专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]处理的输送方法和处理处理装置-CN201080018391.X无效
  • 阪上博充 - 东京毅力科创株式会社
  • 2010-09-22 - 2012-04-11 - H01L21/677
  • 本发明提供一种处理的输送方法和处理处理装置。公开了一种即使缩短各种处理处理时间也能够抑制生产率达到极限的情况的处理的输送方法。在该输送方法中,将多个加载互锁室构成为能够收容多个处理,将处理前的第1处理输入到多个加载互锁室中,使用输送装置将处理完毕的第2处理从多个处理室相对于输送室同时输出,从输送室将处理完毕的第2处理同时输入到多个加载互锁室中,使用输送装置将处理前的第1处理从多个加载互锁室相对于输送室同时输出,从输送室(31)将处理前的第1处理同时输入到多个处理室中。
  • 处理输送方法装置
  • [发明专利]处理处理的方法-CN202310384766.3在审
  • 木原嘉英;久松亨;田端雅弘 - 东京毅力科创株式会社
  • 2018-04-18 - 2023-06-06 - H01L21/311
  • 本发明提供一种在被处理有区域选择性地控制性良好地成膜的技术。一实施方式的方法包括在收纳有处理处理容器内生成第1气体的等离子,经处理的开口对处理蚀刻层各向异性地进行蚀刻的步骤,在该步骤之后还包括反复实施包括下述步骤的流程在开口的内侧的表面形成膜的步骤,流程包括:向处理容器内供给第2气体的第1步骤;对处理容器内的空间进行吹扫的第2步骤;在处理容器内生成包含氧原子的第3气体的等离子的第3步骤;对处理容器内的空间进行吹扫的第4步骤,第1气体包含碳原子和氟原子,第2气体包含氨基硅烷类气体,蚀刻层是含有硅的亲水性的绝缘层,第1步骤不生成第1气体的等离子
  • 处理方法
  • [发明专利]处理处理的方法-CN202211541768.0在审
  • 田端雅弘 - 东京毅力科创株式会社
  • 2018-08-24 - 2023-03-03 - H01L21/66
  • 本发明提供一种处理处理的方法,其在被处理上的图案形成中抑制高精度的最小线宽的偏差。利用与ALD法同样的方法反复执行第一步骤的膜形成处理中形成的膜的膜厚根据形成该膜的面的温度而不同,基于上述情况,为了降低晶片的表面中沟槽的偏差,在按晶片的表面的每一区域调节温度之后进行膜形成处理,能够降低晶片的表面中的沟槽的偏差当形成有膜的沟槽的沟槽宽度比基准宽度窄时,为了扩展沟槽宽度,利用与ALE法同样的方法进行反复执行第2流程的蚀刻处理,各向同性地均匀地蚀刻设置在沟槽的内表面的膜。
  • 处理方法
  • [发明专利]处理处理的方法-CN201710659499.0有效
  • 森北信也;伴瀬贵德;瀬谷祐太;新妻良祐 - 东京毅力科创株式会社
  • 2017-08-04 - 2021-03-23 - H01L21/3065
  • 一个实施方式的处理处理的方法,其中,处理包括蚀刻层、设置在被蚀刻层上的有机膜和设置在有机膜上的掩模,有机膜由第1层和第2层构成,掩模设置在第1层上,第1层设置在第2层上,第2层设置在被蚀刻层上,该方法包括:在收纳有处理的等离子处理装置的处理容器内,生成第1气体的等离子,使用等离子和掩模对第1层进行蚀刻直至第2层,在第1层的侧面共形地形成保护膜的工序;和在处理容器内,生成第2气体的等离子,使用等离子除去掩模的工序。
  • 处理方法
  • [发明专利]处理处理的方法-CN201610268935.7有效
  • 木原嘉英;大石智之;久松亨 - 东京毅力科创株式会社
  • 2016-04-27 - 2018-09-07 - H01J37/32
  • 本发明提供一种处理处理的方法,该方法包括:第一步骤,向收纳有处理处理容器内供给包含含硅气体的第一气体;在执行第一步骤之后,在处理容器内生成稀有气体的等离子的第二步骤;在执行第二步骤之后,在处理容器内生成含有氧气的第二气体的等离子的第三步骤;和在执行第三步骤之后,在处理容器内生成稀有气体的等离子的第四步骤。另外,在该方法中,在第二步骤、第三步骤和第四步骤的至少任一者中,对电容耦合型的等离子处理装置的上部电极施加负的直流电压。
  • 处理方法
  • [发明专利]处理处理方法-CN201610300938.4有效
  • 小林史弥;小笠原正宏 - 东京毅力科创株式会社
  • 2016-05-09 - 2019-11-05 - H01L21/3065
  • 本发明提供一种处理处理方法。本发明可在含钨膜中形成具有高垂直性的开口。一个实施方式的方法包括:(i)在等离子处理装置的处理容器内准备处理的工序;(ii)在处理容器内生成含有氯的第1处理气体的等离子的第1等离子处理工序;(iii)在处理容器内生成含有氟的第2处理气体的等离子的第2等离子处理工序;及(iv)在处理容器内生成含有氧的第3处理气体的等离子的第3等离子处理工序。在该方法中,执行多次序列,该序列各自包括第1等离子处理工序、第2等离子处理工序、及第3等离子处理工序。
  • 处理方法
  • [发明专利]处理处理方法-CN201610067618.9有效
  • 木原嘉英;久松亨;大石智之;本田昌伸 - 东京毅力科创株式会社
  • 2016-01-29 - 2018-11-27 - H01L21/02
  • 本发明提供一种处理处理方法,通过该方法,即使掩模的开口的纵横比高,也能够使形成于处理上的氧化硅膜的膜厚偏差降低。在一个实施方式的方法中,反复进行包括以下步骤的流程来形成氧化硅膜:(a)在等离子处理装置的处理容器内,生成包含卤化硅气体的第一气体的等离子,从而在被处理上形成反应前驱的第一步骤;(b)在第一步骤之后,在处理容器内生成稀有气体的等离子的第二步骤;(c)在第二步骤之后,在处理容器内生成包含氧气的第二气体的等离子,形成氧化硅膜的第三步骤;和(d)在第三步骤之后,在处理容器内生成稀有气体的等离子的第四步骤
  • 处理方法
  • [发明专利]处理处理的方法-CN201710754868.4有效
  • 田端雅弘;木原嘉英 - 东京毅力科创株式会社
  • 2017-08-29 - 2021-07-02 - H01L21/027
  • 本发明提供一种在被处理上的图案形成中能够应对伴随着高度集成化的微细化和多样的形状的图案的形成的技术。在一实施方式的处理处理的方法中,处理包括第一凸部、第二凸部、蚀刻层和槽部,槽部设置在该被处理的主面并设置在该被蚀刻层,夹在该第一凸部和该第二凸部之间,槽部的内侧的表面包含在该被处理的该主面,该方法反复执行N次第一流程,其中,N为2以上的整数,第一流程包括:(a)在收纳有处理的等离子处理装置的处理容器内在该被处理的该主面保形地形成保护膜的步骤;和(b)在上述步骤(a)的执行后,由在处理容器内产生的气体的等离子处理中的槽部的底部蚀刻的步骤
  • 处理方法
  • [发明专利]处理处理的方法-CN201780031969.7有效
  • 木原嘉英;久松亨;本田昌伸 - 东京毅力科创株式会社
  • 2017-05-22 - 2023-01-10 - H01L21/3065
  • 本发明提供一种实施方式的方法(MT),在处理对象的晶片(W)的处理层(J1)的蚀刻前,在将被处理层(J1)的主面(J11)划分为多个区域(ER)的基础上,通过步骤(SB2)按多个区域(ER)的每一区域计算出处理层(J1)上所设置的掩模(J2)的槽宽度与该槽宽度的基准值的差值,在步骤(SB6)中,利用表示处理层(J1)的温度与形成的膜的膜厚的对应的对应数据(DT)调节处理层(J1)的温度,以使其成为与多个区域(ER)的每一区域对应的膜厚的膜的形成所需要的温度,利用与(ALD)法同样的膜形成处理在掩模(J2)按每一原子层形成膜,将与差值对应的膜厚的膜(J3)形成与掩模(J2),按多个区域(ER)的每一区域将槽宽度修正为基准值
  • 处理方法
  • [发明专利]处理处理的方法-CN201810971368.0有效
  • 田端雅弘 - 东京毅力科创株式会社
  • 2018-08-24 - 2022-12-23 - H01L21/66
  • 本发明提供一种处理处理的方法,其在被处理上的图案形成中抑制高精度的最小线宽的偏差。利用与ALD法同样的方法反复执行第一步骤的膜形成处理中形成的膜的膜厚根据形成该膜的面的温度而不同,基于上述情况,为了降低晶片的表面中沟槽的偏差,在按晶片的表面的每一区域调节温度之后进行膜形成处理,能够降低晶片的表面中的沟槽的偏差当形成有膜的沟槽的沟槽宽度比基准宽度窄时,为了扩展沟槽宽度,利用与ALE法同样的方法进行反复执行第2流程的蚀刻处理,各向同性地均匀地蚀刻设置在沟槽的内表面的膜。
  • 处理方法
  • [发明专利]处理处理装置-CN201880017568.0有效
  • 加贺美刚;福本英范 - 株式会社爱发科
  • 2018-10-15 - 2023-07-21 - H01L21/3065
  • 本发明的处理处理装置具备:腔室,构造为内部空间能够减压,并且在所述内部空间中对处理进行等离子处理;第一电极,配设在所述腔室内,用于载置所述处理;第一电源,用于对所述第一电极施加负电位的偏置电压在所述第一电极与所述处理之间,设置有以覆盖所述第一电极的方式设置的罩部。在所述第一电极与所述罩部之间,以占据局部区域的方式配置有衬垫部。
  • 处理装置

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