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[发明专利]一种铂薄膜及其制作方法-CN202210350962.4在审
发明人：吕伟明;范亚明;王逸群;时文华;曾中明;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C23C14/18 文献下载
摘要：提供了一种铂薄膜及其制作方法，所述制作方法包括：利用抛光液对陶瓷衬底进行化学机械抛光处理，以获得具有预定粗糙度的陶瓷衬底；在预定的衬底温度下，利用磁控溅射法在陶瓷衬底上沉积形成铂薄膜；对铂薄膜进行退火处理。本发明通过采用化学机械抛光处理以及多次溅射的方式制备获得了具有厚度薄、方阻低、均一性高、成本低等优点的铂薄膜，实现了在厚度较薄的条件下，铂薄膜的电学性能与厚膜的性能相当，在保证良好性能的同时降低了生产成本。因此，将其应用于电阻温度传感器中，不仅有利于满足电阻温度传感器产品对环境温度的精准测量的要求，还有利于降低电阻温度传感器的生产成本，提高生产效率。
一种薄膜及其制作方法

[发明专利]具有阻挡层的p-GaN栅HEMT器件及其制备方法-CN202210377176.3在审
发明人：于国浩;黄兴杰;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有阻挡层的p‑GaN栅HEMT器件及其制备方法。所述制备方法包括：提供外延结构的步骤，所述外延结构包括沿指定方向依次设置的第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层；制作与所述外延结构配合的源极、漏极和栅极的步骤；并且，所述制备方法还包括：在所述第三半导体层上设置阻挡层，之后采用等离子体对所述第三半导体层进行处理，以将所述第三半导体层的栅源区域和栅漏区域内的半导体材料转化为高阻材料。本发明提供的方法能够有效减小等离子体处理对材料带来的注入损伤，制备工艺简单，耗时短，且制成的HEMT器件表面漏电小、关态损耗低、耐压高、动态性能稳定。
具有阻挡 gan hemt 器件及其制备方法

[发明专利]氧化镓纳米管及其制备方法和应用-CN202110036299.6有效
发明人：马永健;张晓东;李军帅;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化镓纳米管及其制备方法和应用。所述制备方法包括：在衬底上设置催化剂，并利用所述催化剂在衬底上生长形成氧化镓纳米线；去除氧化镓纳米线顶端的催化剂，或者，使氧化镓纳米线顶部的催化剂在纳米线生长过程中被自然耗尽；在氧化镓纳米线顶端面中央位置设置金属镓，其后通过金属镓与氧化镓的自反应腐蚀使氧化镓纳米线内部被腐蚀，从而获得内部中空的氧化镓纳米管。本发明实施例提供的一种氧化镓纳米管的制备方法，利用镓自反应腐蚀技术实现了垂直于衬底表面的高晶体质量纳米管阵列的制备，避免了其他材料对纳米管的污染，此氧化镓纳米管可应用于紫外光电子、气体探测或吸附等领域。
氧化纳米及其制备方法应用

[实用新型]一种联产绿色硅酸盐材料和尿素的系统-CN202321391452.8有效
发明人： 张宝顺;任长春;逯德成;宗冰;王体虎 -专利权人：青海亚洲硅业多晶硅有限公司;亚洲硅业（青海）股份有限公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C04B7/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种联产绿色硅酸盐材料和尿素的系统，属于水泥生产技术领域，其包括绿电供应单元、氢气制备单元、氮气制备单元、氨气合成单元、原料预处理单元、材料处理单元以及尾气处理单元，氢气制备单元和氮气制备单元均与绿电供应单元的输出端电连接，且氢气制备单元的输出端和氮气制备单元的输出端均与氨气合成单元连通；原料预处理单元与材料处理单元连接，氨气合成单元也与材料处理单元连接，材料处理单元与尾气处理单元连接，且氨气合成单元也与尾气处理单元连接。本实用新型公开的联产绿色硅酸盐材料和尿素的系统中以绿氨作为绿色燃料和绿色二氧化碳捕捉剂，可使重碳排放的传统硅酸盐水泥工厂以最低的改造成本，实现二氧化碳的零排放。
一种联产绿色硅酸盐材料尿素系统

[实用新型]氨氢混合燃料制备系统-CN202321379190.3有效
发明人： 张宝顺;于一夫;朱杰伟;任长春;宗冰;王体虎 -专利权人：青海亚洲硅业多晶硅有限公司;亚洲硅业（青海）股份有限公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： B01J8/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种氨氢混合燃料制备系统，涉及可再生能源的技术领域。氨氢混合燃料制备系统包括配比调节装置、收集装置、液氨储存装置以及控制器；配比调节装置包括氨制氢反应器、温度调节反应器以及升温机构；升温机构用于将从液氨储存装置中流出的液氨加热转化成氨气后，再通入氨制氢反应器和温度调节反应器；氨制氢反应器用于将氨气转变为氢气和氮气；温度调节反应器用于对氨气进行加热。上述系统在其控制器的控制下，能够在线实时控制液氨的流量，在经过升温机构、氨制氢反应器和温度调节反应器的转化后，调整氨氢混合燃料到合适的配比，从而满足能量转换装置在不同运行工况之间的变换需求。
混合燃料制备系统

[发明专利]一种绿氢高密度储存容器及其制造方法-CN202310836245.7在审
发明人： 张宝顺;逯德成;任长春;宗冰;王体虎 -专利权人：青海亚洲硅业多晶硅有限公司;亚洲硅业（青海）股份有限公司
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： F17C1/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种绿氢高密度储存容器及其制造方法，属于清洁能源的储备技术领域，绿氢高密度储存容器包括容器本体和可旋盖板。在容器本体的内壁上依次设置有过渡层和内层涂层，且在容器本体的顶部设置有泄压阀，在容器本体的底部设置有进气阀和排气阀。可旋盖板与容器本体转动连接，旋转可旋盖板以将进气阀和排气阀遮挡或者露出。本发明公开的绿氢高密度储存容器通过在内部设置耐氢脆的内层涂层的方式解决大规模储氢问题，设置这种耐氢脆内层涂层后大大节约了容器的制备成本，并且设备安装方便、密封性好、结构紧凑、易于喷涂和维修。
一种高密度储存容器及其制造方法

[发明专利]一种氨的电子域有序调控催化合成方法、装置及系统-CN202211624113.X有效
发明人： 张宝顺;于一夫;张兵 -专利权人：天津大学
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C01C1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种氨的电子域有序调控催化合成方法、装置及系统，以氮气和氢气作为原料，以磁性物质作为活性组分的多元材料作为催化剂，并向氮气、氢气及催化剂同时施加热场、磁场及电场或热场和电磁场。本发明采用上述一种氨的电子域有序调控催化合成方法、装置及系统，以实现在低温低压条件下氨的温和合成。
一种电子有序调控催化合成方法装置系统

[发明专利]MOSFET器件及其制作方法-CN202310952551.7在审
发明人：曾春红;江磊枫;孙玉华;崔奇;董志华;张宝顺;曾中明 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOSFET器件及其制作方法。MOSFET器件包括器件结构层以及与所述器件结构层匹配的源极、漏极和栅极，所述器件结构层包括漂移区、沿第一方向依次层叠设置在所述漂移区的第一区域上的基区、欧姆接触区以及沿第一方向层叠设置在所述漂移区的第二区域上的源区，所述源区沿第二方向设置在所述基区、所述欧姆接触区的两侧且与所述基区、所述欧姆接触区邻接，所述源区与所述漂移区之间的界面为阶梯结构。本发明提供的MOSFET器件的反向击穿电压更高、正向导通性能更好。
mosfet 器件及其制作方法

[发明专利]基于多波长超表面元件的三维重建系统及三维重建方法-CN202310784436.3在审
发明人：王逸群;吴东岷;陈辰;吕柏莹;张宝顺;曾中明 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G01B11/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于多波长超表面元件的三维重建系统及三维重建方法，三维重建系统包括光源模组、超表面元件、采集模组以及计算模组。光源模组出射多波长光束；超表面元件设置于光束的出射路径上，超表面元件用于将光源模组出射的光束投影成结构光点云，其中，不同波长的光束被投影成不同尺寸或不同位置的结构光点云单元，多个结构光点云单元相互交叠、交错或规律分布，形成结构光点云投影图案；采集模组采集结构光点云投影图案经被测物体反射后的投影图案信息；以及计算模组根据采集模组采集的投影图案信息，计算被测物体的三维信息。本发明的基于多波长超表面元件的三维重建系统，对比单波长三维重建系统，通过投影点密度的成倍增加，提高了三维重建系统分辨率和精度，并通过多个结构光点云分布方式，减少了三维信息的丢失。
基于波长表面元件三维重建系统方法

[发明专利]GaN基横向超结器件及其制作方法-CN201811153660.8有效
发明人：张晓东;张辉;张佩佩;于国浩;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基横向超结器件及其制作方法。所述横向超结器件包括异质结以及与异质结配合的源极、漏极和栅极，异质结包含第一半导体和第二半导体，第二半导体形成在第一半导体上，异质结中形成有二维电子气，源极与漏极通过二维电子气电连接；GaN基横向超结器件还包括复数个间隔设置的P型半导体，P型半导体分布在栅极下方；P型半导体形成于第一半导体上，且源极或漏极与P型半导体连接或不连接，或者，P型半导体形成于第二半导体上，且在相邻两个P型半导体之间以及在所述P型半导体与源极或漏极中的任意一者之间还形成有高阻半导体。本发明提供的GaN基横向超结器件，击穿电压高、比导通电阻小；制作工艺简单，重复性好。
gan 横向器件及其制作方法

[发明专利]半导体制冷结构及其于SMAR温漂校正领域的用途-CN201911139127.0有效
发明人：王哲明;范亚明;陈扶;黄宏娟;赵佳豪;云小凡;张晓东;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10N10/85 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体制冷结构及其于SMAR温漂校正领域的用途。所述半导体制冷结构，包括主要由至少一个P型半导体和至少一个N型半导体电连接组成的回路，所述P型半导体包括一个以上共振态掺杂的P型AlGaN/GaN超晶格结构，所述超晶格结构所含受主包括Mg离子。本发明实施例提供的一种基于共振态掺杂实现的半导体制冷器，以P‑AlGaN/GaN超晶格阵列的方式来进行半导体制冷；其中，P‑AlGaN/GaN是基于共振态即自电离态进行的P‑N结超晶格结构，且不依赖其厚度的极化效应，且自电离效率较高。
半导体制冷结构及其 smar 校正领域用途

[发明专利]一种氨氢燃料制备装置及方法-CN202310651134.9在审
发明人： 张宝顺;于一夫;任长春;朱杰伟;宗冰;王体虎 -专利权人：青海亚洲硅业多晶硅有限公司;亚洲硅业（青海）股份有限公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： B01J8/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种氨氢燃料制备装置及方法，属于氨燃料技术领域，氨氢燃料制备装置包括反应器本体、催化剂、导热管、金属线圈和电源。催化剂放置于反应器本体内，导热管穿设于反应器本体，导热管用于对反应器本体的内部进行加热。电源用于给金属线圈供电以在反应器本体周围产生磁场。本发明公开的氨氢燃料制备装置以氨气作为初始原料，在加热以及催化的条件下，在线合成配比可调的氨氢燃料，由氢充当助燃剂，从而解决氨燃烧困难的问题，实现真正的氨零碳燃烧。
一种燃料制备装置方法

[发明专利]基于超晶格结构的异质结、增强型HEMT器件及其制作方法-CN201811040406.7有效
发明人：徐峰;于国浩;李军帅;邓旭光;张丽;宋亮;范亚明;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于超晶格结构的异质结、增强型HEMT器件及其制作方法。所述基于超晶格结构的异质结包括第一半导体层和第二半导体层，在所述第一半导体层和第二半导体层之间形成有二维电子气，所述第一半导体层为AlxInyGa1‑x‑yN势垒层，其中，x/y＝3.1～4.7；所述AlxInyGa1‑x‑yN势垒层包括一个以上AlGaN/InGaN超晶格结构，所述AlGaN/InGaN超晶格结构包括叠层设置的AlGaN层和InGaN层；所述第二半导体层为GaN沟道层。本发明实施例采用的AlGaN/InGaN超晶格各子层厚度均低于其临界弛豫厚度，使得超晶格AlGaN、InGaN子层相对GaN沟道层分别处于张应变、压应变状态，能够作为应力补偿结构形成与GaN沟道层完全匹配的平衡晶格，有效补偿晶格失配应力，显著减小由失配应变引起的位错缺陷密度，进而抑制AlxInyGa1‑x‑yN/GaN异质结中的逆压电效应。
基于晶格结构异质结增强 hemt 器件及其制作方法

[发明专利]超级结二极管的制备方法-CN202210027892.9在审
发明人：于国浩;唐文昕;周家安;张丽;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种超级结二极管的制备方法。所述超级结二极管的制备方法包括：在第一导电类型或第二导电类型的衬底上形成非故意掺杂的第一半导体；以掩模将所述第一半导体表面的多个第一区域掩盖，并使所述第一半导体表面的多个第二区域露出，多个第一区域和多个第二区域沿第一方向交替设置；在多个所述第二区域上生长形成多个第二半导体，以及，在多个所述掩模上生长形成多个第三半导体，多个第二半导体与多个第三半导体的导电类型不同且相互配合形成超级结结构。本发明实施例提供的一种超级结二极管的制备方法，不存在二次外延界面污染，从而保证了超级结的质量。
超级二极管制备方法

[发明专利]一种大规模绿氨裂解制氢系统及制氢方法-CN202211623864.X有效
发明人：于一夫;张宝顺;张兵 -专利权人：天津大学
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C01B3/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种大规模绿氨裂解制氢系统及制氢方法，属于制氢技术领域。本发明的绿氨裂解制氢系统，包括液氨灌装单元、液氨储存单元、液氨气化单元、氨气缓存单元、氨气预热单元、氨气加热单元、氨气裂解单元、液氨深冷单元、氢气纯化单元、氮气储存单元、氢气储存单元、氢气分配单元、能量转化单元、中央控制单元及在线分析单元；所述大规模绿氨裂解制氢系统与用氢端进行匹配。本发明的绿氨裂解制氢系统可根据用氢端需求进行定制化设计，可快速、精准响应大规模用氢端用氢需求，可实现对副产氮气的高效利用，以及氨裂解气中的残余氨气的循环利用，具有低碳环保、低成本的优势。
一种大规模裂解系统方法

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