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[发明专利]具有阻挡层的p-GaN栅HEMT器件及其制备方法-CN202210377176.3在审
发明人： 于国浩;黄兴杰;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有阻挡层的p‑GaN栅HEMT器件及其制备方法。所述制备方法包括：提供外延结构的步骤，所述外延结构包括沿指定方向依次设置的第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层；制作与所述外延结构配合的源极、漏极和栅极的步骤；并且，所述制备方法还包括：在所述第三半导体层上设置阻挡层，之后采用等离子体对所述第三半导体层进行处理，以将所述第三半导体层的栅源区域和栅漏区域内的半导体材料转化为高阻材料。本发明提供的方法能够有效减小等离子体处理对材料带来的注入损伤，制备工艺简单，耗时短，且制成的HEMT器件表面漏电小、关态损耗低、耐压高、动态性能稳定。
具有阻挡 gan hemt 器件及其制备方法

[发明专利]GaN基横向超结器件及其制作方法-CN201811153660.8有效
发明人：张晓东;张辉;张佩佩;于国浩;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基横向超结器件及其制作方法。所述横向超结器件包括异质结以及与异质结配合的源极、漏极和栅极，异质结包含第一半导体和第二半导体，第二半导体形成在第一半导体上，异质结中形成有二维电子气，源极与漏极通过二维电子气电连接；GaN基横向超结器件还包括复数个间隔设置的P型半导体，P型半导体分布在栅极下方；P型半导体形成于第一半导体上，且源极或漏极与P型半导体连接或不连接，或者，P型半导体形成于第二半导体上，且在相邻两个P型半导体之间以及在所述P型半导体与源极或漏极中的任意一者之间还形成有高阻半导体。本发明提供的GaN基横向超结器件，击穿电压高、比导通电阻小；制作工艺简单，重复性好。
gan 横向器件及其制作方法

[发明专利]基于超晶格结构的异质结、增强型HEMT器件及其制作方法-CN201811040406.7有效
发明人：徐峰;于国浩;李军帅;邓旭光;张丽;宋亮;范亚明;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于超晶格结构的异质结、增强型HEMT器件及其制作方法。所述基于超晶格结构的异质结包括第一半导体层和第二半导体层，在所述第一半导体层和第二半导体层之间形成有二维电子气，所述第一半导体层为AlxInyGa1‑x‑yN势垒层，其中，x/y＝3.1～4.7；所述AlxInyGa1‑x‑yN势垒层包括一个以上AlGaN/InGaN超晶格结构，所述AlGaN/InGaN超晶格结构包括叠层设置的AlGaN层和InGaN层；所述第二半导体层为GaN沟道层。本发明实施例采用的AlGaN/InGaN超晶格各子层厚度均低于其临界弛豫厚度，使得超晶格AlGaN、InGaN子层相对GaN沟道层分别处于张应变、压应变状态，能够作为应力补偿结构形成与GaN沟道层完全匹配的平衡晶格，有效补偿晶格失配应力，显著减小由失配应变引起的位错缺陷密度，进而抑制AlxInyGa1‑x‑yN/GaN异质结中的逆压电效应。
基于晶格结构异质结增强 hemt 器件及其制作方法

[发明专利]超级结二极管的制备方法-CN202210027892.9在审
发明人： 于国浩;唐文昕;周家安;张丽;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种超级结二极管的制备方法。所述超级结二极管的制备方法包括：在第一导电类型或第二导电类型的衬底上形成非故意掺杂的第一半导体；以掩模将所述第一半导体表面的多个第一区域掩盖，并使所述第一半导体表面的多个第二区域露出，多个第一区域和多个第二区域沿第一方向交替设置；在多个所述第二区域上生长形成多个第二半导体，以及，在多个所述掩模上生长形成多个第三半导体，多个第二半导体与多个第三半导体的导电类型不同且相互配合形成超级结结构。本发明实施例提供的一种超级结二极管的制备方法，不存在二次外延界面污染，从而保证了超级结的质量。
超级二极管制备方法

[发明专利]基于沟道阵列的异质结场效应晶体管及其制作方法和应用-CN201810491766.2有效
发明人：张晓东;张辉;张佩佩;郝荣晖;宋亮;于国浩;蔡勇;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2018-05-21 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于沟道阵列的异质结场效应晶体管及其制作方法和应用。所述基于沟道阵列的异质结场效应晶体管包括异质结以及与所述异质结配合的源极、漏极和栅极，异质结中形成有二维电子气，源极与漏极通过二维电子气电连接；所述晶体管还包括形成在所述异质结上的第三半导体，第三半导体能够将分布于其下方的二维电子气耗尽，在所述栅极下方的第三半导体中还形成有至少一第四半导体，并且第四半导体下方的二维电子气被保留而形成沟道。本发明提供的制作方法无需采用刻蚀技术，避免了刻蚀均匀性、重复性以及刻蚀损伤等问题；以H等离子处理或H扩散的方式处理P‑GaN，处理深度可控，不会对下层材料以及二维电子气造成损伤，保证了器件的可靠性。
基于沟道阵列异质结场效应晶体管及其制作方法应用

[发明专利]GaN基半导体器件及其制备方法-CN202210923759.1在审
发明人：王哲明;蔡勇;于国浩;张璇;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基半导体器件及其制备方法，所述GaN基半导体器件包括衬底、位于衬底上的GaN基外延结构及位于GaN基外延结构上的若干电极，GaN基外延结构包括GaN层，GaN基外延结构上通过N离子注入形成有离子注入区，离子注入区注入至全部或部分GaN层中，N离子注入的温度为25℃～500℃，N离子能量为20KeV～180KeV，注入剂量为6.1×1013cm‑2～5.5×1014cm‑2。本发明通过在GaN基外延结构中注入N离子，可以修复离子注入引起的GaN晶格损伤，对损伤产生的主要缺陷N空位进行补偿，使GaN晶格在离子注入时及注入后保持修复状态且减少了N空位并呈现高阻；通过调节电极间的距离及N离子注入温度、能量及注入剂量，能够大幅降低器件的总漏电和界面漏电，可适用于各种GaN基半导体器件之间的隔离工艺。
gan 半导体器件及其制备方法

[发明专利]在衬底上直接制备石墨烯的方法-CN201711254473.4有效
发明人：张学敏;于国浩;曾春红;付思齐;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： C01B32/184 文献下载
摘要：本发明公开了一种在衬底上直接制备石墨烯的方法，其包括：(1)在衬底上形成用以生长石墨烯的碳源层；(2)在碳源层上形成用以催化石墨烯生长的催化金属层；(3)将形成有碳源层和催化金属层的衬底置于退火炉中，在惰性气体气氛、500℃‑1000℃退火处理获得石墨烯；(4)将生长有石墨烯的衬底温度降至室温，并除去催化金属层，从而实现石墨烯的直接制备。本发明提供的方法工艺流程简单，在衬底上所生长的石墨烯质量较好，能够形成较大晶界的石墨烯，并且无需转移步骤，有利于在不同衬底上的器件制作；另外，此方法无需气体碳源参与，简化了工艺流程，不受衬底限制，能够简单高效的得到高质量的石墨烯薄膜。
衬底直接制备石墨方法

[发明专利]GaN P沟道器件及其制作方法-CN202210650831.8在审
发明人：王哲明;袁旭;于国浩;张璇;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基P沟道器件及其制作方法。所述制作方法包括：提供外延结构，所述外延结构包括第一半导体层、第二半导体层和p型半导体层；对所述p型半导体层表面的第一区域进行刻蚀，直至使所述第一半导体层中与背电极对应的区域暴露；以磷酸溶液至少对所述外延结构进行腐蚀处理；制作背电极、源极及漏极；在所述p型半导体层的栅极区域刻蚀形成凹槽，至少以四甲基氢氧化铵溶液对凹槽进行修复处理，或者，依次以O等离子体和KOH溶液对凹槽进行修复处理，之后制作与所述凹槽配合的栅极。本发明实施例提供的一种基于良好的P型欧姆接触的GaN P沟道器件的制作方法，经磷酸腐蚀后能够产生诸多的Ga空位，进而提升了欧姆接触区域的空穴电流强度。
gan 沟道器件及其制作方法

[发明专利]一种p-GaN欧姆接触电极及其制备方法与应用-CN202210460707.5在审
发明人：袁旭;于国浩;王哲明;赵德胜;张宝顺 -专利权人：广东中科半导体微纳制造技术研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本发明公开了一种p‑GaN欧姆接触电极的制备方法，包括以下步骤：提供GaN基外延片，所述GaN基外延片的最上层为p型GaN层，对所述p型GaN层进行激活处理，得到第一GaN基外延片；在所述第一GaN基外延片的p型GaN层上刻蚀，制备出欧姆接触区域，得到第二GaN基外延片；利用热磷酸溶液对所述第二GaN基外延片进行湿法腐蚀处理，清洗后得到第三GaN基外延片；在所述第三GaN基外延片的欧姆接触区域积淀金属，并通过退火工艺对金属进行合金处理，完成p‑GaN欧姆接触电极的制备。本发明能够明显提高p‑GaN材料的欧姆接触性能。
一种 gan 欧姆接触电极及其制备方法应用

[实用新型]分氨装置-CN202220263154.X有效
发明人：杜丽娟;于国浩;杜丽娜;于荣 -专利权人：烟台核一过滤设备有限公司
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： B01D53/54 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种分氨装置，属于固液分离分氨设备技术领域，包括储液罐，所述储液罐顶部与真空泵连通，下部与过滤液收集箱和过滤液回收箱连通，还包括喷淋剂箱、水泵和若干喷头；所述储液罐包括与其连通的第一腔体，所述第一腔体与所述水泵的进液端连通，所述储液罐上方周向设置有若干连接管，所述连接管一端延伸至储液罐内部，并连接有所述喷头，另一端与所述水泵的出液端连通；过滤液由所述第一腔体泵至喷头，喷淋后再回至储液罐，形成循环；所述喷淋剂箱与水泵进液口相连。本实用新型结构简单、操作方便，采用循环方式，使未完全中和的氯化钠充分反应，并根据需求及时补充饱和氯化钠溶液，提高效率，防止氨气进入真空管腐蚀设备。
装置

[发明专利]一种GaN基HEMT器件及其制备方法和应用-CN202210148255.7在审
发明人：袁旭;于国浩;赵德胜;张宝顺 -专利权人：广东中科半导体微纳制造技术研究院
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基HEMT器件及其制备方法和应用。本发明所述制备方法通过在GaN材料中注入n型离子并结合激活保护层进行高温激活，形成了高质量低电阻的欧姆接触，实现了低温欧姆制备工艺。同时，本发明所述金属的退火温度低，满足场板的制作工艺，进而可以通过一次金属淀积形成源极、漏极和漏场板，克服了现有GaN基HEMT器件欧姆接触电阻较大以及工艺复杂的缺陷/不足，具有广泛的应用前景。
一种 gan hemt 器件及其制备方法应用

[实用新型]储液式排液罐-CN202220183220.2有效
发明人： 于国浩;杜丽娟;于荣;杜丽娜;张巍 -专利权人：烟台核一过滤设备有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： B65D90/54 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种储液式排液罐，属于真空过滤机技术领域，包括罐体，所述罐体表面设置有料液进口，其顶部设置有真空接口，所述真空接口通过管道连接有真空阀，所述罐体底面连接有储液箱，所述罐体和储液箱相互连通；所述储液箱表面设置有排液口。本实用新型的一种储液式排液罐，结构简单，通过设置内排管，且在内排管的出口端设置内排阀板，并通过操作真空阀来控制内排阀板的开合；通过在排液罐下方设置储液箱，有效增加了储液空间，避免排液罐内液体回流，且能够解决临时储存液体的问题。
储液式排液罐

[发明专利]一种GaN基HEMT器件及其制作方法-CN202210219287.1在审
发明人：范亚明;冯家驹;张晓东;于国浩;邓旭光;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：提供了一种GaN基HEMT器件及其制作方法，所述制作方法包括：在衬底上制作形成h‑BN薄膜；在h‑BN薄膜上制作形成金刚石薄膜；在金刚石薄膜上制作形成GaN基HEMT外延结构；在GaN基HEMT外延结构上制备电极；机械剥离所述衬底，以获得所述GaN基HEMT器件。本发明通过直接在传统衬底上原位生长形成h‑BN薄膜/金刚石薄膜/GaN基HEMT外延结构的器件结构，然后再利用h‑BN薄膜的可剥离特性以剥离掉传统衬底，使器件能够直接利用热导率较高的金刚石薄膜作为热沉衬底进行散热，有效降低了器件温度，进而提高器件的可靠性；而且剥离传统衬底过程中还避免了对器件造成的损伤，有利于提高器件良率；此外，所述制作方法简单便捷且成本较低。
一种 gan hemt 器件及其制作方法

[发明专利]极化超结的Ⅲ族氮化物二极管器件及其制作方法-CN201711383701.8有效
发明人： 于国浩;陈扶;宋亮;郝荣晖;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种极化超结的Ⅲ族氮化物二极管器件及制作方法。所述器件包括：包括第一、第二半导体的第一异质结，所述第一异质结构中形成有二维电子气；包括所述第二半导体和第三半导体的第二异质结，所述第二异质结中形成有二维空穴气；形成于所述第二半导体上的第四半导体，所述第四半导体与第三半导体在水平方向上紧密连接；所述第四半导体为p型掺杂，可以将所述第一异质结中的二维电子气耗尽；与第一异质结连接的阳极和阴极，所述阳、阴极与所述第一异质结中二维电子气电连接，所属阳极同时与第四半导体形成电连接。
极化氮化物二极管器件及其制作方法

[发明专利]用于氮化镓高温退火的保护结构及其应用-CN202111356887.4在审
发明人：王哲明;张璇;于国浩;张宝顺;邓旭光 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于氮化镓高温退火的保护结构及其应用。所述用于氮化镓高温退火的保护结构包括：依次层叠设置在氮化镓材料表面的第一保护层、第二保护层和第三保护层，所述第一保护层、第二保护层和第三保护层的材质包括AlN。本发明实施例提供的一种氮化镓高温退火激活的方法，可以避免在GaN表面生长保护层而产生的应力问题。
用于氮化高温退火保护结构及其应用

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