“张铭庆”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果49个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]半导体装置-CN202222210150.8有效
发明人：高魁佑;林士尧;陈振平;邱志忠;杨政谕;曾科嘉;黄宪中;林志翰;张铭庆;陈昭成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括多个通道层相互垂直分离。半导体装置还包括一主动栅极结构，主动栅极结构包括一下部和一上部。所述下部环绕所述通道层中的各个通道层。半导体装置还包括一栅极间隔物沿着所述主动栅极结构的所述上部的一侧壁延伸，所述的栅极间隔物具有一底表面。再者，一虚置栅极介电层设置在所述栅极间隔物和所述通道层的一最顶部的通道层之间，所述的虚置栅极介电层接触所述最顶部的通道层的一顶表面、所述栅极间隔物的所述底表面以及所述主动栅极结构的所述侧壁。
半导体装置

[发明专利]用于形成鳍式场效应晶体管的方法以及半导体器件-CN201811178401.0有效
发明人：林志翰;高魁佑;张铭庆;杨建伦;陈昭成;章勋明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开涉及用于形成鳍式场效应晶体管的方法以及半导体器件。一种方法包括：在半导体区域上方形成虚设栅极电极层，在虚设栅极电极层上方形成掩模条带，以及使用掩模条带作为第一刻蚀掩模来执行第一刻蚀工艺以图案化虚设栅极电极层的较上部分。虚设栅极电极层的较上部分的剩余部分形成虚设栅极电极的较上部。该方法还包括在虚设栅极电极的较上部的侧壁上形成保护层，并在虚设栅极电极层的较下部分上执行第二刻蚀工艺以形成虚设栅极电极的较下部，并且保护层和掩模条带被组合用作第二刻蚀掩模。用替换栅极堆叠替换虚设栅极电极和下面的虚设栅极电介质。
用于形成场效应晶体管方法以及半导体器件

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202210706183.3在审
发明人：林士尧;陈振平;游家豪;李筱雯;林志翰;张铭庆;陈昭成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：说明一种半导体装置的制造方法。在一基底的上方形成多个鳍状物。形成多个虚设栅极，其在上述鳍状物的上方被图形化，每个上述虚设栅极在上述图形化的虚设栅极的侧壁上具有一间隔物。使用上述图形化的虚设栅极作为一遮罩，在上述鳍状物形成多个凹部。在上述鳍状物的上方及在上述鳍状物中的上述凹部形成一钝化层。图形化上述钝化层，以仅在上述鳍状物中的上述凹部中的一些留下一保留的钝化结构。仅在上述鳍状物中不具上述保留的钝化结构的上述凹部外延形成多个源极与漏极区。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202210679160.8在审
发明人：林士尧;高魁佑;陈振平;邱志忠;林志翰;张铭庆;陈昭成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括多个半导体层，垂直地彼此分开。半导体装置包括：栅极结构，包括下部以及上部。下部包绕每个半导体层。半导体装置包括：栅极间隔物，沿着栅极结构的上部的侧壁延伸，并且包括第一层以及第二层。第一层接触侧壁的第一部分，并且第二层接触侧壁的第二部分。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202210677620.3在审
发明人：林士尧;高魁佑;吕威良;林志翰;张铭庆;陈昭成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括基板、鳍状物、栅极结构及第一源极/漏极结构。鳍状物形成于基板上并沿着第一方向延伸。栅极结构跨过鳍状物并沿着第二方向延伸，且第二方向垂直于第一方向。第一源极/漏极结构沿着第一方向耦接至鳍状物的第一末端。栅极结构包括沿着第一方向朝第一源极/漏极结构凸起的第一部分。凸起的第一部分的尖端边缘垂直高于栅极结构的下表面。
半导体装置

[发明专利]半导体结构的制造方法-CN202210670355.6在审
发明人：高魁佑;林士尧;陈振平;林志翰;张铭庆;陈昭成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：半导体结构的制造方法包含在制造过程期间选择性使用包覆层，以提供临界尺寸均匀度。包覆层可在主动通道结构中形成凹口之前形成，或是可在以介电材料填充主动通道结构中的凹口之后形成。这些技术可用于半导体结构中，例如集成电路中实现的全绕式栅极晶体管结构。
半导体结构制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202210626197.4在审
发明人：林士尧;王梓仲;林志翰;古淑瑗;张铭庆 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：半导体装置包括基板。半导体装置包括介电鳍状物，其形成于基板上并沿着第一方向延伸。半导体装置包括栅极隔离结构垂直地位于介电鳍状物上。半导体装置包括栅极结构沿着第二方向延伸，且第二方向垂直于第一方向。栅极结构包括隔有栅极隔离结构与介电鳍状物的第一部分与第二部分。栅极结构的第一部分具有第一鸟嘴轮廓，且栅极结构的第二部分具有第二鸟嘴轮廓。第一鸟嘴轮廓与第二鸟嘴轮廓指向彼此。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202210237058.2在审
发明人：林士尧;李筱雯;郭力榕;陈振平;张铭庆 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开提出一种半导体装置。第一区中的半导体装置包括隔有第一距离的第一非平面半导体结构；以及第一隔离区，包含第一层与第二层且一起埋置每一第一非平面半导体结构的下侧部分。第一隔离区的第一层与第二层的至少一者为固化态。第二区中的半导体装置包括隔有第二距离的第二非平面半导体结构；以及第二隔离区，包含第一层与第二层且一起埋置每一第二非平面半导体结构的下侧部分。第二隔离区的第一层与第二层的至少一者为固化态。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210207951.0在审
发明人：陈振平;林志翰;张铭庆;陈昭成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本公开提出一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括基板，基板包含一半导体材料。半导体装置包括晶体管的导电通道，晶体管的导电通道设置在基板上方。导电通道及基板包含类似的半导体材料。半导体装置包括从导电通道的一端延伸出来的源极/漏极区。半导体装置包括介电结构。源极/漏极区电性耦接至导电通道，并通过介电结构与基板电性隔离。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202210306037.1在审
发明人：林士尧;李筱雯;郑宇珊;张铭庆 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括通道结构，其沿着第一横向方向延伸并置于基底的上方。半导体装置包括栅极结构，其沿着正交于第一横向方向的第二横向方向延伸并跨立于通道结构。半导体装置包括外延结构，其耦接于通道结构并相邻于栅极结构而设置。半导体装置包括第一间隔物与第二间隔物，各包括沿着第一横向方向置于栅极结构与外延结构之间的第一部分。半导体装置包括气隙，其介于第一栅极间隔物的第一部分与第二栅极间隔物的第一部分之间。气隙暴露出第一栅极间隔物在第一横向方向延伸的第二部分。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202210021422.1在审
发明人：林士尧;李筱雯;郑宇珊;张铭庆 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：半导体装置，包括多个第一堆叠结构形成于基板的第一区中，其中第一堆叠结构设置以形成在第一电压等级下操作的多个第一晶体管。半导体装置包括多个第二堆叠结构形成于基板的第二区中，其中第二堆叠设置以形成在第二电压等级下操作的多个第二晶体管，且第二电压等级大于第一电压等级。半导体装置包括第一隔离结构位于相邻的第一堆叠结构之间并具有第一高度。半导体装置包括第二隔离结构位于相邻的第二堆叠结构之间并具有第二高度。第一高度大于第二高度。
半导体装置

[发明专利]半导体结构切割工艺和由此形成的结构-CN201810521136.5有效
发明人：陈嘉仁;张铭庆;陈宜群;林育贤;殷立炜;潘姿文;张正忠;徐绍华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：描述了切割鳍的方法和由此形成的结构。在实施例中，结构包括位于衬底上的第一鳍和第二鳍以及设置在第一鳍和第二鳍之间的鳍切割填充结构。第一鳍和第二鳍纵向对准。鳍切割填充结构包括位于第一鳍的第一侧壁上的衬垫以及位于衬垫的侧壁上和位于第一鳍的第二侧壁上的绝缘填充材料。衬垫还位于第一鳍的第一侧壁和第一鳍的第二侧壁之间的第一鳍的表面上。本发明实施例涉及半导体结构切割工艺和由此形成的结构。
半导体结构切割工艺由此形成

[发明专利]鳍式场效应晶体管器件和方法-CN201711130153.8有效
发明人： 张铭庆;杨宝如;林毓超 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：方法包括去除第一鳍上方的伪栅极结构的第一部分，同时保留第二鳍上方的伪栅极结构的第二部分，其中，去除第一部分形成暴露第一鳍的第一凹槽；在第一凹槽中和第一鳍上方形成第一栅极介电材料；以及去除第二鳍上方的伪栅极结构的第二部分，其中，去除第二部分形成暴露第二鳍的第二凹槽。该方法还包括在第二凹槽中和第二鳍上方形成第二栅极介电材料，第二栅极介电材料接触第一栅极介电材料；以及用导电材料填充第一凹槽和第二凹槽。本发明的实施例还涉及鳍式场效应晶体管器件和方法。
场效应晶体管器件方法

[发明专利]金属栅极结构及其制造方法-CN201811355119.5有效
发明人：杨宜伟;洪志昌;古淑瑗;陈嘉仁;张铭庆 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体器件及其形成方法包括每个均从衬底延伸的第一鳍和第二鳍。第一栅极段设置在第一鳍上方，并且第二栅极段设置在第二鳍上方。层间介电(ILD)层邻近第一栅极段和第二栅极段。切割区域(例如，第一栅极结构和第二栅极结构之间的开口或间隙)在第一和第二栅极段之间延伸。切割区域具有第一部分和第二部分，第一部分具有第一宽度，第二部分具有第二宽度，第二宽度大于第一宽度。第二部分插入第一和第二栅极段，并且第一部分限定在ILD层内。本发明实施例涉及金属栅极结构及其制造方法。
金属栅极结构及其制造方法

[发明专利]半导体结构以及用于半导体处理的方法-CN201811168951.4有效
发明人：林志翰;高魁佑;林士尧;张铭庆;陈昭成;章勋明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-08 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本公开涉及半导体结构以及用于半导体处理的方法。描述了涉及形成例如用于鳍式场效应晶体管(FinFET)的栅极结构的示例实施例。在实施例中，一种结构包括分别在衬底上包括第一和第二FinFET的第一和第二器件区域。第一FinFET的相邻栅极结构之间的距离小于第二FinFET的相邻栅极结构之间的距离。第一FinFET中的至少一个的栅极结构在第一鳍片的顶部表面的水平面和下方分别具有第一和第二宽度。第一宽度大于第二宽度。第二FinFET中的至少一个的第二栅极结构在第二鳍片的顶部表面的水平面和下方分别具有第三和第四宽度。第一宽度和第二宽度之间的差异大于第三宽度和第四宽度之间的差异。
半导体结构以及用于处理方法

1
2
3
4
下一页»
尾页
共 49 条