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[发明专利]抗蚀剂稀释系统-CN200610128932.X无效
发明人：森尾公隆;长谷川透;室伏荣治 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2006-09-04 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供一种抗蚀剂稀释系统，该抗蚀剂稀释系统具有使高粘度抗蚀剂等易干燥而难以处理的液体进行流通的管道。该抗蚀剂稀释系统(1)具有管道(3)以及调制槽(2)，该管道(3)具有高粘度抗蚀剂用管道(3a)、稀释溶剂用管道(3b)以及1个流出部(3e)；该调制槽(2)将高粘度抗蚀剂和稀释溶剂混合，该高粘度抗蚀剂从高粘度抗蚀剂用管道(3a)流入、从流出部(3e)流出，该稀释溶剂从稀释溶剂用管道(3b)流入、从流出部(3e)流出；利用该抗蚀剂系统(1)，在使用时，稀释溶剂能够对通常残留在管道表面的高粘度抗蚀剂进行冲洗。
抗蚀剂稀释系统

[发明专利]回流处理方法以及TFT的制造方法-CN200810003524.0无效
发明人：麻生丰;白石雅敏;田中志信 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-01-18 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：以源电极用抗蚀剂掩膜(210)(漏电极用抗蚀剂掩膜(211))的单位长度L平均的体积V₁相对布线用抗蚀剂掩膜(231)的单位长度L平均的体积V₂为1.5～3倍的方式设定线宽W₁以及W₂，由此，可确保源电极用抗蚀剂掩膜(210)(漏电极用抗蚀剂掩膜(211))进行变形而得到的变形抗蚀剂(212)的线宽W₃为充分覆盖凹部(220)的宽度，并且，将布线用抗蚀剂掩膜(231)变形而得到的变形抗蚀剂(232)的线宽W₄抑制得很小。
回流处理方法以及 tft 制造

[发明专利]含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物及图案形成方法-CN202010333047.5在审
发明人：荻原勤;渡边司;美谷岛祐介;金山昌广 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G03F7/075 文献下载
摘要：本发明涉及含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物及图案形成方法。本发明提供能够改善在以酸作为催化剂的化学增幅抗蚀剂形成的微细图案中的LWR、CDU的抗蚀剂下层膜。含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物含有热硬化性含硅材料(Sx)、硬化催化剂(Xc)及溶剂，且该硬化催化剂(Xc)从利用该含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物形成的抗蚀剂下层膜到于该抗蚀剂下层膜上形成的抗蚀剂上层膜的扩散距离为
抗蚀剂下层形成组成图案方法

[发明专利]光致抗蚀剂用树脂、光致抗蚀剂用树脂的制造方法、光致抗蚀剂用树脂组合物、以及图案形成方法-CN201980020276.7在审
发明人：伊藤昭德;江口明良 -专利权人：株式会社大赛璐
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： C08F220/18 文献下载
摘要：本发明提供相对于溶剂的溶解性高的光致抗蚀剂用树脂及其制造方法。并提供含有上述光致抗蚀剂用树脂的光致抗蚀剂用树脂组合物、及使用了该光致抗蚀剂用树脂组合物的图案形成方法。上述光致抗蚀剂用树脂在树脂末端不包含氰基，并且分子量分布(Mw/Mn)为1.4以下。
光致抗蚀剂用树脂制造方法组合以及图案形成

[发明专利]具有砜结构及胺结构的含硅抗蚀剂下层膜形成组合物-CN201380032731.8有效
发明人：菅野裕太;高濑显司;中岛诚;武田谕;若山浩之 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2013-06-19 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： C07F7/18 文献下载
摘要：本发明提供光刻用抗蚀剂下层膜形成组合物。解决手段是采用下述式(1‑a)或式(1‑b)表示的硅烷化合物。该光刻用抗蚀剂下层膜形成组合物包含作为硅烷的水解性有机硅烷、其水解物及其水解缩合物中的至少1种，且该硅烷包含式(1‑a)或式(1‑b)表示的硅烷化合物。还提供半导体装置的制造方法，其包含通过将抗蚀剂下层膜形成组合物涂布在半导体基板上并进行烧成而形成抗蚀剂下层膜的工序、在上述下层膜上涂布抗蚀剂用组合物而形成抗蚀剂膜的工序、对上述抗蚀剂膜进行曝光的工序、曝光后对抗蚀剂膜进行显影而得到图案化的抗蚀剂膜的工序、按照图案化的抗蚀剂膜对抗蚀剂下层膜进行蚀刻的工序、以及按照图案化抗蚀剂膜及抗蚀剂下层膜加工半导体基板的工序。
具有结构含硅抗蚀剂下层形成组合

[发明专利]用于制备光致抗蚀剂图案的方法-CN201010517468.X无效
发明人：畑光宏;桥本和彦 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2010-10-19 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供用于制备光致抗蚀剂图案的方法，所述方法包括步骤(1)至(11)：(1)在基底上涂覆第一光致抗蚀剂组合物，接着进行干燥，由此形成第一光致抗蚀剂膜，(2)预焙烘第一光致抗蚀剂膜，(3)将预烘焙的第一光致抗蚀剂膜曝光于辐射，(4)烘焙曝光的第一光致抗蚀剂膜，(5)用第一碱性显影液将烘焙的第一光致抗蚀剂膜显影，由此形成第一光致抗蚀剂图案，(6)在第一光致抗蚀剂图案上形成涂层，(7)在涂层上涂覆第二光致抗蚀剂组合物，接着进行干燥，由此形成第二光致抗蚀剂膜，(8)预焙烘第二光致抗蚀剂膜，(9)将预烘焙的第二光致抗蚀剂膜曝光于辐射，(10)烘焙曝光的第二光致抗蚀剂膜，和(11)用第二碱性显影液将烘焙的第二光致抗蚀剂膜显影，由此形成第二光致抗蚀剂图案
用于制备光致抗蚀剂图案方法

[发明专利]包含具有碳酸酯骨架的水解性硅烷的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物-CN201680007509.6有效
发明人：柴山亘;中岛诚;后藤裕一;坂本力丸 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明的课题是提供，用于形成可以作为硬掩膜使用的抗蚀剂下层膜的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。本发明的解决方法涉及一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，包含作为硅烷的水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物、或它们的组合，该水解性硅烷包含选自式(1)、式(2)和式(3)所示的水解性硅烷中的至少一种水解性硅烷本发明的解决方法还涉及一种半导体装置的制造方法，包括下述工序：在半导体基板上形成有机下层膜的工序，在该有机下层膜上涂布抗蚀剂下层膜形成用组合物，进行烧成，形成抗蚀剂下层膜的工序，在前述抗蚀剂下层膜上涂布抗蚀剂膜形成用组合物，形成抗蚀剂膜的工序，将前述抗蚀剂膜进行曝光和显影，获得抗蚀剂图案的工序，然后依次进行蚀刻的工序。
包含具有碳酸骨架水解硅烷光刻用抗蚀剂下层形成组合

[发明专利]抗蚀剂下层膜形成用组合物用添加剂及包含其的抗蚀剂下层膜形成用组合物-CN201480040916.8有效
发明人：藤谷德昌;远藤贵文;大西龙慈;坂本力丸 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2014-07-16 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明的课题是提供为了增大抗蚀剂下层膜上形成的抗蚀剂图案与该抗蚀剂下层膜的密合性，使抗蚀剂下层膜的表面状态改性为疏水性状态的抗蚀剂下层膜形成用组合物用添加剂，以及包含其的抗蚀剂下层膜形成用组合物。本课题的解决方法是包含具有由下述式(1)表示的结构单元的聚合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物用添加剂，以及包含树脂粘合剂、有机溶剂和前述添加剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物。
抗蚀剂下层形成组合添加剂包含

[发明专利]碱性显影液可溶性的含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物-CN201880043979.7在审
发明人：柴山亘;中岛诚 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明的课题是提供能够用光致抗蚀剂的曝光后的显影所使用的碱性显影液，与光致抗蚀剂的显影同时将存在于其下层的抗蚀剂下层膜也按照抗蚀剂图案同时除去的抗蚀剂下层膜。解决手段是一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，上述抗蚀剂下层膜是在上层抗蚀剂显影时与该上层抗蚀剂一起按照抗蚀剂图案用碱性显影液溶解除去的含有硅的抗蚀剂下层膜，上述组合物包含成分(a)和要素(b)，该成分引起在碱性显影液中溶解的要素(b)为光产酸剂。
碱性显影液可溶性含有抗蚀剂下层形成组合

[发明专利]含有磺酸*盐的含硅EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物-CN201380029266.2在审
发明人：柴山亘;志垣修平;坂本力丸 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2013-07-29 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明的课题是提供抗蚀剂形状良好的EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物。作为解决本发明课题的手段，涉及一种EUV光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含作为硅烷的水解性有机硅烷、其水解物或其水解缩合物，还包含含有烃基的磺酸根离子与含有 euv 抗蚀剂下层形成组合

[发明专利]正型光致抗蚀剂组合物与抗蚀剂图案的形成方法-CN03148995.8无效
发明人：久保敦子;大内康秀;宫城贤 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2003-07-03 - 公布日： 2004-01-21 - 主分类号： G03F7/022 文献下载
摘要：本发明提供一种适用于系统液晶显示器(LCD)的制造且线性优异并可以形成微细抗蚀剂图案的材料以及使用此材料的抗蚀剂图案形成方法。本发明正型光致抗蚀剂组合物用于制造1块基板上形成集成电路和液晶显示元件部分的基板，其特征在于含有(A)碱溶性树脂、(B)萘醌二迭氮酯化合物、(C)特定结构的含酚性羟基的化合物以及(D)有机溶剂。本发明的抗蚀剂图案形成方法的特征在于，包括：用该正型抗蚀剂组合物在基板上形成抗蚀剂涂膜的工序、用画有用于形成集成电路用抗蚀剂图案的掩膜图案和用于形成液晶显示部分用抗蚀剂图案的掩膜图案的掩膜，进行选择性曝光，同时形成集成电路用抗蚀剂图案和液晶显示部分用抗蚀剂图案的工序。
正型光致抗蚀剂组合抗蚀剂图案形成方法

[发明专利]使用了两层型防反射膜的光致抗蚀剂图形的形成方法-CN200580040348.2有效
发明人：畑中真 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2005-11-01 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种在半导体器件制造的光刻工序中、使用能用光致抗蚀剂用显影液进行显影的防反射膜、形成光致抗蚀剂和防反射膜都为矩形形状的图形的方法。本发明通过提供下述光致抗蚀剂图形的形成方法解决了上述课题，即，一种光致抗蚀剂图形的形成方法，其包括形成可溶于光致抗蚀剂用显影液的第1防反射膜的工序；在上述第1防反射膜上形成可溶于光致抗蚀剂用显影液并且对光致抗蚀剂用显影液的溶解速度比上述第1防反射膜小的第2防反射膜的工序；在上述第2防反射膜上形成光致抗蚀剂的工序；对由上述第1防反射膜、上述第2防反射膜和上述光致抗蚀剂被覆的半导体基板进行曝光的工序；和利用光致抗蚀剂用显影液进行显影的工序。
使用两层型防反射光致抗蚀剂图形形成方法

[发明专利]使用双重图案化的光致抗蚀剂图像成形方法-CN200980111624.8无效
发明人： R·R·达梅尔;D·J·阿布达拉;E·阿勒梅;M·帕德马纳本 -专利权人： AZ电子材料美国公司
申请日： 2009-03-30 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：在器件上形成光致抗蚀剂图案的方法，包括：a)在基底上从第一光致抗蚀剂组合物形成第一光致抗蚀剂层；b)成像式曝露该第一光致抗蚀剂；c)将第一光致抗蚀剂显影以形成第一光致抗蚀剂图案；d)用包括至少2个氨基(NH2)基团的硬化化合物处理第一光致抗蚀剂图案，因此形成硬化的第一光致抗蚀剂图案；e)在包括该硬化的第一光致抗蚀剂图案的基底区域上从第二光致抗蚀剂组合物形成第二光致抗蚀剂层；f)成像式曝露该第二光致抗蚀剂；和g)将成像式曝露的第二光致抗蚀剂显影以在第一光致抗蚀剂图案之间形成第二光致抗蚀剂图案，因此提供双重光致抗蚀剂图案。
使用双重图案光致抗蚀剂图像成形方法

[发明专利]包含萘酚芳烷基树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物-CN201780022967.1在审
发明人：柄泽凉;桥本圭祐 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2017-04-17 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供不发生与抗蚀剂层的混合、具有高干式蚀刻耐性、具有高耐热性、高温下的质量减少少、显示平坦的高低差基板被覆性的光刻用抗蚀剂下层膜及用于形成该抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段为一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含含有下述式(1)的结构单元的聚合物。式(1)的结构单元为式(2)的结构单元。本发明提供半导体装置的制造方法，其包括下述工序：由抗蚀剂下层膜形成用组合物在半导体基板上形成抗蚀剂下层膜的工序，在该抗蚀剂下层膜上形成硬掩模的工序，进一步在该硬掩模上形成抗蚀剂膜的工序，通过对该抗蚀剂照射光或电子束并进行显影而形成抗蚀剂图案的工序，通过该抗蚀剂图案对该硬掩模进行蚀刻而形成图案的工序，通过该图案化了的硬掩模对该下层膜进行蚀刻而形成图案的工序，以及，通过该图案化了的抗蚀剂下层膜对该半导体基板进行加工的工序。
抗蚀剂下层膜式( 1 )形成用组合物硬掩模蚀刻式( 2 )半导体基板抗蚀剂图案图案化电子束萘酚芳烷基树脂图案半导体装置高耐热性抗蚀剂层抗蚀剂膜质量减少聚合物高低差抗蚀剂下层膜照射光光刻基板显影平坦加工制造

[发明专利]一种干膜抗蚀剂层压体-CN201510050337.8有效
发明人：李志强;李伟杰;严晓慧;周光大;林建华 -专利权人：杭州福斯特应用材料股份有限公司
申请日： 2015-01-30 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种干膜抗蚀剂层压体，包括支撑层、涂覆于撑层上方的第一抗蚀剂层以及涂覆于第一抗蚀剂层上方的第二抗蚀剂层；所述第一抗蚀剂层的酸值为80~400 mgKOH/g，第二抗蚀剂层的酸值比第一抗蚀剂层酸值高本发明采用不同酸值的双层结构的抗蚀剂，在抗蚀剂曝光显影后，形成良好的图形侧边形貌，未曝光的图形胶层能更好地除去。使其在印刷电路板、引线框架等的制造、半导体封装等的制造、金属的精密加工等领域中，作为刻蚀用或镀敷用的干膜抗蚀剂层压体材料，在图形曝光显影后，具有非常好的图形线条侧边形貌。
一种干膜抗蚀剂层压

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