“发射极”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果826699个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]发射极-CN01823819.X有效
发明人：奥古斯特·F·米施库尔尼格 -专利权人：吉康姆控股公司
申请日： 2001-10-23 - 公布日： 2004-12-29 - 主分类号： B03C3/41 文献下载
摘要：一种用于静电沉淀器的发射极，包括一个具有两个对置设置的径向延伸臂的套环，每一个径向延伸臂的自由端部终止于多个齿。每一个齿是尖的并且相对于对置设置的径向延伸臂所在的平面弯曲。发射极为一单个的金属压制件。多个发射极沿着轴的长度以等距的方式固定在一个细长轴上，从而形成一个用于静电沉淀器的发射极组。发射极通过定位焊固定在轴上。
发射极

[发明专利]高频晶体管-CN201510208919.4有效
发明人：潘光燃;文燕;高振杰;马万里;石金成 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-04-28 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明提出了一种高频晶体管，包括：多个并行的发射区窗口；多个并行的发射极金属，多个所述发射极金属中的每个所述发射极金属均覆盖在多个所述发射区窗口中的每个所述发射区窗口的上方，其中，多个所述发射极金属中的第一个发射极金属和最后一个发射极金属独立于其他发射极金属，且所述其他发射极金属均并行相连，其中，所述其他发射极金属为多个所述发射极金属中除所述第一个发射极金属和所述最后一个发射极金属之外的发射极金属。通过本发明的技术方案，可以确保线宽相同的相互平行的高频晶体管的发射区窗口在复制到晶圆后，多发射极高频晶体管内部不同位置的发射极可以产生一致的高频特性，以避免使多发射极高频晶体管产生较大噪音。
高频晶体管

[发明专利]半导体装置-CN202010376529.9在审
发明人：梅本康成;小屋茂树;大部功;井手野馨 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：在基板上依次配置有集电极层、基极层、发射极层、以及发射极台面层。还配置有基极电极以及发射极电极。在俯视时，发射极台面层具有在第一方向上长的形状，基极电极包含与发射极台面层在第一方向上隔着间隔配置的基极电极焊盘部。在发射极电极以及基极电极上，分别配置有发射极布线以及基极布线。发射极布线通过发射极接触孔与发射极电极连接。在第一方向上，发射极台面层的基极布线侧的边缘与发射极接触孔的基极布线侧的边缘的间隔比发射极台面层与基极布线的间隔窄。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201910514927.X在审
发明人：梅本康成;大部功;井手野馨;小屋茂树 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：配置于基板之上的集电极层、基极层、以及发射极层构成双极晶体管。发射极电极与发射极层进行欧姆接触。发射极层具有在俯视观察时在一个方向上较长的形状。发射极层跟发射极电极进行欧姆接触的欧姆接触界面与发射极层间的在发射极层的长边方向上的尺寸差大于发射极层与欧姆接触界面间的在发射极层的宽度方向上的尺寸差。
发射极层欧姆接触发射极电极尺寸差半导体装置双极晶体管俯视观察过渡电压集电极层基极层长边基板配置

[发明专利]半导体装置-CN200910166647.0有效
发明人：高桥和也 -专利权人：三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
申请日： 2009-08-24 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：在具有两层电极结构的分立式双极型晶体管中，将第一层发射极电极与发射极区域由形成于它们之间的第一绝缘膜的发射极接触孔连接。将第二层发射极电极与第一层发射极电极由形成于它们之间的第二绝缘膜的发射极通孔连接。故在第二层发射极电极下方，发射极接触孔和发射极通孔重叠，产生两个绝缘膜厚度的高度差。该高度差也影响第二层发射极电极表面，在其上使用焊料粘合金属片时，由于凹凸大产生不良粘合。本发明的半导体装置使设于第一层发射极电极上下的发射极接触孔和发射极通孔不重叠，对于一个发射极电极使发射极接触孔和发射极通孔相互分开地配置多个。故在第二层发射极电极表面，即便高度差为最大，也仅受设于膜厚较厚的绝缘膜的发射极通孔高度差的影响，第二层电极表面的平坦性提高。可以避免金属片不良粘合。
半导体装置

[发明专利]沟槽型发射极载流子注入控制快恢复二极管-CN202210778209.5在审
发明人：李磊;许生根;杨晓鸾;孔凡标;李哲锋 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明涉及一种沟槽型发射极载流子注入控制快恢复二极管。其包括N型衬底以及阴极电极；在所述N型衬底的正面制备沟槽型发射极，沟槽型发射极包括N型埋层、位于所述N型埋层上的P型层、位于所述P型层上的发射极金属层以及若干发射极沟槽，其中，对任一发射极沟槽，所述发射极沟槽贯穿P型层以及N型埋层，发射极沟槽的槽底位于N型埋层的下方，所述发射极沟槽的内壁覆盖沟槽绝缘氧化层，在覆盖有沟槽绝缘氧化层的发射极沟槽内填充有发射极导电多晶硅；所述发射极金属层与P型层以及发射极沟槽内的发射极导电多晶硅欧姆接触
沟槽发射极载流子注入控制恢复二极管

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其制作方法-CN201910684437.4有效
发明人：刘利书;冯宇翔 -专利权人：广东美的白色家电技术创新中心有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明实施例公开一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法，所述绝缘栅双极型晶体管包括：体区，位于漂移区与发射极区之间，与所述漂移区、所述发射极区、发射极金属及栅极区接触；所述发射极金属，位于所述体区上方，与所述发射极区接触；所述发射极区，位于所述发射极金属与所述栅极区之间；其中，所述发射极区底部和所述体区之间的接触界面的宽度，小于所述发射极区顶部的宽度；所述栅极区，位于所述漂移区上方，与所述发射极区接触。
绝缘栅双极型晶体管及其制作方法

[发明专利]一种新型绝缘栅双极性晶体管-CN202110873522.2在审
发明人：何艳静;詹欣斌;袁嵩;弓小武 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：；N‑漂移区，位于N+缓冲区之上；表面结构，位于N‑漂移区之上，表面结构包括：两个沟槽栅极，沟槽栅极延伸至N‑漂移区；P基区以及浮空P基区，P基区位于沟槽栅极的内侧，浮空P基区位于沟槽栅极的外侧；沟槽发射极，位于P基区中；第一N+发射极以及P+发射极，位于沟槽栅极内侧；第一N+发射极和P+发射极依次交替设置在垂直于平面的z方向上；第二N+发射极，位于沟槽发射极的两侧；顶部发射极，覆盖P基区、浮空P基区、沟槽栅极、第一N+发射极和P+发射极、沟槽发射极以及第二N+发射极，且顶部发射极连接沟槽发射极。
一种新型绝缘极性晶体管

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610601900.0有效
发明人：松浦仁 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：通过在半导体衬底的主表面上方与沟槽栅极电极一体地形成发射极耦合部以在发射极耦合部的侧壁上方形成分隔物，致使形成在发射极耦合部上方的层间绝缘膜的表面和形成在层间绝缘膜上方的发射极电极的表面特别地在发射极耦合部的端部具有平缓形状由此，当发射极布线耦合到发射极电极/发射极焊盘时，应力被分散，而不是集中在发射极耦合部的锐角部，因此可抑制裂缝的出现。另外，通过形成分隔物，发射极电极的表面中中将形成的凹陷和突起可减少，由此，发射极电极和发射极布线之间的粘附性可提高。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]太阳电池及太阳电池的制备方法-CN202310341102.9在审
发明人：张倬涵;陈达明;胡匀匀;柳伟;季雯娴;杨睿;徐冠超;张学玲;杨广涛;陈奕峰 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本公开提供了一种太阳电池，包括：衬底、第一发射极、第二发射极、绝缘间隔结构、第一电极和第二电极；衬底具有相对设置的正面和背面；第一发射极和第二发射极设置于衬底的背面，第一电极设置于第一发射极远离衬底的一侧且电连接于第一发射极，第二电极设置于第二发射极远离衬底的一侧且电连接于第二发射极；绝缘间隔结构设置于第一发射极与第二发射极之间，且第一发射极与第二发射极通过绝缘间隔结构相间隔。绝缘间隔结构将第一发射极与第二发射极进行有效地间隔，避免载流子在第一发射极与第二发射极的界面上的复合，因而能够有效降低太阳电池的反向漏电，提高太阳电池的效率。
太阳电池制备方法

[发明专利]半导体器件、半导体装置和它们的制造方法-CN98106033.1无效
发明人：冢本达彦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 1998-03-05 - 公布日： 2003-11-26 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：解决方案是在半导体器件内部形成由p+型硅衬底10和p+型发射极埋入区域14和p+型发射极引出区域20构成的发射极导通部分。而且，把该半导体器件的p+型硅衬底10管芯键合到发射极引线框架ERF上，用该发射极导通部分，把发射极电极E和发射极引线框架ERF电连接起来。这样，由于可以废止把发射极电极E和发射极引线框架ERF连接起来的发射极键合细丝，可以消除由该发射极键合细丝所产生的电感，所以可以改善半导体装置的高频特性。
半导体器件半导体装置它们制造方法

[发明专利]改善双极性晶体管的发射极表面硅化物层的方法-CN201010172759.X无效
发明人：陈乐乐;孙洪福;曼纽拉·奈耶尔 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-05-12 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提供一种改善双极性晶体管的发射极表面硅化物层的方法。该方法是在形成发射极层之后对该发射极层进行反刻蚀，利用反刻蚀改善所述发射极层的表面形貌，从而改善淀积于所述发射极层表面上的硅化物层，使发射极金属互连与发射极良好接触，提高双极管的工作性能。
改善极性晶体管发射极表面硅化物层方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201911347505.4在审
发明人：长田尚 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：具体地，该半导体器件包括：条状沟槽栅极、条状沟槽发射极、N型发射极层、P型基极层和P型基极接触层，该条状沟槽发射极布置为面向沟槽栅极，该N型发射极层和该P型基极层被该沟槽栅极和该沟槽发射极包围，并且P型基极接触层布置在形成在半导体衬底中的沟槽发射极的一侧上P型基极接触层、发射极层和沟槽发射极与发射极电极共同地连接，并且沟槽发射极在半导体衬底的厚度方向上形成得比沟槽栅极更深。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种带有自动清洁机构的等离子发生器及空气净化器-CN202111232188.9在审
发明人：高岩;金涛;席光 -专利权人：北京智米科技有限公司
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： F24F8/108 文献下载
摘要：本申请涉及离子发生器技术领域，提供一种带有自动清洁机构的等离子发生器及空气净化器，等离子发生器包括底座和设置在底座上的发射极支柱；以及环绕发射极支柱套设，且与发射极支柱进行相对旋转的护罩；发射极支柱上设置有至少一层发射极，若所述发射极为多层，则多层发射极沿发射极支柱的延伸方向排列；护罩上设置有至少一层清洁装置，以在发射极支柱与护罩相对旋转时，对发射极进行清洁。在实际应用过程中，发射极支柱相对于护罩旋转，以对发射极进行全方位的清洁，相比于传统自动清洁装置的布局方式，本方案采用发射极支柱相对于护罩旋转的方式，在避免增加其他清洁结构的情况下，以最小的结构复杂度以及设备面积占用率
一种带有自动清洁机构等离子发生器空气净化器

[实用新型]一种带有自动清洁机构的等离子发生器及空气净化器-CN202122549198.7有效
发明人：高岩;金涛;席光 -专利权人：北京智米科技有限公司
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： F24F8/108 文献下载
摘要：本申请涉及离子发生器技术领域，提供一种带有自动清洁机构的等离子发生器及空气净化器，等离子发生器包括底座和设置在底座上的发射极支柱；以及环绕发射极支柱套设，且与发射极支柱进行相对旋转的护罩；发射极支柱上设置有至少一层发射极，若所述发射极为多层，则多层发射极沿发射极支柱的延伸方向排列；护罩上设置有至少一层清洁装置，以在发射极支柱与护罩相对旋转时，对发射极进行清洁。在实际应用过程中，发射极支柱相对于护罩旋转，以对发射极进行全方位的清洁，相比于传统自动清洁装置的布局方式，本方案采用发射极支柱相对于护罩旋转的方式，在避免增加其他清洁结构的情况下，以最小的结构复杂度以及设备面积占用率
一种带有自动清洁机构等离子发生器空气净化器

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条