“高木聪”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果22个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]绝热构造体和立式热处理装置-CN201910184953.0有效
发明人：吉井弘治;山口达也;林宽之;冈田充弘;高木聪;高桥敏彦;庄司正文;北村和也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制从晶圆处理区域向炉口部分的热移动、热传递的绝热构造体和立式热处理装置。一实施方式的绝热构造体用于立式热处理装置，该立式热处理装置具备：双层管构造的处理容器，其具有内管和上部封闭着的外管，并在下端具有开口；气体供给部和排气部，其设置于所述处理容器的下侧；盖部，其从所述开口导入和排出基板，并且能够使所述开口开闭；以及加热部，其以从外侧覆盖所述处理容器的方式设置，该立式热处理装置利用所述加热部对基所述板进行热处理，在所述绝热构造体中，该绝热构造体设置于所述内管与所述外管之间。
绝热构造立式热处理装置

[发明专利]神经网络处理装置、信息处理装置、信息处理系统、电子设备、神经网络处理方法和程序-CN202180049508.9在审
发明人： 高木聪 -专利权人：索尼集团公司
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G06N3/0464 文献下载
摘要：在本发明中，存储量被减少。一种神经网络处理装置包括：对编码为零系数位置表和非零系数表的系数矩阵进行解码的解码单元(41)，零系数位置表将系数矩阵中为零值的第一系数的位置表示为第一值并且将系数矩阵中为非零值的第二系数的位置表示为第二值，并且非零系数表保持系数矩阵中的第二系数；和对由解码单元解码的系数矩阵和变量矩阵执行卷积处理的积和电路(116)，解码单元通过将存储在非零系数表中的第二系数存储在零系数位置表上由第二值表示的位置中，从而对系数矩阵进行解码。
神经网络处理装置信息处理系统电子设备方法程序

[发明专利]硅膜的形成方法、形成装置以及存储介质-CN201810869824.0有效
发明人： 高木聪;林宽之;蔡秀林 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-08-02 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本公开涉及硅膜的形成方法、形成装置以及存储介质。提供一种能够针对不同的基底来减小膜厚差并形成硅膜的硅膜的形成方法以及形成装置。包括以下工序：准备具有凹部的被处理基板，在该凹部多个不同的基底露出；一边将被处理基板加热至规定的温度，一边将适合于多个不同的基底的原料气体以及与原料气体反应的反应气体按顺序向被处理基板供给一次或多次，从而至少在凹部的内表面形成原子层晶种，接着，一边将被处理基板加热至规定的温度，一边向被处理基板供给硅原料气体，在原子层晶种的表面以填充凹部的方式形成硅膜。
形成方法装置以及存储介质

[发明专利]信息处理装置、信息处理系统和信息处理方法-CN202080054616.0在审
发明人： 高木聪;清田纮司;堀江裕隆 -专利权人：索尼集团公司
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G06F17/16 文献下载
摘要：进一步降低了与内积计算相关的处理负荷，并且还保证了加权系数的量化粒度。根据实施例的信息处理设备包括积和计算电路(200)，其基于由指数表达式量化的多个输入值执行积和计算，以及分别对应于输入值的由指数表达式量化的多个加权系数，其中，各个输入值的指数分别由具有预先确定的除数作为分母的分数表示，各个加权系数的指数均由以除数为分母的分数表示，积和计算电路基于除数的余数使用多个加法乘数执行积和计算，其中，通过将与输入值的各个指数相关的分子和与各个加权系数的指数相关的分子相加而获得的值为被除数，并且每个加法乘数是指数部分的基数为2的浮点数。
信息处理装置系统方法

[发明专利]成膜装置、成膜方法以及隔热构件-CN201711431130.0有效
发明人： 高木聪;小森克彦;冈田充弘;渡边将久;高桥和也;矢野一纪;藤田圭介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：成膜装置、成膜方法以及隔热构件。当对分层地保持于基板保持器具的被处理基板进行成膜处理时，对被保持在基板保持器具的上下部侧或下部侧的被处理基板的面内膜厚分布进行调整，提高被处理基板间的膜厚均匀性。装置具备：气体供给部，用于向纵型反应容器内供给成膜气体；隔热构件，在基板保持器具中被设置为在比被处理基板的配置区域靠上方或靠下方的位置处与该配置区域重叠，用于在反应容器内对配置区域与比该配置区域靠上方的上方区域进行隔热或者对配置区域与比该配置区域靠下方的下方区域进行隔热；以及贯通孔，在该隔热构件中被设置在与该被处理基板的中心部重叠的位置，以对被保持于隔热构件的附近的被处理基板的面内的温度分布进行调整。
装置方法以及隔热构件

[发明专利]抗Aggrus单克隆抗体及其应用-CN202110636883.5在审
发明人：藤田直也;关口贵哉;高木聪 -专利权人：公益财团法人癌研究会
申请日： 2016-07-11 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： C07K16/30 文献下载
摘要：本发明对参与和CLEC‑2的结合的新的Aggrus结构域进行了探索，获得了识别该结构域的单克隆抗体。新发现的PLAG4结构域在与CLEC‑2的结合中很重要，进而研制出识别该区域的单克隆抗体。本发明能够提供使用该抗体的新型的Aggrus－CLEC‑2结合抑制剂、血小板凝集抑制剂、癌转移抑制剂。
aggrus 单克隆抗体及其应用

[发明专利]抗Aggrus单克隆抗体及其应用-CN201680041536.5有效
发明人：藤田直也;关口贵哉;高木聪 -专利权人：公益财团法人癌研究会
申请日： 2016-07-11 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： C07K16/28 文献下载
摘要：本发明对参与和CLEC‐2的结合的新的Aggrus结构域进行了探索，获得了识别该结构域的单克隆抗体。新发现的PLAG4结构域在与CLEC‐2的结合中很重要，进而研制出识别该区域的单克隆抗体。本发明能够提供使用该抗体的新型的Aggrus－CLEC‐2结合抑制剂、血小板凝集抑制剂、癌转移抑制剂。
aggrus 单克隆抗体及其应用

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN202011002086.3在审
发明人： 高木聪;北村和也;蔡秀林 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法和成膜装置，能够将半导体膜选择性地形成于氮化膜和氧化膜中的氮化膜。成膜方法包括以下工序：对露出氮化膜的区域与露出氧化膜的区域相邻的基板供给含氟气体，使氟形成于所述基板，并且选择性地蚀刻所述氮化膜和所述氧化膜中的所述氮化膜，使所述氮化膜的表面相对于所述氧化膜的表面凹陷来在所述氧化膜的侧面形成台阶面；以及在使氟吸附于所述基板并且形成所述台阶面的工序之后，对所述基板供给包含半导体材料的原料气体，将半导体膜选择性地形成于所述氮化膜和所述氧化膜中的所述氮化膜。
方法装置

[发明专利]凹部的埋入方法-CN201911127515.7在审
发明人： 高木聪;渡部佳优 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开涉及一种凹部的埋入方法。[课题]提供能去除由非晶半导体膜埋入凹部时产生的接缝的技术。[解决方案]本公开的一方案的凹部的埋入方法具备如下加热工序：对埋入凹部内的非晶半导体膜照射激光，从而在不使前述非晶半导体膜结晶的情况下进行加热。
埋入方法

[发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN201910221470.3在审
发明人：及川大海;板桥贤;高木聪;渡边将久;藤田圭介;宫原达也;林宽之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种能够在基板上形成具有良好的面内均匀性的硅膜的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具备：处理容器，收容有搭载基板的舟皿；以及喷射器，在处理容器的附近沿着处理容器的内壁在上下方向延伸配置并且在长边方向上具有多个气孔，气孔在处理容器的附近的内壁取向。
处理容器基板处理装置基板处理内壁上下方向延伸面内均匀性搭载基板喷射器长边硅膜基板取向舟皿收容配置

[发明专利]膜形成方法和基板处理装置-CN201910126154.8在审
发明人：林宽之;兼村瑠威;高木聪;冈田充弘 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-02-20 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及膜形成方法和基板处理装置。[课题]提供能形成具有良好的表面粗糙度的膜的膜形成方法。[解决方案]一实施方式的膜形成方法具备如下工序：有机物去除工序，向基底供给含氢气体和含氧气体，将有机物去除，所述有机物附着于在前述基底的表面产生的氧化膜；氧化膜去除工序，在前述有机物去除工序后，向前述基底供给含卤素气体和碱性气体，将形成于前述基底的表面的氧化膜去除；和，成膜工序，在前述氧化膜去除工序后，在前述基底的表面成膜为规定的膜。
基底膜形成氧化膜去除工序有机物去除工序基板处理装置表面粗糙度含卤素气体氧化膜去除有机物去除表面成膜成膜工序含氢气体含氧气体碱性气体氧化膜有机物附着

[发明专利]对硅膜或锗膜或硅锗膜进行成膜的方法和装置-CN201910132739.0在审
发明人： 高木聪 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种对硅膜或锗膜或硅锗膜进行成膜的方法和装置。提供一种能够在单晶硅或单晶锗或单晶硅锗上大致完全地对非晶质的硅膜或锗膜或硅锗膜进行成膜的技术。具备如下工序：第1工序，在该第1工序中，准备具有单晶硅或单晶锗或单晶硅锗作为被处理面的被处理体；第2工序，在该第2工序中，使卤元素吸附于被处理体的被处理面；第3工序，在该第3工序中，向被处理体供给用于对硅膜或锗膜或硅锗膜进行成膜的原料气体，在被处理体的被处理面上对非晶质硅膜或非晶质锗膜或非晶质硅锗膜进行成膜。
锗膜成膜被处理体硅锗膜硅膜单晶硅方法和装置单晶硅锗单晶锗非晶质非晶质硅膜被处理面非晶质硅原料气体卤元素吸附

[发明专利]小鼠抗Aggrus单克隆抗体-CN201280024485.7有效
发明人：藤田直也;中泽侑也;高木聪 -专利权人：公益财团法人癌研究会
申请日： 2012-03-09 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： C07K16/28 文献下载
摘要：本发明提供识别由序列号1、3或4所示的氨基酸序列构成的Aggrus的抗原决定簇的小鼠单克隆抗体或由其功能性片段构成的片段、由保藏号FERM BP-11446、FERM BP-11447、FERM BP-11448或FERM BP-11449的杂交瘤产生的单克隆抗体或其功能性片段。本发明提供上述杂交瘤、包含上述单克隆抗体或由其功能性片段构成的片段的Aggrus-CLEC-2结合抑制剂、以及用于抑制血小板凝集或抑制癌转移或者处置肿瘤或血栓病的医药组合物。
小鼠 aggrus 单克隆抗体

[发明专利]薄膜的形成方法和成膜装置-CN201210371168.4有效
发明人：柿本明修;远藤笃史;宫原孝广;中岛滋;高木聪;五十岚一将 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明提供薄膜的形成方法和成膜装置。在能够进行真空排气的处理容器内在被处理体的表面上形成晶种膜和含杂质的硅膜的薄膜的形成方法具有以下步骤：第1步骤，向处理容器内供给由氨基硅烷类气体和高级硅烷之中的至少任一种气体构成的晶种膜用原料气体而形成晶种膜；以及第2步骤，向处理容器内供给硅烷类气体和含杂质气体而形成非晶态的上述含杂质的硅膜。
薄膜形成方法装置

[发明专利]非晶硅膜的成膜方法及成膜装置-CN201210251656.1有效
发明人：柿本明修;高木聪;五十岚一将 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-07-19 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种非晶硅膜的成膜方法及成膜装置。该非晶硅膜的成膜方法包括以下工序：加热基底，向加热了的基底供给氨基硅烷类气体，在基底表面上形成晶种层；加热基底，向加热了的基底表面的晶种层供给不含氨基的硅烷类气体，在晶种层上将非晶硅膜形成为层成长的厚度；对形成为层成长的厚度的非晶硅膜进行蚀刻，减小该非晶硅膜的膜厚。
非晶硅膜方法装置

1
2
下一页»
尾页
共 22 条