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[发明专利]锗硅外延生长方法-CN201410138306.3在审
发明人：曹威;江润峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-04-08 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提供了一种锗硅外延生长方法，所述锗硅外延生长方法包括：清洗单晶硅衬底；对所述单晶硅衬底表面执行原位刻蚀；在所述单晶硅衬底表面生长锗硅外延层。在本发明提供的锗硅外延生长方法中，通过对所述单晶硅衬底表面执行原位刻蚀，便可去除自然生长的氧化层，从而避免了所形成的锗硅外延层中产生层错、位错、滑移线等晶格缺陷，进而可提高器件/产品质量。
外延生长方法

[发明专利]半导体应变弛豫材料的制作方法-CN200610089447.6无效
发明人：成步文;姚飞;薛春来;张建国;左玉华;王启明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-06-28 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种半导体应变弛豫材料的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在硅衬底上生长应变的锗硅薄膜；(2)在衬底上制作柔性键合介质；(3)将步骤(1)的锗硅薄膜/硅衬底与步骤(2)的衬底/柔性键合介质柔性键合，锗硅薄膜与柔性键合介质相对；(4)将硅衬底去除；(5)对去除硅衬底后的材料进行热处理，使锗硅薄膜的应变发生弛豫，形成锗硅半导体应变弛豫材料。
半导体应变材料制作方法

[发明专利]嵌入式外延锗硅层的盖帽层的制作方法-CN201510707870.7有效
发明人：谭俊;高剑琴;周海锋 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种嵌入式外延锗硅层的盖帽层的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有嵌入式外延锗硅层，所述嵌入式外延锗硅层两侧有浅沟槽隔离结构；利用混合硅源制作盖帽层，所述混合硅源中至少包括二氯二氢硅以及另外一种硅源，且所述盖帽层制作过程中利用选择性刻蚀气体进行；对所述盖帽层进行硅注入工艺；对注入后的盖帽层进行退火工艺；对退火后的盖帽层进行镍硅化工艺。本发明解决了现有技术无法在嵌入式外延锗硅层上形成完全包覆外延锗硅层的盖帽层的问题，防止后续的镍硅化物工艺与外延锗硅层的锗硅的反应，改善因此带来的应力问题。
嵌入式外延锗硅层盖帽制作方法

[发明专利]蚀刻方法和基板处理系统-CN202010926933.9在审
发明人：高桥信博;宫田一史;浅田泰生 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：[课题]适当地进行硅锗层的侧面蚀刻。[解决方案]一种蚀刻方法，其为对交替地层叠有硅层与硅锗层的基板的硅锗层进行侧面蚀刻的方法，所述方法包括如下工序：对前述硅锗层的暴露端面上的附着物供给等离子体化的包含氢的气体，从而对前述附着物的表面进行改性的工序；和，对前述硅锗层供给含氟气体，从而对前述硅锗层进行侧面蚀刻的工序。
蚀刻方法处理系统

[发明专利]硅基锗激光器及其制备方法-CN201310342715.0有效
发明人：刘智;成步文;李传波;李亚明;薛春来;左玉华;王启明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-08-08 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基锗激光器及其制备方法。该硅基锗激光器包括：硅材料，具有相应的晶向；锗层，外延生长于硅材料上，包括：锗脊形波导，由刻蚀锗层形成，构成全部或部分的激光谐振腔；p型掺杂区和n型掺杂区，位于锗脊形波导的两侧；p型掺杂区、锗脊形波导和n型掺杂区形成横向p-i-n二极管结构；绝缘介质层，形成于锗脊形波导、p型掺杂区和n型掺杂区的上方；以及p电极和n电极，形成于绝缘介质层的上方，分别与p型掺杂区和n型掺杂区电性连接。本发明采用水平横向p-i-n锗脊形波导结构，硅衬底不需要掺杂，在硅衬底上外延生长的锗层可以有很好的晶体质量，从而有利于硅基锗激光器整体性能的提升。
硅基锗激光器及其制备方法

[发明专利]一种高带宽高响应度的锗硅光电探测器-CN201911357237.4有效
发明人：陈代高;肖希;王磊;张宇光;胡晓;余少华 -专利权人：武汉邮电科学研究院有限公司;武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种高带宽高响应度的锗硅光电探测器，涉及光电探测技术领域，包括硅波导、硅衬底、轻掺杂硅区、重掺杂硅区、锗吸收区、外延硅区、外延硅掺杂区、第一电极和第二电极；硅波导用于传播入射光；硅衬底用于接收硅波导传播的入射光；轻掺杂硅区设于硅衬底中；重掺杂硅区设于轻掺杂硅区中；锗吸收区设于轻掺杂硅区上，且锗吸收区包括远离硅波导的第一部分，第一部分在轻掺杂硅区上的投影面为圆弧状；外延硅区环绕并覆盖于锗吸收区上；外延硅掺杂区覆盖于锗吸收区的顶部；第一电极设于重掺杂硅区上，且形状与重掺杂硅区匹配；第二电极设于外延硅掺杂区上。本发明提供的锗硅光电探测器，具有高响应度和较高带宽。
一种带宽响应光电探测器

[发明专利]半导体红外探测器及其制备方法-CN202211314512.6在审
发明人：郑军;刘智;成步文 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体红外探测器，应用于半导体技术领域，包括：硅基衬底，硅基衬底上依次外延有p型锗锡吸收层、锗硅势垒层和p型锗锡接触层，该p型锗锡吸收层、锗硅势垒层和p型锗锡接触层在该硅基衬底上形成台面结构，该p型锗锡接触层和该硅基衬底上均设置有金属电极。
半导体红外探测器及其制备方法

[发明专利]实现锗基MOS器件有源区之间隔离的方法-CN201210115455.9有效
发明人：黎明;李敏;黄如;安霞;张兴 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-04-18 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现锗基MOS器件有源区之间隔离的方法，在锗基衬底表面上覆盖一薄层多晶硅或多晶锗硅，然后在有源区被保护的情况下，通过两步氧化形成表面覆盖二氧化硅层或氧化锗硅层的二氧化锗隔离结构，这种以多晶硅多晶锗硅作为牺牲层的两步氧化工艺有利于提高所制备的二氧化锗隔离的质量，减小局部场氧氧化产生的鸟嘴效应，从而显著提高锗器件的性能。
实现 mos 器件有源之间隔离方法

[发明专利]一种制作Sigma型锗硅沟槽的方法-CN201510591355.7有效
发明人：李中华 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作Sigma型锗硅沟槽的方法，首先在具有栅极的半导体衬底上依次形成锗硅掩膜层、富碳填充层、富硅硬膜层以及光刻胶；然后通过等离子刻蚀工艺在PMOS区衬底中形成U型沟槽；接着去除栅极顶层的富碳填充层；再接着对栅极顶层的锗硅掩膜层进行减薄刻蚀，并去除剩余的富碳填充层；然后采用TMAH进行处理以形成Sigma型沟槽；最后在Sigma型沟槽内进行锗硅沉积并去除剩余的锗硅掩膜层。本发明通过采用三层光刻材料制作Sigma型锗硅沟槽，使后期硅片上PMOS区和NMOS区栅极顶层的锗硅掩膜层以及NMOS区栅极底部的锗硅掩膜层的厚度保持相等，避免了因锗硅掩膜层厚度不均一而导致的NMOS区硅衬底的损失
一种制作 sigma 型锗硅沟槽方法

[发明专利]一种多晶锗硅肖特基二极管及其制备方法-CN200510060565.X无效
发明人：叶志镇;吴贵斌;赵星;刘国军 -专利权人：浙江大学
申请日： 2005-08-30 - 公布日： 2006-02-08 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明的多晶锗硅肖特基二极管包括自下而上依次迭置的硅衬底、二氧化硅层、镍硅化物或钴硅化物层、并列迭在镍硅化物或钴硅化物层上面的多晶锗硅层与欧姆接触电极以及迭在多晶锗硅层上面的势垒金属层。制作步骤如下：先在硅衬底上生长一层二氧化硅层，接着蒸镀一层金属镍，在镍上生长多晶锗硅层，涂光刻胶，并光刻，用锗硅选择性腐蚀溶液将未被光刻胶覆盖的锗硅腐蚀掉，最后蒸镀势垒金属层。本发明的多晶锗硅肖特基二极管中的镍或钴硅化物具有低的薄层电阻，它们能够与多晶锗硅形成欧姆接触，因而可以使肖特基二极管器件的电流方向与多晶锗硅的晶粒生长方向一致，减少晶界等缺陷对器件性能的影响，从而能够有效的提高器件的整流比以及降低反向漏电流
一种多晶锗硅肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201510906938.4有效
发明人：邓浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-12-09 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：在半导衬底表面形成具有开口的掩膜层；沿所述开口刻蚀半导体衬底，形成第一凹槽；形成位于第一凹槽和开口内的隔离层，所述隔离层表面与掩膜层表面齐平；去除掩膜层，形成第二凹槽；在第二凹槽内形成表面低于隔离层表面的第一锗硅层；在第一锗硅层表面形成填充满第二凹槽且覆盖隔离层的无定形锗硅层；采用固相外延生长工艺，使第一锗硅层表面的部分无定形锗硅层转变为第三锗硅层；以隔离层作为停止层，对无定形锗硅层和第三锗硅层进行平坦化；回刻蚀所述隔离层，使隔离层表面低于第三锗硅层表面。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种基于锯齿形锗烯纳米带的半金属材料的制备装置-CN202111031851.9有效
发明人：孙翠翠 -专利权人：山东交通学院
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于材料制备技术领域，公开了一种基于锯齿形锗烯纳米带的半金属材料的制备装置，箱体正面设置有中央控制器和观察窗，操作平台左侧设置有外延制备平台；操作平台上侧设置有可滑动支架，可滑动支架最下端安装激光原子发生器；外延制备平台用于通过外延法制备锗烯纳米带、分割成锯齿形边缘的锗烯纳米带、纳米带掺杂硼氮原子，外延法制备锗烯纳米带的原理是在一个晶格结构上通过晶格匹配生长出另外一种晶体。本发明无需通过加外电场或交换场等外场的作用来调节锯齿形锗烯纳米带的自旋特性，只需通过调节掺杂原子之间的距离就能够实现具有半金属特性的锗烯纳米带，从而方便的实现基于锗烯纳米带的自旋电子器件。
一种基于锯齿形纳米金属材料制备装置

[发明专利]一种硅基锗沟道MOS器件的制作方法-CN201611076208.7在审
发明人：刘丽蓉;王勇;丁超 -专利权人：东莞市广信知识产权服务有限公司;东莞华南设计创新院
申请日： 2016-11-29 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基锗沟道MOS器件的制作方法，其步骤如下在硅基半导体上形成50纳米宽的槽状结构；在硅槽中制作SiNx侧墙结构；在硅槽中制作SiO2侧墙结构；在硅槽中采用超高真空化学汽相沉积的方法生长硅锗缓冲层；在硅锗缓冲层上生长高质量锗沟道层；在锗沟道层上制作栅介质与栅金属结构。
一种硅基锗沟道 mos 器件制作方法

[发明专利]在外延生长源漏区上选择性淀积覆盖层的结构与制造方法-CN200780010781.0有效
发明人： T·小库克;B·泽尔;A·穆尔蒂 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2007-03-19 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在源区和漏区中用硼在原位对硅锗合金进行掺杂。在该硅锗合金上淀积硅。在该硅上淀积镍。在该硅锗合金上形成镍硅锗硅化物层。在该镍硅锗硅化物层上形成镍硅硅化物层。
外延生长源漏区上选择性覆盖层结构制造方法

[发明专利]包括场效应晶体管的半导体器件及其形成方法-CN200710305140.X有效
发明人：金明宣;李化成;上野哲嗣;李浩;李智惠 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-09-20 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该半导体器件包括堆叠在衬底上的栅绝缘体和栅电极，填充凹槽区域的源/漏图形，该凹槽区域形成在邻近于该栅电极的相对侧面处，该源/漏图形由掺杂杂质的硅－锗构成，且金属硅化锗层布置在该源/漏图形上。该金属硅化锗层电连接到该源/漏图形。在该金属硅化锗层中的锗的含量和硅的含量的总和中的锗的含量的比例低于在该源/漏图形中的锗的含量和硅的含量的总和中的锗的含量的比例。
包括场效应晶体管半导体器件及其形成方法

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