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[发明专利]锗硅HBT器件及其制造方法-CN201110317251.9有效
发明人：刘冬华;胡君;段文婷;石晶;钱文生 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-10-18 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗硅HBT器件，包括有锗硅基区外延层，所述锗硅基区外延层包括自上而下的覆盖层、锗硅层和缓冲层；所述覆盖层为n型掺杂的硅材料；所述锗硅层为锗硅材料，自上而下又分为三个部分，分别是第一n型掺杂部分、p型掺杂部分、第二n型掺杂部分；所述第一n型掺杂部分和p型掺杂部分之间的分界线作为EB结；所述p型掺杂部分和第二n型掺杂部分之间的分界线作为CB结；所述缓冲层为n型掺杂的硅材料。本发明还公开了制造所述锗硅HBT器件的方法。本发明能增加器件和工艺稳定性，改善面内的均匀性，减少原本为控制EB结位置的热过程(退火温度、时间)，可以精确控制锗硅HBT的EB结、CB结位置及两者的反向耐压。
锗硅 hbt 器件及其制造方法

[发明专利]蚀刻方法、蚀刻装置以及存储介质-CN201810275297.0有效
发明人：村上博纪;宫原孝广 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供一种能够通过干法工艺来相对于其它材料选择性地蚀刻锗Ge的技术。以对包含H2气体或NH3气体的蚀刻气体进行了激励的状态向具有锗部分的被处理基板供给该蚀刻气体来蚀刻锗部分。作为锗部分，能够列举锗膜。所述被处理基板具有锗部分和含硅部分，能够相对于所述含硅部分选择性地蚀刻锗部分。作为含硅部分，能够列举硅、硅锗、氮化硅膜以及氧化硅膜中的任一个。
蚀刻方法装置以及存储介质

[发明专利]锗硅薄膜监控片的制备方法及采用该片进行监控的方法-CN201110240913.7有效
发明人：王雷 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-08-22 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗硅薄膜监控片的制备方法，包括：步骤一，将一组具有尺寸变化的测量图形，形成在光刻掩膜版中；步骤二，在衬底上淀积锗硅薄膜；步骤三，在所述衬底上涂光刻胶，并用步骤一中所述的光刻掩膜版进行曝光，显影后在所述锗硅薄膜上形成测量图形，即为锗硅薄膜监控片。本发明还公开了一种采用锗硅薄膜监控片监控锗硅薄膜的方法。
薄膜监控制备方法采用该片进行

[发明专利]一种石墨烯掺杂锗单晶及其生长工艺-CN202210408358.2在审
发明人：李志高 -专利权人：北京通美晶体技术股份有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本申请涉及单晶生长工艺的技术领域，具体公开了一种石墨烯掺杂锗单晶及其生长工艺。石墨烯掺杂锗单晶的生长工艺，包括以下步骤：采用水平梯度冷凝法合成锗多晶，并将多晶锗进行切割；对切割后的多晶锗、坩埚、石英管、石英帽进行清洗，然后进行干燥处理；将籽晶放入坩埚底部的籽晶腔中，再将多晶锗、单晶石墨烯装入坩埚中，然后将坩埚装入石英管，抽真空，然后密封石英管；把密封的石英管放入单晶炉生长锗单晶，控制轴向的温度梯度为3‑5℃/cm，径向温度梯度小于2℃。采用本申请的生长工艺生长得到的石墨烯掺杂锗单晶具有位错密度低、力学性能优良的优点。
一种石墨掺杂锗单晶及其生长工艺

[发明专利]窗口层为p型微晶硅锗的硅锗薄膜太阳电池及其制备方法-CN200910244847.3无效
发明人：张建军;尚泽仁;倪牮;曹宇;王先宝;赵颖;耿新华 -专利权人：南开大学
申请日： 2009-12-17 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：一种窗口层为p型微晶硅锗的硅锗薄膜太阳电池，包括透明衬底、透明导电薄膜、窗口层、本征层、N+层和金属背电极，窗口层为p型微晶硅锗薄膜；该p型微晶硅锗薄膜的制备方法，步骤为：1)将带有透明导电膜的玻璃衬底放在真空室内，本底真空高于2×10-4Pa；2)在向反应室通入反应气体硅烷、氟化锗、硼烷和氢气的条件下，沉积p型微晶硅锗薄膜。本发明的优点是：该硅锗薄膜太阳电池结构新颖；制备的p型微晶硅锗薄膜材料具有带隙和晶化率可调、电导率高的优点且制备工艺简单、容易操作、制造成本低；采用该材料的硅锗薄膜太阳电池优化了电池p/i的界面匹配，改善了界面特性
窗口型微晶硅锗薄膜太阳电池及其制备方法

[发明专利]PMOS晶体管及其制作方法-CN201210312944.3有效
发明人：陈勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-08-29 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：种PMOS晶体管的制作方法，包括：提供衬底，所述衬底中预定形成源区及漏区的区域形成有sigma形凹槽；向所述sigma形凹槽内填充第一硅锗材料层，所述第一硅锗材料层未填满所述sigma形凹槽；去除所述sigma形凹槽底部的部分厚度的第一硅锗材料层；向所述sigma形凹槽内填充第二硅锗材料层至填满停止，所述第二硅锗材料层的锗的含量高于所述第一硅锗材料层的锗的含量。
pmos 晶体管及其制作方法

[发明专利]半导体装置-CN201810783518.5在审
发明人：沙哈吉·B·摩尔;关恕;李承翰;张世杰;杨怀德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在这些实施例中，半导体装置包括具有n型掺杂的阱结构的基板，以及形成于基板上的外延硅锗鳍状物。外延硅锗鳍状物具有下侧部分与上侧部分。下侧部分的锗含量小于上侧部分的锗含量。通道由外延硅锗鳍状物所形成。栅极形成于外延硅锗鳍状物上。掺杂的源极/漏极形成于靠近通道处。
外延硅锗鳍状物半导体装置基板源极/漏极栅极形成掺杂的阱结构

[发明专利]膏状组合物及硅锗层的形成方法-CN201680055095.4有效
发明人：马尔万·达姆林;铃木绍太;菊地健;中原正博;森下直哉 -专利权人：东洋铝株式会社
申请日： 2016-09-16 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L21/208 文献下载
摘要：本发明提供一种能够安全且容易地形成硅锗层的膏状组合物，还提供一种能够安全且容易地形成硅锗层的硅锗层的形成方法。本发明提供一种膏状组合物，其为用于形成硅锗层的膏状组合物，其特征在于，含有铝和锗，相对于所述铝100质量份，所述锗的含量大于1质量份、且为10000质量份以下。
膏状组合硅锗层形成方法

[发明专利]一种锗掺杂石墨烯材料的制备方法-CN201710112389.2在审
发明人：林时胜 -专利权人：杭州格蓝丰纳米科技有限公司
申请日： 2017-02-28 - 公布日： 2017-08-22 - 主分类号： C01B32/184 文献下载
摘要：本发明涉及一种锗掺杂石墨烯材料的制备方法，所述锗掺杂石墨烯材料由固态锗源和碳源在一定条件下反应得到，相比于原始石墨烯材料的零禁带缺点，通过锗元素的掺杂后，石墨烯能带会被打开，能够更广泛的应用于量子光源、
一种掺杂石墨材料制备方法

[发明专利]一种激光拉丝硅锗芯光纤制备方法-CN202010449247.7在审
发明人：陈娜;何建;王廷云;陈振宜;庞拂飞;赵子文 -专利权人：上海大学
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： C03B37/027 文献下载
摘要：本发明属于光纤技术领域，尤其涉及一种激光拉丝制备硅锗芯光纤的制备方法；包括石英管处理、预制棒组装、预制棒处理、激光拉丝步骤。本发明采用单晶硅、单晶锗组成内填充材料，填充到一端预先封闭的石英空芯管，组装成制成预制棒；单晶硅、单晶锗可采用半圆柱棒拼接、薄片交替叠加和粉末均匀混合的组合结构，灵活性高。本发明采用激光对预制棒进行加热直至石英管软化拉丝，硅材料和锗材料通过石英传导热达到熔融态，两种材料混合后为无限固溶体，可形成硅锗合金。本发明提供的制备方法，解决了现有技术中硅锗合金偏析的问题，实现了组分均匀的二元单相合金材料，制得了单晶形态的硅锗纤芯，改善了硅锗芯光纤的性能。
一种激光拉丝硅锗芯光纤制备方法

[发明专利]形成锗硅沟道以及PMOS晶体管的方法-CN201110076009.7有效
发明人：吴兵;卢炯平;何永根 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-03-28 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：一种形成锗硅沟道以及PMOS晶体管的方法，形成PMOS晶体管的方法包括：提供基底，所述基底为硅基底或绝缘体上硅基底，所述基底上形成有浅沟槽隔离结构，相邻的浅沟槽隔离结构之间为有源区域，所述有源区域包括源极区域、漏极区域以及沟道区域；对所述沟道区域进行锗等离子体掺杂形成锗硅沟道，所述锗硅沟道的厚度为5～8nm；在所述锗硅沟道上依次形成栅介质层和栅极；对所述基底中的源极区域和漏极区域进行P型离子注入，形成源极和漏极本技术方案利用锗等离子体对基底进行掺杂，在沟道区域形成锗硅沟道，利用锗硅的空穴高迁移率提高沟道区的形成提高器件的性能。
形成沟道以及 pmos 晶体管方法

[发明专利]硅锗碳薄膜质量检测方法和半导体器件制造方法-CN201110076569.2无效
发明人：黄锦才 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-03-29 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： G01B11/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅锗碳薄膜质量检测方法和半导体器件制造方法。根据本发明的硅锗碳薄膜质量检测方法包括：表面粗糙度扫描步骤，用于利用不具有破坏性的表面扫描装置扫描硅锗碳薄膜的表面粗糙度，以获取表示硅锗碳薄膜的表面粗糙度的数据；以及分析步骤，用于对所述表示硅锗碳薄膜的表面粗糙度的数据进行分析，以获取与硅锗碳薄膜质量相关的信息。通过采用根据本发明第一方面所述的硅锗碳薄膜质量检测方法，能够在不具有破坏性的情况下对表面粗糙度进行测量，从而检测硅锗碳薄膜的质量。
硅锗碳薄膜质量检测方法半导体器件制造

[发明专利]一种用于半导体量子计算的应变纯化硅衬底及其形成方法-CN202011321947.4在审
发明人：王桂磊;亨利·H·阿达姆松;孔真真;罗雪 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于半导体量子计算的应变纯化硅衬底及其形成方法，属于半导体技术领域，用以解决现有技术中外延纯化硅受衬底自然硅同位素成分的影响较大、纯化硅的电子迁移率较低的问题。本发明的纯化硅锗衬底包括依次层叠的自然硅支撑衬底、绝缘层、纯化硅锗层和纯化硅层。本发明的形成方法为在基础衬底上外延形成多层硅锗缓冲层和纯化硅锗层，得到施主衬底；提供一自然硅支撑衬底；在施主衬底和/或自然硅支撑衬底上形成至少一层绝缘层；将施主衬底与自然硅支撑衬底键合，去除基础衬底和多层硅锗缓冲层或去除基础衬底、多层硅锗缓冲层和部分纯化硅锗层，得到纯化硅锗衬底；在纯化硅锗衬底上外延形成纯化硅层，得到应变纯化硅衬底。本发明的纯化硅锗衬底及其形成方法可用于半导体量子计算。
一种用于半导体量子计算应变纯化衬底及其形成方法

[发明专利]半导体结构及形成方法-CN201210312974.4有效
发明人：邓浩;张彬 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-08-29 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：种半导体结构及形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，位于半导体衬底内的浅沟槽隔离结构，位于浅沟槽隔离结构所包围的半导体衬底表面的栅极结构，位于所述若干栅极结构两侧的半导体衬底内的第一锗硅层和第二锗硅层，所述第一锗硅层靠近浅沟槽隔离结构，所述第二锗硅层远离浅沟槽隔离结构，第一锗硅层中锗的摩尔百分比含量大于第二锗硅层中锗的摩尔百分比含量，所述栅极结构和位于所述栅极结构两侧的第一锗硅层或第二锗硅层构成PMOS
半导体结构形成方法

[发明专利]制造具应变的多层结构及具有应变层的场效晶体管的方法-CN200310103091.3有效
发明人：李崑池;姚亮吉;陈世昌;梁孟松 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2003-10-30 - 公布日： 2005-05-04 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：首先，在一基底上沉积一渐进硅锗(Si_1－xGe_x)层。随后，在渐进硅锗缓冲层上沉积一硅锗上盖层。最后，在硅锗上盖层上沉积一单晶硅层以形成一应变层，其中渐进硅锗缓冲层、硅锗上盖层及单晶硅层的形成是采用减压化学气相沉积(reducedpressure chemical vapor deposition，RPCVD)并以二硅乙烷(Si₂H₆)或三硅丙烷(Si₃H₈)作为制程前驱物(precursor)。
制造应变多层结构具有晶体管方法