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[发明专利]一种具有载流子存储层的薄SOI LIGBT器件-CN201710873013.3有效
发明人：罗小蓉;杨洋;孙涛;魏杰;邓高强;黄琳华;刘庆;赵哲言;曹厚华;孙燕 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2017-09-25 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：正向导通时，槽栅侧壁阻挡空穴通路，起到注入增强的效果，降低器件的正向导通压降；同时，N型载流子存储层起到阻挡空穴的作用，促进电子注入漂移区，增强电导调制效应，进一步降低正向导通压降。在正向阻断时，槽栅起到耗尽载流子存储层的作用，使得器件在存储层高浓度下仍可维持高耐压。本发明的有益效果为，相对于传统LIGBT结构，本发明具有更低的正向导通压降、更快的关断速度和更低的关断损耗。
一种具有载流子存储 soi ligbt 器件

[实用新型]一种具有载流子存储层的薄SOILIGBT器件-CN201721232526.8有效
发明人：罗小蓉;杨洋;孙涛;魏杰;邓高强;黄琳华;刘庆;赵哲言;曹厚华;孙燕 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2017-09-25 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：正向导通时，槽栅侧壁阻挡空穴通路，起到注入增强的效果，降低器件的正向导通压降；同时，N型载流子存储层起到阻挡空穴的作用，促进电子注入漂移区，增强电导调制效应，进一步降低正向导通压降。在正向阻断时，槽栅起到耗尽载流子存储层的作用，使得器件在存储层高浓度下仍可维持高耐压。本实用新型的有益效果为，相对于传统LIGBT结构，本实用新型具有更低的正向导通压降、更快的关断速度和更低的关断损耗。
一种具有载流子存储 soiligbt 器件

[发明专利]连接器测试装置-CN201010535458.9无效
发明人：许建明 -专利权人：常熟市福莱德连接器科技有限公司
申请日： 2010-11-09 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明提供的连接器测试装置，包括反向耐压测试电路、正向压降测试电路、绝缘性能测试电路、处理器和测试数据显示装置，所述反向耐压测试电路、正向压降测试电路、绝缘性能测试电路和测试数据显示装置都连接处理器，所述反向耐压测试电路上连接有电气探针，所述正向压降测试电路是还连接有测试接头，所述绝缘性能测试电路上还连接有测试电极。
连接器测试装置

[发明专利]在晶体管稳态工作寿命试验过程中实时测量结温的方法-CN01107821.9无效
发明人：张德骏;苗庆海;贾颖;曹红;张兴华 -专利权人：山东大学
申请日： 2001-02-28 - 公布日： 2003-10-29 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：根据晶体管发射结正向压降与结温的近似线性关系，利用试验过程中工作电流有规律的瞬间断开时间间隔，通过在一定测试电流下测量发射结正向压降来计算出试验样管的结温，利用半导体制冷器作散热器，将发射结正向压降的测量结果作为控制信号
晶体管稳态工作寿命试验过程实时测量方法

[实用新型]用于光伏连接器的测试台-CN201020597013.9有效
发明人：许建明 -专利权人：常熟市福莱德连接器科技有限公司
申请日： 2010-11-09 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本实用新型提供的用于光伏连接器的测试台，包括反向耐压测试电路、正向压降测试电路、绝缘性能测试电路、处理器和测试数据显示装置，所述反向耐压测试电路、正向压降测试电路、绝缘性能测试电路和测试数据显示装置都连接处理器，所述反向耐压测试电路上连接有电气探针，所述正向压降测试电路是还连接有测试接头，所述绝缘性能测试电路上还连接有测试电极。
用于连接器测试

[实用新型]可降低正向导通压降的肖特基二极管-CN201920454348.6有效
发明人：王志强 -专利权人：深圳市和芯电子有限公司
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可降低正向导通压降的肖特基二极管，属于肖特基二极管领域，包括二极管主体，所述二极管主体的外侧连接有散热板，且散热板的外侧连接由散热铝片，所述散热板的内侧设置有导热硅脂，所述二极管主体的一端连接有正极引脚本实用新型通过设置的导热层、正极引脚和负极引脚实现了导热层外侧的二氧化硅为很好的导电材料，所以使得正极引脚和负极引脚的温度升高，从而根据正向压降与温升变化是呈线性变化的关系可以使得肖特基二极管的正向压降降低，将正向压降控制在一个较低的范围内，使得肖特基二极管可以运行更加流畅。
肖特基二极管正极引脚二极管主体正向压降导热层散热板正向导通压降本实用新型负极引脚一端连接导电材料导热硅脂二氧化硅散热铝片外侧设置温升变化线性变化连接片

[实用新型]汽车发电机整流桥二极管正向压降与正向压降变化测试仪-CN202022523924.3有效
发明人：周宝善;李博 -专利权人：奥博华电子电器泰安有限公司
申请日： 2020-11-03 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了汽车发电机整流桥二极管正向压降与正向压降变化测试仪，包括测试仪本体，所述测试仪本体的正面设置有读数显示屏，所述读数显示屏的一侧设置有电流调节按钮，所述电流调节按钮的下方设置有测试开关，所述测试仪本体的背面设置有盖板该汽车发电机整流桥二极管正向压降与正向压降变化测试仪，能够对流过二极管的电流大小进行设置，通过测试开关的设置，能够对测试的开始和结束时间进行控制，从而提高测试结果的精确度，使用者可以通过转动旋钮，实现对盖板的安装和拆卸
汽车发电机整流二极管正向变化测试仪

[发明专利]一种具有故障自诊断功能的矿用本安型直流先导电路-CN201310211829.1有效
发明人：肖义;周峰;王喆 -专利权人：江苏创导自动化设备有限公司
申请日： 2013-05-29 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： G05B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有故障自诊断功能的矿用本安型直流先导电路，二极管D1、D2用于控制1号引出线上的压降在正常启动时，不低于D1、D2的正向导通压降；R2、R3与D7、D8配合为电压比较器反向输入端提供门槛比较电压，使b点电压低于vcc且高于两个二极管的正向导通压降，使c点电压高于一个二极管正向导通压降并低于两个二极管正向导通压降。
一种具有故障诊断功能直流先导电路

[实用新型]具有故障自诊断功能的矿用本安型直流先导电路-CN201320303231.0有效
发明人：肖义;周峰;王喆 -专利权人：江苏创导自动化设备有限公司
申请日： 2013-05-29 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： G05B19/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有故障自诊断功能的矿用本安型直流先导电路，二极管D1、D2用于控制1号引出线上的压降在正常启动时，不低于D1、D2的正向导通压降；R2、R3与D7、D8配合为电压比较器反向输入端提供门槛比较电压，使b点电压低于vcc且高于两个二极管的正向导通压降，使c点电压高于一个二极管正向导通压降并低于两个二极管正向导通压降。
具有故障诊断功能直流先导电路

[发明专利]一种具有载流子存储层的三栅薄SOI LIGBT-CN201810042181.2有效
发明人：罗小蓉;孙涛;魏杰;邓高强;黄琳华;赵哲言;刘庆;杨洋;苏伟;丁柏浪;莫日华 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2018-01-17 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：正向导通时，槽栅侧壁阻挡空穴通路，起到注入增强的效果，降低器件的正向导通压降；同时，N型载流子存储层起到阻挡空穴的作用，促进电子注入漂移区，增强电导调制效应，进一步降低正向导通压降。在正向阻断时，槽栅起到耗尽载流子存储层的作用，使得器件在存储层高浓度的情况下仍可维持高耐压。器件在阴极引入P埋层，提升器件的抗短路能力。本发明相对于传统薄SOI LIGBT结构，具有更低的正向导通压降,同时具有更好的抗短路能力。
一种具有载流子存储三栅薄 soi ligbt

[发明专利]一种杂散电流排流器的排流方法及装置-CN202110658405.4在审
发明人：古国明;刘桂云;冯博洋;温浩胜;易宏;郑祥海 -专利权人：广州燃气集团有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H02H9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种杂散电流排流器的排流方法及装置，通过检测排流器两端的电压变化情况；当所述电压变化情况为：所述排流器存在正向电压降，且所述正向电压降大于预设的第一预设阈值时，对所述正向电压降与所述第一预设阈值的误差进行处理本发明相对于现有技术克服现有杂散电流排流器正向压降过大的问题，提高阴极保护效率。
一种电流排流器方法装置

[实用新型]一种单向阀检测的自动化设备-CN202121492667.X有效
发明人：白强;吴朝兴;刘朋军 -专利权人：西安昆仑汽车电子有限公司
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： G01M13/003 文献下载
摘要：本实用新型属于机械检测技术领域，公开了一种单向阀检测的自动化设备，箱体上侧设置有搬运机构，搬运机构右端设置有流量压降工位下模，流量压降工位下模上端安装有流量压降工位上模；流量压降工位下模右端安装有反向泄露测试工位下模，反向泄露测试工位下模上端安装有反向泄露测试工位上模；反向泄露测试工位下模右端设置有正向泄露测试工位下模，正向泄露测试工位下模上端安装有正向泄露测试工位上模。
一种单向阀检测自动化设备

[发明专利]低压降稳压器-CN200810130011.6无效
发明人：高彬 -专利权人：三星电子株式会社;三星半导体(中国)研究开发有限公司
申请日： 2008-07-23 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：提供了一种低压降稳压器，包括：误差放大器，其正向输入端接收由带隙基准电路产生的电压基准输入；缓冲器，其正向输入端接收误差放大器的输出，反向输入端与输出端相连接；PMOS管，其栅极接收缓冲器的输出，源极接收输入电压，并且漏极输出低压降稳压器的输出电压；和反馈电路，连接在误差放大器的正向端和PMOS管的漏极之间，用于对输出电压进行分压，以将分压的输出电压反馈到误差放大器的反向输入端。所述低压降稳压器通过采用一个低输出阻抗的缓冲器来实现极点分裂，很好地改善了低压降稳压器的相位裕度。
低压稳压器

[实用新型]二极管热循环负载试验系统-CN201020617737.5无效
发明人：金天;邹新富;詹孟军;虞伟军;张志军 -专利权人：金天
申请日： 2010-11-22 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种二极管热循环负载试验系统，包括：反向漏电流采样电路、加热控制电路、瞬态热阻测试模块、温度采集电路、正向压降采集电路、直流高压模块、散热风机调节控制电路、数据总线扩展模块、微处理器、上位机显示界面本实用新型具有以下优点：一是可自由设置测试参数；二是测试精度高；三是缩短了测试周期；四是采用集中控制，工作效率高；五是经采集的正向压降、反向漏电流、瞬态热阻的数值记录保存，与热循环次数配合形成正向压降寿命曲线
二极管循环负载试验系统

[发明专利]一种复合结构的金属氧化物半导体二极管-CN201810970629.7在审
发明人：李泽宏;杨梦琦;何文静;任敏;张金平;高巍;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明的有益效果为：在原专利提出的新型半导体二极管的基础上，添加了正电荷柱区以及P型埋层，正电荷柱区有利于在正向导通时感应出负电荷，产生多子电子的积累层，为多子电流的流动提供了一条低阻通路，降低正向导通压降解决了浅槽金属氧化物二极管在正向导通压降较低时反向耐压不高的问题，使得浅槽金属氧化物二极管在保证较低正向导通压降的同时，实现较高的反向耐压。
正向导通压降反向耐压金属氧化物半导体二极管半导体二极管金属氧化物二极管横向电场正电荷浅槽柱区功率半导体技术低阻通路反向阻断复合结构矩形分布正向导通纵向电场负电荷积累层漂移区耗尽引入流动保证