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[实用新型]降低负阻的RCIGBT-CN202122334665.4有效
发明人：吴迪;王毅 -专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型中在实现背面N+和P+穿插结构后，利用溅射工艺，溅射一层金属Pt，利用Pt与N会形成势垒，会存在正向导通约0.4V的压降，而Pt与P+此时由于功函数的原因，会形成良好的欧姆接触，不存在导通压降的问题，P+区仍然是原PN结的压降0.7V，此时在正向导通的两个阶段的压降差降低为0.3V,降低了两者的压降差，可有效降低snapback（负阻）问题。
降低 rcigbt

[发明专利]一种集成肖特基接触的IGBT器件结构及其制备方法-CN202310342649.0在审
发明人：徐涛 -专利权人：瑶芯微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明的IGBT器件结构中，通过顶层金属层与具有不同掺杂浓度的P体区之间的接触，从而形成肖特基接触即肖特基二极管，由于肖特基二极管具有较高的开启压降，其可以提高空穴的费米势能以形成空穴势垒，从而增强了IGBT器件在正向导通时N型漂移区的电导调制，进而降低了IGBT器件的正向导通压降，最终达到改善IGBT器件正向导通压降和关断损耗的折中关系，提升了IGBT器件的性能，此外，相对于现有技术中利用浮空P柱来增强载流子的工艺
一种集成肖特基接触 igbt 器件结构及其制备方法

[发明专利]测试分立器件三极管芯片正向与饱和压降的方法-CN201210147751.7有效
发明人：王新潮;冯东明;叶新民;乐海波;孙岩;陈晓伦 -专利权人：江阴新顺微电子有限公司
申请日： 2012-05-14 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种测试分立器件三极管芯片正向与饱和压降的方法，其特征在于在三极管芯片（1）下面的金属承片台盘（4）上连接测试仪的集电极输入电流线（41），在三极管芯片（1）外围的划片槽（5）扎一根集电极反馈电压探针（51），所述集电极反馈电压探针（51）连接测试仪的集电极反馈电压线（52），打开测试仪对分立器件三极管芯片正向与饱和压降进行测试。本发明三极管芯片背面集电极的输入电流线与反馈电压线分开，从而使得分立器件三极管芯片可以实现全方位开尔文测试，保证分立器件三极管芯片的正向与饱和压降的精确测试的方法。
测试分立器件三极管芯片正向饱和方法

[发明专利]逆变电路-CN201110182169.X有效
发明人：陆元成;洪伟弼 -专利权人：纽福克斯光电科技（上海）有限公司
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H02M1/36 文献下载
摘要：本发明公开一种逆变电路，其包括直流/交流逆变器、采样电路、电压电流转换电路、隔离电路以及电子启动开关，主要通过利用采样电路中第一二极管与第二二极管这两个反向并联二极管的正向压降，使得无负载时第一二极管的正向压降阻止电压电流转换电路的第一三极管的导通，有负载时第二二极管上的正向压降导致第一三极管的导通，而第一二极管与第二二极管反向并联后串联在第二交流输出端对逆变电路的交流输出几乎无影响，进而实现了本发明逆变电路无负载时的微功耗，而一旦有负载则可即刻启动
电路

[发明专利]一种开关电源的控制电路及其控制方法-CN202110865505.4有效
发明人：李晖;王斯然 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明的控制电路检测开关电源工作在非连续电流模式时的辅助绕组反馈电压由高转低的拐点的电压，并将开关电源工作在非连续电流模式下检测到的辅助绕组反馈电压减去该拐点电压，从而得到开关电源副边整流器的正向导通压降，并在开关电源工作在连续电流模式时，利用得到的副边整流器的正向导通压降，消除连续电流模式辅助绕组采样保持电压中的副边整流器的正向导通压降的误差，以得到精确的输出电压反馈。
一种开关电源控制电路及其控制方法

[实用新型]一种大电流低正向压降碳化硅肖特基二极管芯片-CN201821269958.0有效
发明人：宋迎新;杨晓亮;单维刚;沈中堂;李东华 -专利权人：济南晶恒电子有限责任公司
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本申请提供了一种大电流低正向压降碳化硅肖特基二极管芯片，包括背面层状金属电极、正面层状金属电极、欧姆接触层、衬底、外延层一、外延层二、P型保护环、N型离子注入层、肖特基金属Pt层、环状钝化层以及环状聚酰亚胺膜；本申请通过采用PN结和肖特基结并联设计、双层外延生长、离子注入氮离子掺杂、使用肖特基金属Pt在大电流下产生大注入效应，降低了外延层电阻率，实现了大电流下低正向压降肖特基二极管的制作，从而克服了现有技术中选择低势垒金属和增大版图面积在降低器件正向压降的同时增大器件反向漏电流
正向压降大电流肖特基二极管芯片层状金属降低器件电极碳化硅外延层肖特基金属环状聚酰亚胺双层外延生长外延层电阻率肖特基二极管反向漏电流欧姆接触层注入氮离子并联设计肖特基结制造成本成品率低势垒钝化层注入层衬底申请离子背面掺杂制作

[发明专利]一种多积累层的金属氧化物半导体二极管-CN201610705722.6在审
发明人：任敏;林育赐;谢驰;苏志恒;李泽宏;张金平;高巍;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-08-22 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：本发明通过使器件正向导通时在漂移区形成多个多子积累层，从而有效降低了器件的正向导通压降；反向阻断时通过在器件漂移区引入横向电场，提高了器件的反向阻断电压，从而实现了同时具有高耐压和低导通压降的二极管。
一种积累金属氧化物半导体二极管

[发明专利]恒功率的线性恒流LED驱动控制方法及电路结构-CN201611188742.7有效
发明人：弋才敏;李泽宏 -专利权人：贵州恒芯微电子科技有限公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H05B33/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种恒功率的线性恒流LED驱动控制方法，该驱动控制方法是当全波整流电压达到LED灯串的正向压降与允许的最大灯串阴极电压VDH之和时，由电容给负载供电；当电容电压降低至灯串的正向压降与允许的最小灯串阴极电压
功率线性 led 驱动控制方法电路结构

[发明专利]一种双PN结线形温度传感器-CN201010157719.8无效
发明人：张兆华;陈涛;刘理天;任天令;林惠旺 -专利权人：清华大学
申请日： 2010-04-27 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： G01K7/01 文献下载
摘要：一种双PN结线形温度传感器，包括温度传感器，温度传感器的衬底上配置有第一PN结和第二PN结，第一PN结和第二PN结线路连接后再和温度传感器的电压输出端相连，PN结有电流通过时，其正向电压降和通过PN结的电流密度以及环境温度有关，当通过同样电流时，第一PN结和第二PN结的电流密度与面积成反比，第一PN结和第二PN结的正向压降之差只与绝对温度成正比，温度传感器的输出电压为第一PN结和第二PN结的正向电压降之差，第一PN结和第二PN结正向压降之差与绝对温度成线性关系，即传感器的输出电压与绝对温度成线形关系，本发明具有一致性和重复性良好、线性度高的优点。
一种 pn 线形温度传感器

[发明专利]一种高压柔直换流阀IGBT模块温度场分布的仿真计算方法与系统-CN202210429435.2在审
发明人：刘黎;俞恩科;王勇;詹志雄;许鑫;甘纯;王有元;郑荣亮;钱伟荣 -专利权人：国网浙江省电力有限公司舟山供电公司;重庆大学
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：一种高压柔直换流阀IGBT模块温度场分布的仿真计算方法，包括：建立换流阀电路仿真模型，并设置仿真模型的运行参数；基于电路仿真模型，获得IGBT芯片的集电极电流与集射极电压，FRD芯片的正向压降和正向电流；根据IGBT芯片的集电极电流与集射极电压，以及FRD芯片的正向压降和正向电流，分别计算IGBT芯片以及FRD芯片的总损耗；代入IGBT芯片以及FRD芯片的总损耗，建立IGBT模块的有限元仿真模型；基于有限元仿真模型
一种高压换流 igbt 模块温度场分布仿真计算方法系统

[发明专利]一种具有折叠槽栅的薄SOI LIGBT-CN201910170536.0在审
发明人：罗小蓉;樊雕;李聪;苏伟;张科;杨洋;魏杰;邓高强;欧阳东法;王晨霞 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：正向耐压时，非等深介质槽调制横向电场，使均匀掺杂的漂移区承受高压；正向导通时，介质槽阻碍空穴流入发射极，提升发射极附近漂移区的空穴浓度，实现电子注入增强效应降低器件导通压降；漂移区均匀掺杂使靠近集电极一侧漂移区浓度远低于传统薄SOI层线性掺杂器件的集电极一侧漂移区浓度，使集电极注入效率提升；器件电导调制效应增强，正向导通压降减小。本发明的有益效果为，相对于传统薄SOI LIGBT结构，本发明具有更低的正向导通压降以及更高的饱和电流能力，V_on‑E_off折中更佳。
漂移区折叠槽集电极介质槽空穴正向导通压降饱和电流均匀掺杂发射极等深功率半导体技术电导调制效应导通压降电子注入横向电场降低器件线性掺杂正向导通注入效率沟道减小耐压正向调制阻碍

[发明专利]一种高精度血氧探头温度检测与波长补偿方法-CN201010104542.5有效
发明人：王干兵;徐春晖 -专利权人：深圳市索莱瑞医疗技术有限公司
申请日： 2010-01-28 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： A61B5/1455 文献下载
摘要：其温度检测方法为：a、给所述血氧探头中设置的发光二极管通过一恒定电流；b、预先在不同温度下，分别测试所述血氧探头中设置的发光二极管正向压降的变化，并建立起电流、温度与所述发光二极管正向压降之间的一一对应关系；c、测试所述发光二极管的正向压降，并通过上述b步骤建立起的对应关系，获得温度数据，实现对温度的检测。其波长补偿方法为：还包括一d步骤即：利用检测所述高精度血氧探头发光二极管的正向电压的变化量来计算波长的变化量，从而实现对所述高精度血氧探头波长的补偿。
一种高精度探头温度检测波长补偿方法

[发明专利]低正向压降快恢复时间的功率二极管及制造方法-CN201210290623.8有效
发明人：罗清威;房宝青;左燕丽 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-08-15 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：发明公开了一种具有低正向压降快恢复时间的功率二极管，是在传统MOSFET的体区与外延之间内置肖特基二极管，将MOSFET正面的源极和栅极用表面金属直接短接形成器件的阳极，背面是器件的阴极。器件开启时，MOS器件导通，此时器件自身的PN结二极管和集成的肖特基二极管都未开启，器件的正向电流将沿着MOS的沟道流到阴极；器件关断时，MOS结构表面的导电沟道消失，N型外延内的载流子将通过肖特基结形成的耗尽层抽走，由于肖特基结相对于PN结有更快的恢复时间，此器件N型外延内的载流子会比传统PN结器件消失得更快，即可形成低正向导通压降和快关断时间的半导体器件。本发明还公开了所述具有低正向压降快恢复时间的功率二极管的制造方法。
正向压降快恢复时间功率二极管制造方法

[发明专利]一种测量功率型LED热阻的方法-CN201310551601.7无效
发明人：李文礼;周泰武;彭应光;万文华 -专利权人：桂林机床电器有限公司
申请日： 2013-11-08 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：所述方法包括：将待测LED放置于恒温箱内，调节恒温箱的温度为30℃，加热保持30分钟；待加热完毕后，调整恒流源使待测LED流过的电流为5mA,等待测LED正向压降稳定时，记录相应的正向压降；将恒温箱温度分别设置为为电压随温度变化的系数，T为测试条件稳定时LED的结温温度，T0为指定环境的待测温度，VFT、VF0分别为环境温度T、T0时LED两端的电压；将恒温箱控制在30℃，待测LED两端施加测试电流IM(5mA)，记下此时LED正向电压VF1，加热电流IH设置为200mA，代替IM加到LED两端，待LED器件稳态时，测量正向压降VH，并得到耗散功率Ps。
一种测量功率 led 方法

[发明专利]一种横向沟槽型绝缘栅双极晶体管及其制备方法-CN201910807102.7有效
发明人：张金平;赵阳;王康;刘竞秀;李泽宏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明在LIGBT器件结构的基础上，加入了载流子存储层和纵向槽栅结构，能增强电导调制效应，减小器件的导通压降；水平方向与纵向方向的沟道能提高沟道密度，降低导通压降；用接发射极的分离栅包裹栅极的侧面，从而减小密勒电容，降低关断时间，减小关断损耗，改善正向导通压降与关断损耗的折中；同时能够减少器件的栅电荷，降低了驱动损耗；优化了电流下降速率(di/dt)与导通损耗(Eon)的折衷特性；槽栅左侧的浮空区能够在正向阻断时耐压，增加阻断电压，同时能允许更高的载流子存储层掺杂浓度，降低导通压降；槽栅底部的厚氧化层能够增加阻断电压。
一种横向沟槽绝缘双极晶体管及其制备方法