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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]套刻对准标识及套刻方法-CN202211724771.6在审
发明人：罗先刚;王璞;向遥;高平;周全 -专利权人：天府兴隆湖实验室
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请属于集成电路技术领域，具体公开了一种套刻对准标识，至少包括：第一图案，形成于晶圆的第一层中；第二图案，形成于晶圆的第一层上方的第二层中，且包括在第一方向上关于第一图案对称设置的两个第二子图案；第三图案该套刻对准标识可以建立起第一图案、第二图案和第三图案与套刻误差的关联性，还能建立第一图案、第二图案和第三图案组合成的图案与套刻误差的关联性，从多个维度对套刻误差进行检测，提高了套刻的检测精度，保证了多层套刻的堆叠精度
对准标识方法

[发明专利]套刻对准标记、套刻误差测量方法和套刻对准方法-CN202010495435.3有效
发明人：刘成成;韩春营;马卫民;黄守艳 -专利权人：中科晶源微电子技术（北京）有限公司
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本公开实施例提出了一种套刻对准标记，一种套刻误差测量方法和一种套刻对准方法，该套刻对准标记形成于待测的晶片上，且包括第一图案和第二图案，所述第一图案位于所述晶片的第一层中且包括：在第一方向上相对设置且分别沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸的两个第一实体子图案
对准标记误差测量方法方法

[发明专利]套刻机台测试焦点的套刻标记-CN201611265857.1在审
发明人：李玉华;王亚超 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种套刻机台测试焦点的套刻标记，多个第一长标记、多个第二长标记、多个第一短标记与多个第二短标记均采用一半采用矩形标记与光栅状标记，使得光栅状标记与矩形标记的复合标记在焦点最佳时、套刻机台识别的复合标记中心点在中心位置因此，在具有套刻标记的图层没有画得对偏的状况下，焦点对齐条件是套刻偏移量接近0，但是随着焦点往正或者往负，套刻偏移量会显著增大，根据套刻偏移量测结果可以推算出焦点对齐的位置。
焦点机台套刻偏移量套刻标记套刻复合标记矩形标记对齐长标记光栅状测试中心点图层推算

[发明专利]套刻标记及套刻精度检测方法-CN202110346212.5在审
发明人：栾会倩;吴长明;姚振海 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明公开了套刻标记，包括前层标记和当层标记，所述套刻标记被测量设备拍摄后用于计算套刻精度，所述前层标记和所述当层标记在所述测量设备拍摄方向上部分重叠，并且前层标记和当层标记同时处在所述测量设备的测量范围内本发明使CDSEM能一次性量出所有计算OVL所需要的CD，提高套刻精度的检测效率。
标记精度检测方法

[发明专利]套刻曝光机及套刻曝光方法-CN202310139827.X在审
发明人：郑吉龙;曾凡贵;林生财;钟夏华;魏纯;洪彪 -专利权人：矽电半导体设备（深圳）股份有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种套刻曝光机及套刻曝光方法，套刻曝光机包括缓存站、工作站、曝光灯和上料组件，工作站设置有两个，工作站包括承片台、工作站驱动机构、掩膜版安装架，承片台用于承载晶圆，掩膜版安装架用于安装掩膜版该套刻曝光机，两个工作站可以交替进行曝光和交替进行晶圆的上料，套刻曝光机的生产节拍比较紧凑，对晶圆的加工效率较高。
曝光方法

[发明专利]套刻标记和套刻误差测试方法-CN201910904325.5有效
发明人：邹斌;张胜安 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种套刻标记和套刻误差测试方法，该套刻标记包括第一标记图形、第二标记图形和套刻点组。第一套刻标记包括第一标记子图形，第二套刻标记包括第二标记子图形，第一标记图形和第二标记图形交叠位置形成的多个套刻点构成套刻点组。通过对位于第一标记图形和/或第二标记图形外围的第一标记子图形和/或第二标记子图形的长度、位置的设置的规定，可以在无需设置边框的前提下，正确获取套刻标记的边界。因此本发明的套刻标记有效地避免了当第一标记图形和第二标记图形发生位置偏移时，对套刻标记的边界获取错误，从而实现对具有多层光罩的相邻层之间套刻精度的准确测试。
标记误差测试方法

[发明专利]套刻对准方法及套刻模板组件-CN202211002657.2有效
发明人：惠利省;杨国文;白龙刚 -专利权人：度亘激光技术（苏州）有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明提供了一种套刻对准方法及套刻模板组件，涉及半导体激光器制备领域。该方法包括：利用定标掩模版在晶圆上刻蚀得到第二基准孔以及多个第二定位孔；对晶圆表面进行图像采集，通过图像，在多个第二定位孔中选出一个作为第一标定孔，在后续的套刻过程中，便可以选择第二基准孔和第一标定孔作为基准与后续的套刻掩模版进行套刻对位套刻对位时，将套刻掩模版的第三基准孔与晶圆上的第二基准孔对齐，第二标定孔与晶圆上的第一标定孔对齐以获得较佳的对位效果，其中、套刻掩膜板上的第三基准孔的位置与所述第二基准孔在定标掩膜版上的位置相同，套刻掩膜版与定标掩膜版的轮廓一致，第三基准孔与第二标定孔的连线平行于套刻掩膜版的径向边。
对准方法模板组件

[发明专利]套刻标记-CN201010578054.8有效
发明人：黄玮 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2010-12-08 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供了一种套刻标记，在至少两个光刻层次生成，其中，每个光刻层次的套刻标记均是由等间距放置的正方形或在水平方向和垂直方向设有对称长边的正多边形组成的nxn阵列，且同一光刻层次阵列中的所述正方形或所述正多边形尺寸相等
标记

[实用新型]套刻结构-CN201420330019.8有效
发明人：王清蕴;王跃刚 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-06-19 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种套刻结构。包括：套刻对准标记及表征套刻对准标记归属于设定的芯片单元的归属标记；所述套刻对准标记及归属标记设置于切割道上。本实用新型的套刻结构，便捷高效，能够直接指示出套刻对准标记归属于哪个芯片单元，提高了工作效率。
结构

[实用新型]套刻标记-CN202222565858.5有效
发明人：巫奉伦;夏忠平;王嘉鸿 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本申请公开一种套刻标记，包括多个材料层分别设置的对准标记，至少一个材料层上的对准标记呈圆状结构；任意两层材料层上分别设置的对准标记用于测量这两层材料层之间的对准偏差。
标记

[发明专利]一种套刻标记、套刻标记方法及套刻测量方法-CN202010979691.X在审
发明人：杨国栋;刘辉;袁可 -专利权人：合肥晶合集成电路有限公司
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： G03F1/42 文献下载
摘要：本发明公开一种套刻标记、套刻标记方法及套刻测量方法，其至少包括以下步骤：提供第一材料层；在第一材料层上形成第一标记组，第一标记组为中心对称图形；在第一材料层上形成第二材料层在所述第二材料层上形成与所述第一标记组对应的第二标记组本发明解决了现有的三层套刻需要多个掩模版，且对准精度差，占用结构空间的问题。
一种标记方法测量方法

[发明专利]一种套刻标记方法、套刻测量方法及套刻标记-CN202210519015.3在审
发明人：万浩;卢绍祥;李伟;郭芳芳;陆聪;轩攀登 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-01-02 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请实施例公开一种套刻标记方法、套刻测量方法及套刻标记，其中，所述套刻标记方法包括：在第一材料层上形成N个第一标记，所述每个第一标记包括P个第一子标记，所述第一子标记的形状为通过多个块状图形而形成的长条状
一种标记方法测量方法

[发明专利]一种套刻标记方法、套刻测量方法及套刻标记-CN202010003058.7有效
发明人：万浩;卢绍祥;李伟;郭芳芳;陆聪;轩攀登 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-01-02 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本申请实施例公开一种套刻标记方法、套刻测量方法及套刻标记，其中，所述套刻标记方法包括：在第一材料层上形成N个第一标记，所述每个第一标记包括P个第一子标记，所述第一子标记的形状为通过多个块状图形而形成的长条状
一种标记方法测量方法

[发明专利]套刻误差测量方法及套刻标记-CN201810330305.7在审
发明人：郭晓波 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种套刻标记，涉及集成电路制造技术，该套刻标记包括当层套刻标记及相对于所述当层套刻标记的第一前层套刻标记和第二前层套刻标记，且所述第一前层套刻标记与所述第二前层套刻标记组合成为一个包括X方向的套刻标记和Y方向的套刻标记的前层套刻标记；以使晶圆能在一步套刻精度测量过程中同时获得当层与第一前层前层之间的套刻精度及当层与第二前层之间的套刻精度，进而可以通过光刻机的套刻精度补正系统来改善所述的套刻精度。
套刻标记前层当层套刻集成电路制造技术套刻精度测量补正系统套刻误差光刻机晶圆测量

[发明专利]套刻对准标记、套刻误差测量方法-CN202010494717.1在审
发明人：马卫民;韩春营;刘成成;黄守艳 -专利权人：中科晶源微电子技术（北京）有限公司
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：提出一种位于已形成图案的晶片中的套刻对准标记和一种套刻误差测量方法，所述晶片具备位于其第一层中的下层图案和位于其第一层上方的第二层中的上层图案，所述套刻对准标记包括：第一图案，作为所述下层图案的一部分且包括
对准标记误差测量方法

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