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[发明专利]一种基于PGGAN模型的图像修复方法-CN202310818206.4在审
发明人：盛婕;杨刚;戴丽珍;邓高强;和益庆;杨海龙;杨辉;陆荣秀;徐芳萍 -专利权人：华东交通大学
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G06T5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于PGGAN模型的图像修复方法，其涉及图像修复技术领域。包括：获取待修复的图像集；构建PGGAN模型；所述PGGAN模型包括生成器，局部判别器和全局判别器；生成器，局部判别器和全局判别器均由第一渐进层和第二渐进层构成；将图像集中的图像输入到PGGAN模型，获得修复后的图像。本发明通过可变卷积的判别器对局部特征进行特征提取与生成图像进行对抗以达到对图像局部复杂特征信息的提取、对比、修复，结合保证图像全局一致性的全局判别器对具有复杂形变物体的图像有更好的修复效果。
一种基于 pggan 模型图像修复方法

[发明专利]一种基于双解码器的人体姿态估计方法、系统及设备-CN202310563464.2在审
发明人：陈蔚岳;杨刚;戴丽珍;杨辉;邓高强;盛婕;陆荣秀;徐芳萍 -专利权人：华东交通大学
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G06V40/20 文献下载
摘要：本发明公开一种基于双解码器的人体姿态估计方法、系统及设备，涉及人体姿态估计领域。本发明将RGB图像通过CNN网络进行特征预处理，将预处理后的特征向量序列经过Transformer编码器进行编码和特征提取，将输出的带有全局依赖关系特征的向量序列同时作为目标解码器和关键点解码器的输入，采用双解码器并行架构，同时提取个人的全局依赖特征和关键点之间的局部依赖特征，解决了关键点密度不足导致关键点漏检的问题，缩短了训练时间；全局依赖特征和局部依赖特征经过基于多层感知机的融合器进行融合，解决了人体存在遮挡现象导致无法检测到人体从而无法进行姿态估计的问题，大大提高了人体姿态估计精度。
一种基于解码器人体姿态估计方法系统设备

[发明专利]一种低泄漏电流的IGBT器件及其制备方法-CN202111265231.1有效
发明人： 邓高强;王俊;张倩 -专利权人：湖南大学
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，具体是一种低泄漏电流的IGBT器件，包括N型半导体衬底；形成于N型半导体衬底正面的P阱层；形成于P阱层正面的高掺杂P+区和高掺杂N+发射区；形成于高掺杂N+发射区中部并在垂直方向上贯穿P阱层且底部位于N型半导体衬底内的沟槽栅；由沟槽栅中导电材料引出的栅电极；高掺杂P+区和高掺杂N+发射区共同引出的发射极电极；形成于N型半导体衬底背面的P型集电区；在P型集电区引出的集电极，P型集电区顶部引入具有电场截止作用的N型掺杂区，N型掺杂区包括形成于P型集电区顶部的一阶N型掺杂区和形成于一阶N型掺杂区顶部的二阶N型掺杂区。本发明可以减小器件的漏电流，提升器件的耐高温能力。
一种泄漏电流 igbt 器件及其制备方法

[发明专利]一种具有集成NMOS管的LIGBT器件-CN202011593040.3有效
发明人：杨可萌;戴恺纬;罗小蓉;马臻;邓高强;魏杰;李聪聪;张森;李杰 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有集成NMOS管的LIGBT器件。本发明主要特征在于：在P+集电区附近引入一个N+集电区，并在集电区上方集成了NMOS管，该MOS管通过一层绝缘介质与下方的集电区隔离开，一端与集电极P+短接，另一端通过导电材料与集电极N+短接。新器件在反向导通时，集成NMOS管为电流提供了通路，新器件具有更好的反向恢复特性。在正向导通时，本发明通过提高集成NMOS管中P型沟道区的浓度提高阈值电压并防止该MOS管的穿通，即可有效抑制snapback效应。在器件关断时，集成NMOS管为电子抽取提供了路径，使新器件具有更小的关断时间和更低的关断损耗。本发明的有益效果为，相比于传统LIGBT，本发明可实现反向导通的功能且关断损耗更低。
一种具有集成 nmos ligbt 器件

[发明专利]一种具有AlGaN/InGaN超晶格势垒层的量子阱LED及其制备方法-CN202310194705.0在审
发明人：张源涛;关涛;邓高强;张立东;左长财 -专利权人：吉林大学
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：一种具有AlGaN/InGaN超晶格势垒层的量子阱LED及其制备方法，属于半导体发光器件技术领域。从下至上依次由衬底、成核层、n型GaN层、具有AlGaN/InGaN超晶格势垒层的多量子阱有源层、电子阻挡层和p型GaN层组成，在p型层和n型层上分别设有上电极和下电极。电极由热蒸镀或电子束蒸发方法制备，其余各层通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法制备。本发明根据所需发光波长确定多量子阱中InGaN阱层的组分后，通过极化强度和禁带宽度的计算调控超晶格势垒层的组分，可以在保证势垒层禁带宽度大于阱层的条件下，减小阱层与势垒层的极化强度差值，从而降低量子阱中的极化电场强度，提高LED的发光性能。
一种具有 algan ingan 晶格势垒层量子 led 及其制备方法

[发明专利]一种具有可控集电极槽的SOI LIGBT-CN201710768209.6有效
发明人：罗小蓉;魏杰;黄琳华;邓高强;赵哲言;刘庆;曹厚华;孙燕;莫日华;曾莉尧 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有可控集电极槽的SOI LIGBT。本发明相对与传统结构，主要在集电极端引入可控集电极槽结构和集电极端引入多个槽栅结构。正向导通时，槽集电极相对于集电极的偏置电压为负值，集电极槽侧壁形成高浓度的P型反型层以增加空穴注入，而分段式槽栅结构起到空穴抽取的阻挡层；因此，漂移区内空穴/电子浓度提高，有利获得更低的正向导通压降；同时，由于N+集电区位于P+集电区上表面，未与N型漂移区接触，因此新器件没有电压折回效应。本发明的有益效果为，相对于传统短路阳极‑LIGBT结构，本发明具有更快的关断速度和更低的正向导通压降，而且没有电压折回效应。
一种具有可控集电极 soi ligbt

[发明专利]一种具有载流子存储层的薄SOI LIGBT器件-CN201710873013.3有效
发明人：罗小蓉;杨洋;孙涛;魏杰;邓高强;黄琳华;刘庆;赵哲言;曹厚华;孙燕 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2017-09-25 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有载流子存储层的薄SOI LIGBT。本发明主要特征在于：采用两个槽栅和一个平面栅结构，且在两个槽栅之间、平面栅下方引入载流子存储层。正向导通时，槽栅侧壁阻挡空穴通路，起到注入增强的效果，降低器件的正向导通压降；同时，N型载流子存储层起到阻挡空穴的作用，促进电子注入漂移区，增强电导调制效应，进一步降低正向导通压降。在正向阻断时，槽栅起到耗尽载流子存储层的作用，使得器件在存储层高浓度下仍可维持高耐压。本发明的有益效果为，相对于传统LIGBT结构，本发明具有更低的正向导通压降、更快的关断速度和更低的关断损耗。
一种具有载流子存储 soi ligbt 器件

[发明专利]一种氮极性GaN/InAlGaN异质结材料及其生长方法-CN202310022834.1在审
发明人：张源涛;马皓天;邓高强;杨世旭 -专利权人：吉林大学
申请日： 2023-01-08 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种氮极性GaN/InAlGaN异质结材料及其生长方法，属于半导体材料外延生长技术领域。从下至上依次由衬底层、高阻GaN模板层、InAlGaN背势垒层、GaN沟道层构成；该异质结材料中各层极性均为氮极性，即平行于c轴成键方向由氮原子指向金属原子，且异质结材料的InAlGaN背势垒层是由与GaN沟道层的a轴晶格匹配的四元InxAlyGa1‑x‑yN材料构成，其In与Al的组分比为1：4～6。本发明提出的异质结材料具有更易制备、在器件等比例缩小的情况下可以进一步提高2DEG限域性的优点，能够进一步减小栅沟间距，提高栅控能力，从而抑制短沟道效应，可用于高频GaN基HEMT器件的制备。
一种极性 gan inalgan 异质结材料及其生长方法

[发明专利]一种具有载流子存储层的槽型SOI LIGBT-CN201710328752.4有效
发明人：罗小蓉;孙涛;黄琳华;邓高强;刘庆;魏杰;欧阳东法;周坤;张波 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有载流子存储层的槽型SOI LIGBT。本发明相对于传统结构，具有以下几个特点：一、具有高浓度的载流子存储层，其在正向导通时起阻挡空穴的作用，使界面附近的空穴浓度增大，根据电中性原理，更多的电子注入漂移区，电导调制效应增强，进而降低器件的正向导通压降。同时，引入介质槽，在物理上阻挡空穴被阴极收集，起到进一步降低正向导通压降的作用，更重要的是，在正向阻断时起到辅助耗尽载流子存储层的作用，使得在高浓度载流子存储层的情况下器件保持高耐压；二、采用三栅结构，提高沟道密度；三、三栅结构与介质槽可以同时制作，无需额外的工艺步骤。
一种具有载流子存储 soi ligbt

[发明专利]一种低噪声、高响应Ga2-CN202211630179.X在审
发明人：董鑫;焦腾;陈威;张源涛;邓高强;张宝林 -专利权人：吉林大学
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种低噪声、高响应Ga2O3基雪崩光电二极管(APD)及其制备方法，属于属于半导体光电探测器技术领域。依次由p‑Si衬底、低厚度n‑Ga2O3薄膜、高厚度UID‑Ga2O3薄膜、n+‑Ga2O3欧姆接触层、欧姆接触电极组成，薄膜外延全部由MOCVD工艺而成。本发明能够实现低噪声、高响应的Ga2O3基SAM‑APD制备，可以在mm2数量级的器件面积下，实现～104A/W的响应度。本发明克服了目前水平结构Ga2O3紫外探测器电流密度较低、响应低、工艺复杂的问题，能够有效提高Ga2O3紫外探测器的响应度，进而促进其实际应用。
一种噪声响应 ga base sub

[发明专利]一种沟槽型分裂栅IGBT-CN202211326158.9在审
发明人： 邓高强;王俊 -专利权人：湖南大学
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽型分裂栅IGBT，包括：N型半导体衬底；形成于N型半导体衬底表面的N型掺杂层；形成于N型掺杂层表面的P阱层；形成于P阱层表面的高掺杂N+发射区和高掺杂P+发射区；在垂直方向上贯穿P阱层且底部位于N型半导体衬底内的沟槽；形成于沟槽底部的P型屏蔽区；形成于N型半导体衬底背面的P型集电区；沟槽沿器件垂直方向上具有分离的第一导电材料和第二导电材料，第一导电材料和第二导电材料分别由绝缘介质包裹；P+发射区在水平方向上与沟槽接触，且与第二导电材料在纵向方向上相交叠；N+发射区在水平方向上与沟槽接触，且与第一导电材料在纵向方向上相交叠。可降低IGBT的饱和电流，最终实现更宽正向安全区。
一种沟槽分裂 igbt

[发明专利]一种高速工业总线芯片自诊断方法-CN202211344304.0在审
发明人：冯旭;邓高强 -专利权人：苏州芯旺丰智能科技有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H04L12/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种高速工业总线芯片自诊断方法，包括超链总线，网络通信采用双向全双工的通信方式，采用双端口结构，当接入任意端口时，实现数据帧的处理和转发；超链总线采用环形拓扑网络，环形拓扑网络中包含一台主机和若干台从机；主机周期性对从机发送请求信息进行问询，从机收到后自检并发送响应信息进行答复，如发现运行状态异常，响应信息会携带自动报错的信息；从机如发现运行状态异常，也随时发送从属信息主动上报主机，从属信息携会携带报错信息。采用此发明实现了网络线性或者环形拓扑的构建。实现网络链路质量和健康状态的在线监测、故障诊断与自愈恢复，大大缩短自愈恢复时间。
一种高速工业总线芯片诊断方法

[发明专利]一种分布式同步总线去抖方法-CN202211344321.4在审
发明人：冯旭;邓高强 -专利权人：苏州芯旺丰智能科技有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H04L43/087 文献下载
摘要：本发明公开了一种分布式同步总线去抖方法，包括超链总线，同步采用分布时钟；所有支持分布时钟的从站节点共享相同的时钟信息；将分布时钟控制寄存器分为接收时间和分布时钟控制环两个部分；超链总线通信核中维护了两种类型的时钟，包括本地时间、本地系统时间；分布时钟控制环寄存器维护了本地系统时间和控制环参数，本地系统时间是本地时间在传输延时寄存器和时间偏移寄存器的基础之上计算而来，其中时间偏移也由主站计算写入从站而来；当从站获得时钟控制环的输入之后，将进行同步环控制；根据分时复用驱动策略的分布时钟同步设计控制流程。采用此发明具备良好的兼容性，极高的实时稳定性和优越的同步特性。
一种分布式同步总线方法

[发明专利]p-NiO为盖层的AlGaN紫外光发光管和激光器及其制备方法-CN202211245706.5在审
发明人：杜国同;张源涛;邓高强 -专利权人：吉林大学
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：一种p‑NiO为盖层的AlGaN紫外光发光管和激光器及其制备方法，属于半导体发光器件及其制备技术领域。器件依次由衬底、AlyGa1‑yN外延下限制层、AlxGa1‑xN材料多量子阱有源发光层、AlzGa1‑zN电子限制层、盖层、上电极和下电极构成；盖层是p‑NiO，空穴浓度可高达1018～1020/cm3。本发明利用p‑NiO高空穴浓度、低电阻率和低折射率的特点，可以形成器件的良好空穴注入和对光形成良好限制，具有工作电压低、发光效率高，激光器易室温连续激射等优点，可提供一种比仅用AlGaN材料系波长更短的紫外光发光管和激光器。
nio 盖层 algan 紫外光发光激光器及其制备方法

[发明专利]p-NiO为盖层的GaN可见光发光管和激光器及其制备方法-CN202211245717.3在审
发明人：杜国同;张源涛;邓高强 -专利权人：吉林大学
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：一种p‑NiO为盖层的GaN可见光发光管和激光器及其制备方法，属于半导体发光器件及其制备技术领域。器件依次由衬底、GaN缓冲层、n型掺Si的AlyGa1‑yN外延下限制层、InxGa1‑xN材料多量子阱有源发光层、p型掺Mg的AlzGa1‑zN电子限制层、p‑NiO盖层、上电极和下电极构成。本发明利用了p‑NiO高空穴浓度、低电阻率、带隙宽和有比AlGaN材料折射率低的特点，可以使器件有良好的空穴注入，同时有良好的光限制和载流子限制，可以降低器件的工作电压，减少高温生长GaN盖层时对量子阱有源发光层的影响，提高器件性能，实现GaN材料系长波长可见光激光发射，拓展器件的应用范围。
nio 盖层 gan 可见光发光激光器及其制备方法

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