳·雅弗雷努;纳丹·哈布卡;谢尔盖·菲洛诺维希 -专利权人：太阳能公司;道达尔销售服务公司
申请日： 2016-03-15 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：在一个实施例中，制造太阳能电池的方法包括在基板的背表面上形成非晶介电层，所述基板的所述背表面与所述基板的光接收表面相对。所述方法还包括通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在所述非晶介电层上形成微晶硅层。所述方法还包括通过PECVD在所述微晶硅层上形成非晶硅层。所述方法还包括对所述微晶硅层和所述非晶硅层进行退火以由所述微晶硅层和所述非晶硅层形成均质多晶硅层。所述方法还包括由所述均质多晶硅层形成发射极区。
用于太阳能电池气泡多晶

[发明专利]一种双面钝化晶硅太阳能电池及其制备方法-CN201210590800.4有效
发明人：赵科新;赵崇凌;李士军;张健;张冬;洪克超;徐宝利;钟福强;陆涛;许新;王刚;刘兴;张妍;王学敏;李松;屈秋霞;张缔;朱龙来;徐浩宇;闫用用 -专利权人：中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司
申请日： 2012-12-29 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明属于晶体硅太阳能电池的技术领域，具体地说是一种双面钝化晶硅太阳能电池及其制备方法。所述结构包括基区、PN结、发射区、第一介质层、第二介质层、第三介质层、铝薄层、第一本征氢化非晶硅层、第二本征氢化非晶硅层、正面电极及背面电极，其中PN结位于基区和发射区之间，第一介质层作为正面减反射层和钝化层，第二介质层作为背面钝化层，所述第三介质层作为背面介质层的盖层，第一本征氢化非晶硅层位于第一介质层和发射区之间，第二本征氢化非晶硅层位于基区和第二介质层之间，铝薄层位于第三介质层的外侧，正面电极和背面电极分别置于晶硅太阳能电池正面和背面
一种双面钝化太阳能电池及其制备方法

[发明专利]对硅膜或锗膜或硅锗膜进行成膜的方法和装置-CN201910132739.0在审
发明人：高木聪 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种对硅膜或锗膜或硅锗膜进行成膜的方法和装置。提供一种能够在单晶硅或单晶锗或单晶硅锗上大致完全地对非晶质的硅膜或锗膜或硅锗膜进行成膜的技术。具备如下工序：第1工序，在该第1工序中，准备具有单晶硅或单晶锗或单晶硅锗作为被处理面的被处理体；第2工序，在该第2工序中，使卤元素吸附于被处理体的被处理面；第3工序，在该第3工序中，向被处理体供给用于对硅膜或锗膜或硅锗膜进行成膜的原料气体，在被处理体的被处理面上对非晶质硅膜或非晶质锗膜或非晶质硅锗膜进行成膜。
锗膜成膜被处理体硅锗膜硅膜单晶硅方法和装置单晶硅锗单晶锗非晶质非晶质硅膜被处理面非晶质硅原料气体卤元素吸附

[发明专利]半导体结构-CN01804746.7无效
发明人：珈玛尔·拉丹尼;拉艾德兰斯·德鲁帕德;林迪·L·西尔特;科特·W·埃森贝瑟 -专利权人：摩托罗拉公司
申请日： 2001-02-08 - 公布日： 2003-05-07 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：通过首先在硅晶片(22)上生长出调节缓冲层(24)可以生长出覆盖较大硅晶片的高质量复合半导体材料外延层。调节缓冲层是单晶氧化物层，其中氧化硅非晶质分界层(28)将调节缓冲层与硅晶片分离开。非晶质分界层消除变形并且允许生长出高质量单晶氧化物调节缓冲层。调节缓冲层与底层硅晶片和覆盖的单晶复合半导体层(26)晶格匹配。通过非晶质分界层消除调节缓冲层和底层硅质基底之间的任何晶格失配。
半导体结构

[发明专利]二次电池用负极活性物质及二次电池-CN202080090406.7在审
发明人：内山洋平;佐藤阳祐;朝野泰介;冈崎敬太 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：二次电池用负极活性物质具备硅酸盐复合颗粒，所述硅酸盐复合颗粒包含：结晶性的硅颗粒；包含Li元素、O元素、及Si元素的非晶质相；和氧化硅相，非晶质相内分散有硅相及前述硅颗粒。
二次电池负极活性物质

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