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[发明专利]包括上部圆顶的半导体工艺室-CN201810567895.5有效
发明人：朴金锡;金傔;金利桓;金善政;朴判贵;柳廷昊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：半导体工艺室包括基座、围绕基座的基底板、在基底板的内侧壁上的衬垫、以及在基座与基底板之间且与基座共面的预热环。工艺室还包括联接到基底板并覆盖基座的上表面的上部圆顶。上部圆顶包括在基底板的上表面上的第一部分和从第一部分延伸并交叠基座的第二部分。第一部分包括在基底板的上表面上的第一区域、从第一区域延伸超过基底板的第二区域、以及从第二区域以减小的厚度延伸以接触第二部分的第三区域。
包括上部圆顶半导体工艺

[发明专利]半导体器件-CN201711128763.4有效
发明人：金锡勋;李炫姃;金坰喜;金善政;金真范;慎一揆;李承勋;李峭蒑;申东石 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件，该半导体器件能够通过在源极/漏极区域中形成含碳的半导体图案来改善短沟道效应。该半导体器件包括：第一栅电极和第二栅电极，在鳍型图案上彼此间隔开；凹陷，形成在第一栅电极与第二栅电极之间的鳍型图案中；以及半导体图案，包括沿凹陷的轮廓形成的下半导体膜和在下半导体膜上的上半导体膜，其中下半导体膜包括顺序地形成在鳍型图案上的下外延层和上外延层，并且上外延层的碳浓度大于下外延层的碳浓度。
半导体器件

[发明专利]半导体处理室-CN201811515532.3有效
发明人：白承宰;南宫铉;李泰宗;金善政;金周妍;吹上纪明;岩崎征英;反田雄太 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体处理室。半导体处理室包括：基座，多个晶片设置在基座上；喷头结构，与基座相对并设置为与基座间隔开；多个板，与基座相对并设置为与基座间隔开；以及阻挡结构，设置在多个板之中的彼此相邻设置的板之间，其中，喷头结构与基座之间的距离小于多个板与基座之间的距离，并且阻挡结构与基座之间的距离小于多个板与基座之间的距离。
半导体处理

[发明专利]衬底处理装置及制造半导体器件的方法-CN201810214417.6有效
发明人：朴金锡;金善政;金利桓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-03-15 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：公开一种衬底处理装置以及一种制造半导体器件的方法，所述衬底处理装置包括：晶片夹盘，在晶片夹盘上放置有衬底；注入器单元，位于晶片夹盘的一侧并注入工艺气体，所述工艺气体包括第一气体及第二气体；以及气体供应单元，向注入器单元供应工艺气体。气体供应单元包括：第一气体供应源及第二气体供应源，分别容纳第一气体及第二气体；第一气体供应管线及第二气体供应管线，分别将第一气体供应源及第二气体供应源连接到注入器单元；以及第一加热单元及第二加热单元，分别设置在第一气体供应管线及第二气体供应管线上。设置在第一气体供应管线上的第一加热单元的每单位长度上的密度比设置在第二气体供应管线上的第二加热单元的每单位长度上的密度大。
衬底处理装置制造半导体器件方法

[发明专利]晶体管及半导体器件-CN201710362546.5有效
发明人：李承勋;金东宇;徐东灿;金善政 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-05-22 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及晶体管及半导体器件。一种晶体管包括漏极、源极、栅电极以及源极和漏极之间的纳米线。该纳米线具有有第一厚度的第一部分和有大于第一厚度的第二厚度的第二部分。第二部分在第一部分与源极和漏极中的至少一个之间。当电压被施加到栅电极时，第一纳米线包括沟道。
晶体管半导体器件

[发明专利]半导体衬底和包括其的半导体器件-CN201610037286.X有效
发明人：梁炆承;崔恩惠;金善政;李承勋;李炫姃 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-01-20 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了半导体衬底和半导体器件。所述半导体衬底包括底部衬底、底部衬底上的第一硅锗层以及第一硅锗层上的第二硅锗层。第二硅锗层的锗分率在离开底部衬底的方向上减小，并且第二硅锗层的最下面部分的锗分率大于第一硅锗层的最上面部分的锗分率。
半导体衬底包括半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201710748871.5有效
发明人：金东宇;李炫姃;金善政;李承勋;朴金锡;赵南奎 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-08-28 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括鳍型有源区、纳米片、栅极、源极/漏极区和绝缘间隔物。鳍型有源区从衬底突出并在第一方向上延伸。纳米片与鳍型有源区的上表面间隔开并包括沟道区。栅极在鳍型有源区之上。源极/漏极区连接到纳米片。绝缘间隔物在鳍型有源区上以及在纳米片之间。气隙基于绝缘间隔物的位置在绝缘间隔物与源极/漏极区之间。
半导体器件

[发明专利]包括场效应晶体管的半导体器件-CN201610197247.6有效
发明人：金东宇;李承勋;金善政;李炫姃;具本荣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：缓冲层，在基底上，缓冲层具有与基底的晶格常数不同的晶格常数；鳍状结构，从缓冲层向上突出；栅电极，横跨鳍状结构之上；包覆层，在鳍状结构的侧面并覆盖鳍状结构的顶表面和侧壁；以及界面层，在包覆层和鳍状结构之间，界面层包括与缓冲层相同的元素。
包括场效应晶体管半导体器件

[发明专利]伏马毒素降解酶FumDSS及其基因和应用-CN202011000873.4在审
发明人：李中媛;张同存;金善政;罗学刚;宋亚囝 -专利权人：天津科技大学
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： C12N9/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种羧酸酯酶FumDSS，具体涉及到了伏马毒素降解酶FumDSS的氨基酸序列为SEQ ID NO.1。本发明的伏马毒素降解酶FumDSS对FB1的降解率为100％；本发明伏马毒素降解酶FumDSS性质优良，还提供了编码上述伏马毒素降解酶的编码基因。该酶可以应用于农业、饲料和食品等工业，并且可以减少伏马毒素FB1对动物及人类健康的危害。
毒素降解 fumdss 及其基因应用

[发明专利]半导体器件-CN201711108354.8有效
发明人：金真范;金傔;金锡勋;朴台镇;柳廷昊;李峭蒑;李炫姃;金善政;申东石 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-11-09 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，其包括：衬底，所述衬底具有有源区；栅极结构，所述栅极结构设置在所述有源区上；源/漏区，所述源/漏区分别形成在所述有源区的在所述栅极结构的两侧的部分内；金属硅化物层，所述金属硅化物层设置在每个所述源/漏区的表面上；以及接触栓，所述接触栓设置在所述源/漏区上并且通过所述金属硅化物层分别电连接至所述源/漏区。所述金属硅化物层被形成为具有单晶结构。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201910460498.2在审
发明人：崔庆寅;宋炫彻;金善政;金泰坤;郑圣勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括第一有源图案和第二有源图案；器件隔离层，所述器件隔离层填充所述第一有源图案与所述第二有源图案之间的第一沟槽，所述器件隔离层包括掺杂有氦的氧化硅层，所述器件隔离层的氦浓度高于所述第一有源图案和所述第二有源图案的氦浓度；以及栅电极，所述栅电极与所述第一有源图案和所述第二有源图案交叉。
源图案器件隔离层半导体器件栅电极衬底氧化硅层填充掺杂制造

[发明专利]形成低K层的方法和形成半导体装置的方法-CN201910292773.4在审
发明人：李善英;康珉材;金*娟;金台原;卓容奭;金善政 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供了一种形成低k层的方法和形成半导体装置的方法，所述形成低k层的方法包括通过将硅源、碳源、氧源和氮源提供到基底上来形成层。形成层的步骤包括多个主循环，每个主循环包括提供硅源、提供碳源、提供氧源以及提供氮源，提供硅源、提供碳源、提供氧源和提供氮源中的每个执行至少一次。每个主循环包括交替执行提供碳源和提供氧源的子循环。
氧源主循环低K层氮源硅源半导体装置交替执行子循环基底

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201811451762.8在审
发明人：沈铉准;徐元吾;金善政;朴起演 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法可以包括在基板上形成鳍型结构、使用第一工艺在鳍型结构上形成具有第一厚度的界面膜、使用与第一工艺不同的第二工艺在界面膜上形成具有第二厚度的栅极电介质膜、以及使用与第一工艺和第二工艺不同的第三工艺使栅极电介质膜致密化。第二厚度可以大于第一厚度，并且在栅极电介质膜的致密化之后，界面膜的第一厚度可以不变。
栅极电介质膜界面膜半导体器件鳍型结构致密化基板制造

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201811416261.6在审
发明人：崔庆寅;韩尚勋;金善政;金泰坤;宋炫彻 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成伪栅极结构；在所述伪栅极结构的侧壁上形成间隔件；形成初步第一层间绝缘图案以填充相邻间隔件之间的间隙；通过第一蚀刻工艺蚀刻所述初步第一层间绝缘图案的上部，以形成初步第二层间绝缘图案；通过离子注入工艺在所述伪栅极结构、所述间隔件和所述初步第二层间绝缘图案上注入离子；通过第二蚀刻工艺蚀刻所述初步第二层间绝缘图案的上部，以形成具有平坦上表面的层间绝缘图案；以及在所述层间绝缘图案上形成覆盖图案以填充所述间隔件之间的间隙。
层间绝缘图案伪栅极结构间隔件蚀刻半导体器件绝缘图案蚀刻工艺第一层填充离子注入工艺平坦上表面相邻间隔注入离子侧壁衬底制造图案覆盖

[发明专利]具有双交叉点阵列的三维半导体存储器器件及其制造方法-CN201210194507.6有效
发明人：白寅圭;金善政 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-06-13 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明涉及具有双交叉点阵列的三维半导体存储器器件及其制造方法。该器件可以包括布置在不同垂直层面以限定两个交叉点的第一、第二和第三导线，以及分别布置在这两个交叉点处的两个存储器单元。所述第一和第二导线可以彼此平行地延伸，所述第三导线可以延伸成与所述第一和第二导线交叉。在垂直截面视图中，所述第一和第二导线可以沿着所述第三导线的长度交替设置，并且所述第三导线可以在垂直方向上与所述第一和第二导线间隔开。
具有交叉点阵列三维半导体存储器器件及其制造方法

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