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[发明专利]新型的LED车灯配光板的热测试方法-CN200510030866.8有效
发明人：朱德忠;顾毓沁;于新刚;梁新刚;朱明华;叶世威 -专利权人：上海小糸车灯有限公司
申请日： 2005-10-28 - 公布日： 2007-05-02 - 主分类号： G01N27/14 文献下载
摘要：其特征在于由下列步骤组成：(1)首先对LED车灯配光板上所用的LED进行正向压降和结温的测量，利用一个小电流作为激励电流，测得不同环境温度下LED的正向压降，获得正向压降和结温的关系。(2)确定LED在工作电流条件下的正向压降与结温的关系，在恒温炉中设定环境温度，通上工作电流，测定LED的正向压降，然后将工作电流迅速切换到小电流，测得LED在小电流下的正向压降，根据小电流下测得的正向压降值按照(1)的正向压降和结温的关系获得结温，据此建立起LED器件在工作电流下的正向压降与此结温的关系。本发明的优点是能准确方便地获得在工作电流下的LED器件正向压降与结温的关系，使在车灯的设计过程中了解LED配光板的热性能。
新型 led 车灯光板测试方法

[实用新型]LED模组灯条的正向压降差检测电路和装置-CN201420436787.1有效
发明人：郑强新 -专利权人： TCL海外电子（惠州）有限公司
申请日： 2014-08-04 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： G01R19/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED模组灯条的正向压降差检测电路，包括采集模块、比较放大模块、继电器和报警模块，所述采集模块连接于LED灯串和背光驱动IC恒流源电路之间，所述继电器连接于所述比较放大模块与所述报警模块之间，其中，所述采集模块，用于采集LED模组灯条的正向压降差；所述比较放大模块，用于在比较所述采集模块采集出来的LED模组灯条的正向压降差大于设定电压后放大所述正向压降差而驱动所述继电器导通，从而控制所述报警模块进行报警本实用新型还公开了一种LED模组灯条正向压降差检测装置。本实用新型所能实现的有益效果为在模组生产过程中通过检测及早识别灯条V_F压降偏差大的问题，避免产品市场风险。
led 模组正向压降差检测电路装置

[发明专利]测试方法及特斯拉阀门-CN202210136499.3在审
发明人：张晓林;张晓屿;尹航;冉方圆;连红奎;孙萌;田巍;王娜;李亚丽 -专利权人：北京微焓科技有限公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： G01M13/003 文献下载
摘要：所述测试方法包括：准备步骤：设置多个尺寸不同的特斯拉阀门；测试步骤：分别向所述多个特斯拉阀门的正向入口通入流体，分别向所述多个特斯拉阀门的反向入口通入流体，并分别计算所述多个特斯拉阀门的正向压降和反向压降，分别记录所述多个特斯拉阀门的尺寸以及所述特斯拉阀门所对应的正向压降以及反向压降；比较步骤：比较所述多个特斯拉阀门的正向压降和反向压降。
测试方法特斯拉阀门

[发明专利]低压降高反压快恢复二极管工艺控制方法-CN201310697435.1有效
发明人：何永成;黄小锋 -专利权人：常州星海电子有限公司
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明创造涉及二极管的制造工艺，特别指低压降高反压快恢复二极管工艺控制方法。所述的方法包括：1.在反向击穿电压、反向恢复时间、正向压降三个电性参数中，调整反向击穿电压至1200V以上，并保证正向压降不超过960mV，2.反向击穿电压与正向压降达到要求后，调整反向恢复时间，观察正向压降的变化，挑选正向压降符合要求的二极管，测试对应的反向恢复时间，并作为电性参数调整的目标值，3.电性参数调整过程，根据GPP芯片上反向恢复时间的分布状况，对控制参数进行调整，满足三个电性参数的GPP芯粒比例达到最大值利用该方法能制得正向压降1150mV以下，反向恢复时间125ns以下，反向击穿电压1200V以上的快恢复二极管，提高制造效率。
低压降高反压快恢复二极管工艺控制方法

[发明专利]欠压和过压保护电路、开关电源-CN202110953968.6在审
发明人：王旷;鲁德元;芮华政 -专利权人：深圳芯朋电子有限公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H02H7/12 文献下载
摘要：一种欠压和过压保护电路、开关电源，欠压和过压保护电路包括：电源管理芯片、正向压降单元以及第三采样电阻，其中：电源管理芯片，其欠压和过压保护触发端子与第一采样电阻的第二端、第二采样电阻的第一端耦接，适于获取采样电压，并根据采样电压确定是否触发欠压和过压保护；正向压降单元，其第一端与第二采样电阻的第一端耦接，其第二端与第三采样电阻的第一端耦接；正向压降单元存在正向压降，且正向压降大于用于触发欠压保护的欠压保护触发电压，小于用于触发过压保护的过压保护触发电压；第三采样电阻的第二端与第二采样电阻的第二端耦接。上述方案，能够实现市电过欠压保护比例的灵活调整，避免因市电异常欠压或异常过压对开关电源的影响。
保护电路开关电源

[发明专利]一种二极管正向压降的测试方法-CN202011245124.8在审
发明人：石永维;杨微;常敏丰 -专利权人：吉林瑞能半导体有限公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种二极管正向压降的测试方法，通过三步测量不同设计安培下的正向压降，并经过公式计算，显著地减轻了探针台上电阻对测量结果的影响，并且不同的设计安培下正向压降的计算，辅以修正参数，能够得到有效的准确的数值作为二极管通过和失效的依据
一种二极管正向测试方法

[发明专利]一种单片机端口测试方法-CN202211195436.1在审
发明人：杜义田;王树仁;李相钊 -专利权人：深圳晶哲科技有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G05B19/042 文献下载
摘要：本发明公开一种单片机端口测试方法，包括：得到二极管D1的正向导通压降；得到二极管D2的正向导通压降；将二极管D1和二极管D2的正向导通压降的测量结果与预设数据范围相比较；若测量结果在预设数据范围内，则输出正常结果本发明实现了快速测量单片机的各个端口对电源和地的二极管正向导通压降，提升了单片机端口测试效率。
一种单片机端口测试方法

[实用新型]一种温度补偿电流源电路-CN202122561364.5有效
发明人：梁杰;刘松;李文华;王朝 -专利权人：陕西中科启航科技有限公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种温度补偿电流源电路，包括工作电源、正向压降正电压取样电路、正向压降负电压取样电路、二极管、电压跟随器和温度补偿电阻，正向压降正电压取样电路和正向压降负电压取样电路输出端均与电压跟随器输入端连接
一种温度补偿电流电路

[发明专利]降低重掺砷器件端正向压降VF异常的方法-CN202310771018.0在审
发明人：刘彦鹏;芮阳;王忠保;伊冉;徐慶晧;曹启刚;王黎光;张昆 -专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供降低重掺砷器件端正向压降VF异常的方法，涉及重掺器件正向压降控制方法技术领域，在预定氩气流量下，随着晶棒拉制长度的增加，坩埚转速与炉压在等径拉制不同长度时均能够达到预定的比值，以降低晶棒的氧含量，进而氧与空位结合的概率降低，不易形成体微缺陷，且使得氧含量径向分布均匀，进而降低器件端正向压降VF异常的概率。
降低重掺砷器件端正 vf 异常方法

[发明专利]一种降低双极正向压降的SiC MPS二极管及其制作方法-CN202211186647.9在审
发明人：刘青;曹琳;郑丽君 -专利权人：西安龙飞电气技术有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低正向压降的SiC JBS二极管及其制作方法，所述的降低双极正向压降的SiC MPS二极管，包括n+‑SiC衬底，衬底上依次为n‑SiC漂移区，n‑SiC漂移区上表面具有若干沟槽，在沟槽里填充若干本发明在保证高击穿电压的同时，显著改善了SiC JBS的双极正向压降，增强了双极导通模式下的载流子注入效率，从而降低双极正向压降，提升器件的抗浪涌能力；并通过减薄二极管的衬底，降低器件的衬底体电阻，因此降低器件的总通态电阻
一种降低正向 sic mps 二极管及其制作方法

[发明专利]三极管虚焊的判定方法及其装置-CN201310367755.0有效
发明人：廖志强;张贵斌;全新 -专利权人：深圳市晶导电子有限公司
申请日： 2013-08-21 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： G01R31/02 文献下载
摘要：一种三极管的虚焊的判定方法，包括：依次测量所述三极管的基极电流由小到大的正向压降；对所述正向压降依次进行减法运算，以得到压降差；对所述压降差进行除法运算，以得到比例参数；根据所述比例参数是否落入预定的正常参数范围
三极管判定方法及其装置

[发明专利]半导体器件结温测试方法及半导体器件结温测试系统-CN202211371002.2在审
发明人：朱建新 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种半导体器件结温测试方法及半导体器件结温测试系统，首先对待测半导体器件施加一预设正向电压，使所述待测半导体器件处于正向导通状态以获取该待测半导体器件处于正向导通状态时的第一压降，然后对所述待测半导体器件施加预设幅值、预设脉冲宽度的大电流以获取所述待测半导体器件在所述大电流作用后的第二压降，最后根据所述第一压降、所述第二压降获得所述待测半导体器件在所述大电流作用下的温升值作为所述半导体器件的结温测试结果。如此，基于不同电流作用下半导体器件的压降不同的原理，通过压降差与温度系数关系测试得到器件结温，进而对半导体器件的结温进行有效且精准的测试。
半导体器件测试方法系统

[发明专利]电荷耦合场效应晶体管嵌入的单片电荷耦合场效应整流器-CN202110441871.7在审
发明人：李欣蓓;阮文征;M·G·卡斯托里纳 -专利权人：意法半导体有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：单片二极管器件被配置，使得单片二极管器件的正向压降VfD2小于MOSFET器件的本体二极管的正向压降VfD1。通过控制栅极氧化物厚度、沟道长度和本体掺杂浓度水平，正向压降VfD2是工艺可调谐的。正向压降VfD2的可调谐性有利地允许根据开关速度和效率的要求的集成电路的设计以适合广泛的应用。
电荷耦合场效应晶体管嵌入单片整流器

[发明专利]电机相电阻高精度离线辨识方法-CN201611178575.8有效
发明人：陈跃;刘启武;任艳华;唐婷婷;程远银;高向军 -专利权人：四川长虹电器股份有限公司
申请日： 2016-12-19 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H02P21/14 文献下载
摘要：本发明是要解决现有空调中需要采用EEPROM存储电机相电阻参数的问题，提供了一种电机相电阻高精度离线辨识方法，其技术方案可概括为：首先预存各IGBT正向导通压降加上对应的下桥臂中的续流二极管正向导通压降的值与流入电机该相线圈的电流之间的对应表，输入PWM波，通过电机运行方程及IGBT特性，控制PWM波不同占空比，检测流入电机该相线圈的电流和直流母线电压，查询获取该IGBT正向导通压降加上对应的下桥臂中的续流二极管正向导通压降的值，根据此时PWM
电机电阻高精度离线辨识方法

[发明专利]一种大电流低正向压降碳化硅肖特基二极管芯片及其制备方法-CN201810890739.2在审
发明人：宋迎新;朱坤存;杨晓亮;单维刚;沈中堂;李东华 -专利权人：济南晶恒电子有限责任公司
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本申请提供了一种大电流低正向压降碳化硅肖特基二极管芯片，包括背面层状金属电极、正面层状金属电极、欧姆接触层、衬底、外延层一、外延层二、P型保护环、N型离子注入层、肖特基金属Pt层、环状钝化层以及环状聚酰亚胺膜；本申请还提供了一种大电流低正向压降碳化硅肖特基二极管芯片的制备方法；本申请通过采用PN结和肖特基结并联设计、双层外延生长、离子注入氮离子掺杂、使用肖特基金属Pt在大电流下产生大注入效应，降低了外延层电阻率，实现了大电流下低正向压降肖特基二极管的制作，从而克服了现有技术中选择低势垒金属和增大版图面积在降低器件正向压降的同时增大器件反向漏电流，降低器件成品率，增加制造成本的不足。
正向压降大电流肖特基二极管芯片碳化硅层状金属降低器件外延层肖特基电极金属制备申请环状聚酰亚胺双层外延生长外延层电阻率肖特基二极管反向漏电流欧姆接触层注入氮离子并联设计肖特基结制造成本成品率低势垒钝化层注入层衬底离子背面掺杂制作

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