专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]磷化锌的多晶合成与单晶生长的方法-CN200710144599.6有效
  • 杨春晖;夏士兴;王猛 - 哈尔滨工业大学
  • 2007-11-14 - 2008-08-06 - C30B29/10
  • 磷化锌的多晶合成与单晶生长的方法,它涉及磷化锌晶体的合成与生长的方法。本发明解决了目前磷化锌多晶的合成方法存在合成速率低的问题,磷化单晶的生长方法存在不易排出杂质的问题。本发明磷化锌多晶合成按如下步骤进行:1.定量;2.升温;即得到磷化锌多晶料。本发明磷化单晶原核生长按如下步骤进行:1.定量;2.升温;3.坩埚下降、降温;即得磷化单晶。本发明磷化单晶有籽晶生长按如下步骤进行:1.定量;2.升温;3.坩埚下降、降温;即得磷化单晶。本发明多晶的合成具有合成速率高的优点,单晶的生长具有易于排杂、晶体方向一致的优点。
  • 磷化多晶合成生长方法
  • [发明专利]一种石墨烯掺杂单晶及其生长工艺-CN202210408358.2在审
  • 李志高 - 北京通美晶体技术股份有限公司
  • 2022-04-19 - 2022-07-01 - C30B11/00
  • 本申请涉及单晶生长工艺的技术领域,具体公开了一种石墨烯掺杂单晶及其生长工艺。石墨烯掺杂单晶的生长工艺,包括以下步骤:采用水平梯度冷凝法合成多晶,并将多晶进行切割;对切割后的多晶、坩埚、石英管、石英帽进行清洗,然后进行干燥处理;将籽晶放入坩埚底部的籽晶腔中,再将多晶单晶石墨烯装入坩埚中,然后将坩埚装入石英管,抽真空,然后密封石英管;把密封的石英管放入单晶炉生长单晶,控制轴向的温度梯度为3‑5℃/cm,径向温度梯度小于2℃。采用本申请的生长工艺生长得到的石墨烯掺杂单晶具有位错密度低、力学性能优良的优点。
  • 一种石墨掺杂锗单晶及其生长工艺
  • [实用新型]基于晶圆键合技术的集成光电探测器-CN201921034835.3有效
  • 汪巍;方青;涂芝娟;曾友宏;蔡艳;余明斌 - 上海新微技术研发中心有限公司
  • 2019-07-04 - 2020-03-24 - H01L31/0224
  • 本实用新型提供一种基于晶圆键合技术的集成光电探测器,包括:硅波导层,所述硅波导层中形成有光电探测器的下接触层;介质层,位于所述硅波导层上,所述硅波导层中具有光电探测器集成窗口,该集成窗口显露所述下接触层;单晶材料层,填充于所述集成窗口中,所述单晶材料层为单晶硅层或单晶材料层;吸收区,键合于所述单晶材料层;上接触层,形成于所述吸收区上部;下电极,形成于所述下接触层上;上电极,形成所述上接触层上。本实用新型通过将具有单晶结构的材料衬底与硅直接键合方式集成,可以获得质量更高的材料以及/硅异质结构,有利于光电探测器暗电流等特性的优化。
  • 基于晶圆键合技术集成光电探测器
  • [发明专利]一种单晶片位错腐蚀检测方法-CN200910170163.3无效
  • 佟丽英;赵权;史继祥;王聪;李亚光 - 中国电子科技集团公司第四十六研究所
  • 2009-09-04 - 2010-02-24 - G01N1/32
  • 本发明公开了一种单晶片位错腐蚀检测方法,包括以下步骤:将经过抛光的单晶片放入由氢氟酸、硝酸和硝酸铜水溶液混合的位错腐蚀液中进行腐蚀,腐蚀结束后,检测其位错密度。本发明对单晶片进行位错检测,可以直接对单晶的切割片、研磨片及抛光片进行检测,无需将单晶晶向切割成偏<100>晶向6°以内的晶片进行检测,减少了单晶的损失,缩短了工序流程。采用本方法对单晶片进行位错检测,可以对单晶片任何一个工序内的产品进行位错检测,避免了只能在单晶检验时采取特殊方式切割才能进行位错检测的情况,可以保证单晶片位错检测能够随时进行,有利于实施质量控制。
  • 一种晶片腐蚀检测方法

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