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[发明专利]一种含有石墨烯以及锗离子布料-CN202110303320.4在审
发明人：许宁 -专利权人：义乌市盈云科技有限公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： D04B1/16 文献下载
摘要：本发明涉及功能性面料加工技术领域，具体公开了一种含有石墨烯以及锗离子布料，锗离子纱线以及石墨烯纱线，其所述的材料重量百分比如下：锗离子纱线56％、石墨烯纱线44％，所述锗离子纱线包括，1％锗离子以及99％涤纶；所述石墨烯纱线包括，0.1％石墨烯以及99.9％涤纶，所述锗离子纱线通过所述锗离子与涤纶进行原位聚合得到，将石墨烯纱线以及锗离子纱线进行编织成布料，石墨烯纱线以及锗离子纱线混合形成特殊材质具有远红外作用
一种含有石墨以及离子布料

[发明专利]FDSOI的顶层锗硅层的制作方法-CN202010458335.3在审
发明人：陈勇跃 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种FDSOI的顶层锗硅层的制作方法，包括步骤：步骤一、提供SOI基片，SOI基片包括底部体硅、绝缘介质埋层和顶部硅；步骤二、在顶部硅表面外延生长第一锗硅外延层，顶层硅和第一锗硅外延层叠加成顶层锗硅层；步骤三、对顶层锗硅层进行锗浓度提升，通过循环进行如下分步骤实现：步骤31、进行热氧化在顶层锗硅层表面形成顶部氧化层并在顶部氧化层和底部的顶层锗硅层的界面处形成锗凝聚；步骤32、进行热退火将界面处凝聚的锗扩散到整个顶层锗硅层本发明能提升顶层锗硅层的锗浓度，能很好的控制顶层锗硅层的厚度以及能很好的提升顶层锗硅层的工艺质量。
fdsoi 顶层锗硅层制作方法

[发明专利]FDSOI上锗硅鳍体的制作方法-CN202010350253.7在审
发明人：陈勇跃 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种FDSOI上锗硅鳍体的制作方法，包括：步骤一、提供SOI基片，SOI基片包括底部体硅、绝缘介质埋层和顶层硅；步骤二、在顶层硅表面外延生长第一锗硅外延层，顶层硅和第一锗硅外延层叠加成顶层锗硅层；步骤三、形成对顶层锗硅层刻蚀后形成的锗硅鳍体；步骤四、对锗硅鳍体进行锗浓度提升，通过循环进行如下分步骤实现：步骤41、进行热氧化在所述锗硅鳍体表面形成第一氧化层并在第一氧化层和锗硅鳍体的界面处形成锗凝聚；步骤42、进行热退火将凝聚的锗扩散到整个锗硅鳍体；步骤43、刻蚀去除第一氧化层。本发明能提升锗硅鳍体的锗浓度，还能同时对锗硅鳍体的宽度和高度进行精细调节。
fdsoi 上锗硅鳍体制作方法

[发明专利]图形硅衬底-硅锗薄膜复合结构及其制备方法和应用-CN202011276489.7有效
发明人：张建军;张结印 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L29/30 文献下载
摘要：本发明提供一种图形硅衬底‑硅锗薄膜复合结构，其包括具有图形结构的硅衬底、位于所述硅衬底上的硅锗缓冲层、位于所述硅锗缓冲层上的硅锗/硅超晶格层，以及位于所述硅锗/硅超晶格层上的硅锗薄膜层，其中所述硅锗/硅超晶格层包括交替生长的硅锗层和硅层本发明还提供一种本发明的图形硅衬底‑硅锗薄膜复合结构的制备方法。本发明还提供一种本发明的图形硅衬底‑硅锗薄膜复合结构在应变硅器件中的应用。本发明提供的图形硅衬底‑硅锗薄膜复合结构，其穿透位错密度低且表面粗糙度低。基于所述硅锗薄膜层生长的应变硅器件，可有效减少缺陷对载流子的散射，从而提高载流子迁移率。
图形衬底薄膜复合结构及其制备方法应用

[发明专利]一种半导体结构及其制备方法-CN202111448618.0在审
发明人：孔真真;王桂磊;张毅文;亨利·H·阿达姆松;杜勇;苗渊浩 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L29/165 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构包括基底，基底上方形成有锗虚拟衬底层，锗虚拟衬底层上方形成有锗硅逆渐变缓冲层，锗硅逆渐变缓冲层上方形成有第一锗硅限制层，第一锗硅限制层上形成有锗量子阱层，锗量子阱层上形成有第二锗硅限制层，在第二锗硅限制层上形成有硅帽层。通过依次形成锗虚拟衬底层和锗硅逆渐变缓冲层，然后在锗硅逆渐变缓冲层上依次形成第一锗硅限制层、锗量子阱层和第二锗硅限制层，通过调节锗硅逆渐变缓冲层的过度程度，可调控锗量子阱层的应变大小，形成可限制载流子的包含高迁移率二维空穴气的异质结结构，改善核自旋干扰现象，便于与大规模硅基CMOS相兼容，降低制备成本。
一种半导体结构及其制备方法

[发明专利]一种锗硅光电探测器及其制备方法-CN201510938680.6在审
发明人：刘健;胡双元 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2015-12-16 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供了一种锗硅光电探测器及制备方法，所述探测器的外延结构包括在P型Si衬底上依次外延生长本征Si缓冲层，P型重掺杂Ge层，i型Ge层，N型重掺杂Ge层，Si帽层；然后在外延层上蒸镀金属银层，做出特定的网格形状；最后，转移一层石墨烯在金属网格上，退火形成石墨烯金属网格复合透明电极。本发明技术方案能够获得较高质量的石墨烯透明电极，同时避免了原有蒸镀厚金属占用较大的光敏面积的缺点，在相同光敏台面面积下，此复合电极显著地提高了锗硅光电探测器的光谱响应度和耦合效率；此外，石墨烯生长的金属衬底可以重复利用
一种光电探测器及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其制作方法、集成电路及电子设备-CN202010244614.X在审
发明人：李永亮;刘昊炎;程晓红;李俊杰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制作方法、集成电路及电子设备，涉及半导体技术领域，以解决在选用对高锗含量的锗硅进行释放时，如采用纯锗作为晶格匹配层，会存在腐蚀锗晶格匹配层的情况，如不采用纯锗晶格匹配层，直接在Si衬底上制备锗硅沟道，会导致缺陷的产生的技术问题。半导体器件，在衬底和锗硅沟道层之间增加了匹配层，匹配层包括锗晶格匹配层和锗硅晶格匹配层，锗硅沟道层形成在锗硅晶格匹配层上，锗硅晶格匹配层与锗硅沟道层的材质元素相同，晶格匹配度高，容易获得高质量的锗硅沟道；同时，在对锗硅沟道层进行释放时，由于对锗硅晶格匹配层选择比高，不会出现锗硅晶格匹配层、锗晶格匹配层或衬底过度腐蚀的问题。
半导体器件及其制作方法集成电路电子设备

[发明专利]半导体器件制作方法、半导体器件及电子装置-CN201610362706.1在审
发明人：邓浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2016-05-27 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制作方法，其包括提供半导体衬底，所述半导体衬底上至少形成有第一硅鳍结构和第二硅鳍结构；在所述第一硅鳍结构和第二硅鳍结构两侧形成硅锗层；向第二硅鳍结构两侧的硅锗层注入锗以提高该硅锗层的锗浓度；执行SiGe浓缩工艺以使所述第一硅鳍结构和第二硅鳍结构转变为第一硅锗鳍结构和第二硅锗鳍结构，其中，所述第二硅锗鳍结构的锗浓度大于所述第一硅锗鳍结构的锗浓度。本发明提出的半导体器件的制作方法，可以在半导体衬底上形成不同锗浓度的硅锗鳍结构，使得鳍结构中电子和空穴迁移能力增强，提高了半导体器件的性能。
半导体器件制作方法电子装置

[发明专利]一种FDSOI的锗硅层的制作方法-CN202111053103.0在审
发明人：陈勇跃;洪佳琪;颜强;谭俊;周海锋;成鑫华;方精训 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种FDSOI的锗硅层的制作方法，方法包括：提供SOI基片；在SOI基片的顶层硅上外延形成锗硅层；形成覆盖锗硅层的硅盖帽层；在硅盖帽层上沉积含有氧自由基的氧化物，以形成氧化物材料层；在锗硅层表面热氧化形成氧化层，锗硅层的厚度同时被减小，利用氧化物材料层中氧自由基的催化氧化作用使硅盖帽层氧化，且在氧化层和锗硅层的界面处形成锗凝聚；进行热退火将氧化层和锗硅层界面处凝聚的锗扩散到整个锗硅层；刻蚀去除氧化物材料层和氧化层本发明不仅实现了锗硅层锗浓度的提升，还降低高浓度锗硅层制备所需的时间和热预算，同时还保证锗硅层的工艺质量，使得锗硅层能很好的适用于半导体器件的制作，使半导体器件的性能得到改善。
一种 fdsoi 锗硅层制作方法

[发明专利]一种具有锗硅源漏区的PMOS器件结构及其制作方法-CN202211042108.8在审
发明人：张强 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有锗硅源漏区的PMOS器件结构及其制作方法，通过在锗硅主体层与硅盖帽层之间增设锗硅盖帽层，并通过调节锗前体流量以及第一锗硅外延反应气体中各反应气体之间流量比例，实现使锗硅盖帽层中的锗浓度自下而上呈递减状态，从而在锗硅主体层与硅盖帽层之间形成浓度渐变降低的锗硅缓冲层，能够明显减少锗硅本征层与硅盖帽层在界面处发生晶格失配的概率，因此可以有效解决弛豫缺陷问题；并且，本发明通过在形成硅盖帽层前的梯度升温阶段，采用不含锗前体的第二锗硅外延反应气体，对锗硅盖帽层的表面进行活化处理，使锗硅晶体表面始终处于吸热和放热的活跃状态，从而可极大程度地降低在晶体表面产生弛豫的风险。
一种具有锗硅源漏区 pmos 器件结构及其制作方法

[发明专利]改性共轭二烯系聚合物的制造方法和聚合物组合物的制造方法-CN201780047567.6有效
发明人：青嶋纮;今井昌子;稻垣胜成 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2017-08-04 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： C08C19/44 文献下载
摘要：本发明涉及改性共轭二烯系聚合物的制造方法，其具有：使具有基于包含共轭二烯化合物的单体的单元、和基于具有硅原子、锡原子、锗原子或磷原子的改性剂的单元的共轭二烯系聚合物中的基于前述改性剂的单元与有机金属化合物反应的步骤
改性共轭二烯系聚合物制造方法组合

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN201210397928.9在审
发明人：刘佳磊;焦明洁 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-10-18 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明实施例提供的半导体器件的制造方法，将锗硅层的形成工艺分成两次来实现，即先形成第一锗硅层，然后在第一锗硅层中形成第二锗硅层，克服了通过一次沉积工艺形成锗硅层造成的锗硅堆叠不理想问题，使锗硅层更接近PMOS的沟道区域，保证了锗硅层的压应力增强效果，提高了PMOS的性能，进而提高了整个半导体器件的性能。本发明实施例提供的半导体器件，锗硅层包括位于外侧的第一锗硅层和位于第一锗硅层内部的第二锗硅层两部分，克服了现有技术中锗硅堆叠不理想的问题，使锗硅层更接近PMOS的沟道区域，保证了锗硅层的压应力增强效果，
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种硅锗源/漏结构及其制造方法-CN201010261580.1无效
发明人：李凤莲 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-08-24 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明提供一种硅锗源/漏结构，包括：衬底；位于所述衬底之上的栅极结构；形成于衬底中，位于所述栅极结构两侧的台阶型硅锗源/漏区，所述台阶型硅锗源/漏区至少包括第一深度硅锗层和第二深度硅锗层，所述第一深度硅锗层的深度大于所述第二深度硅锗层，所述第二深度硅锗层紧挨所述第一深度硅锗层，所述第二深度硅锗层相较于所述第一深度硅锗层更加靠近所述栅极结构。本发明的硅锗源/漏结构中，通过形成台阶型状的硅锗源/漏结构使得晶体管的沟道可承受更大的应压力且不会降低延伸结特性，因此可进一步提高空穴迁移率，提高晶体管的性能。
一种硅锗源结构及其制造方法

[发明专利]形成高锗浓度的硅锗应力源的方法及集成电路晶体管结构-CN201010242785.5有效
发明人：张志豪;许俊豪;王建勋;叶致锴;张致祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-07-28 - 公布日： 2011-03-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成硅锗应力源的方法及集成电路晶体管结构，该方法包括：沉积一第一硅锗层于一半导体基板上的一源极区与一漏极区的至少其中之一中，半导体基板具有位于源极区与漏极区之间的一沟道；以及使第一硅锗层的一顶部转变成一氧化层以及使第一硅锗层的一底部转变成一第二硅锗层，其中第二硅锗层的锗浓度高于第一硅锗层的锗浓度。本发明使一具有低锗浓度的硅锗膜转变成一具有高锗浓度的硅锗膜，并形成以及适当地控制高锗浓度的硅锗轮廓。
形成浓度应力方法集成电路晶体管结构

[发明专利]基于锯齿形锗烯纳米带的半金属材料及其制备方法-CN201510271326.2有效
发明人：王志勇;曾中明 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2015-05-25 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于锯齿形锗烯纳米带的半金属材料及其制备方法。在本发明的一实施方案之中，利用使用基于密度泛函理论的第一性原理方法，首先优化边缘氢化的理想锯齿形锗烯纳米带，然后研究异质掺杂对锯齿形锗烯纳米带自旋特性的影响，通过引入硼氮共掺杂并改变掺杂位置来调控锗烯纳米带的自旋特性，并与理想锯齿形锗烯纳米带作比较，从而得到具有半金属特性的锗烯纳米带。本发明无需通过加外电场或交换场等外场的作用来调节锯齿形锗烯纳米带的自旋特性，只需通过调节掺杂原子之间的距离就能够实现具有半金属特性的锗烯纳米带，从而可方便的实现基于锗烯纳米带的自旋电子器件。
基于锯齿形纳米金属材料及其制备方法