“正向压降”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1680441个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种肖特基二极管及其制造方法-CN201010517452.9无效
发明人：杨忠武 -专利权人：上海芯石微电子有限公司
申请日： 2010-10-22 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明的半导体器件，具有低的正向压降，对器件的电参数特性进行进一步优化。
一种肖特基二极管及其制造方法

[发明专利]一种低压大功率防反压及耐过压浪涌电路-CN202211282063.1在审
发明人：张小玲;季彦艳;李楠 -专利权人：中国航空工业集团公司雷华电子技术研究所
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H02H11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种低压大功率防反压及耐过压浪涌电路，同时实现低压大功率防反压及耐过压浪涌的功能，当MOSFET关闭时，其体二极管阻塞反向电流；当MOSFET在正向传导过程中打开时，正向电压降和功率损耗显著降低
一种低压大功率防反浪涌电路

[发明专利]逆导型IGBT的元胞结构及逆导型IGBT-CN201911366131.0在审
发明人：罗海辉;肖强;朱利恒;覃荣震;刘鹏飞 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：这种结构可以降低栅极电压对逆导型IGBT内FRD正向导通压降的影响，使FRD获得更低的正向压降。
逆导型 igbt 结构

[发明专利]一种运算放大器与比较器结合的拓扑电路-CN202211097139.3在审
发明人：耿靖斌;姜俊伟;李志翔;耿娟娟 -专利权人：北京微科能创科技有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：通过在电路拓扑上使得运算放大器与比较器电路结构共用，在产生正向压降与反向关断电压机制上成为相关机制，实现了既保持了正向压降尽可能低的优点，又让反向关断点不会远离原点的过多，以达到在反向关断期间，降低反向电流和避免振荡的目的
一种运算放大器比较结合拓扑电路

[发明专利]一种纵向RC‑IGBT器件-CN201510483439.9有效
发明人：任敏;杨珏琳;郭绪阳;蔡果;牛博;李泽宏;张金平;高巍;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-08-10 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明的器件，在传统的器件结构上，在集电极结构中设置了N型电阻区11，由于薄N电阻区11区域很薄具有大的阻抗，在器件刚开始正向导通时，在较小的电流下就会在薄N电阻区11上产生较大的压降，从而使P+集电区在续流二极管模式下，P型基区与N‑漂移区形成的PN结处于正偏状态下，当压降超过J1开启电压后器件导通，可以传导电流。因此，本发明提供的横向RC‑IGBT器件，完全消除了传统RC‑IGBT正向导通过程中的Snapback现象。
一种纵向 rc igbt 器件

[发明专利]一种低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管-CN201010515063.2有效
发明人：李泽宏;姜贯军;余士江;邓光平;李婷;谢加雄;张超;任敏;刘小龙;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2010-10-21 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明利用金属氧化物半导体结构表面电场效应，正向电压时形成多子积累层而反向电压时形成多子耗尽层，可获得非常低的导通压降，同时可承受很高的反向击穿电压并且泄漏电流非常小，更好地实现了正向导通压降与反向恢复时间之间的折衷
一种功耗恢复金属氧化物半导体二极管

[发明专利]风电变流器功率模块的结温检测方法和装置、存储介质-CN201811526097.4有效
发明人：崔安斌;汤明杰 -专利权人：北京金风科创风电设备有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H02M5/458 文献下载
摘要：本发明公开一种风电变流器功率模块的结温检测方法和装置、存储介质，该方法包括：根据功率模块的IGBT的集电极电流和位于IGBT的集电极和发射极之间的管压降，得到IGBT的瞬时能耗，并根据预定时间段内IGBT的瞬时能耗，得到IGBT的总平均能耗；根据功率模块的二极管的正向电流和正向压降，得到二极管的瞬时能耗，并根据预定时间段内二极管的瞬时能耗，得到二极管的总平均能耗，二极管并联于IGBT的发射极和集电极之间
变流器功率模块检测方法装置存储介质

[发明专利]一种光伏接线盒电器结构设计判定的方法-CN201310336045.1有效
发明人：杨松;王仕鹏;韩玮智;牛新伟;蒋前哨;金建波;陆川;仇展炜 -专利权人：浙江正泰太阳能科技有限公司;上海正泰太阳能科技有限公司;酒泉正泰太阳能科技有限公司;浙江正泰新能源开发有限公司
申请日： 2013-08-02 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种光伏接线盒电器结构设计判定的方法，先将多个待测光伏接线盒粘在玻璃上并串联；对所述串联电路通入第一电流，之后在待测光伏接线盒正面和背面分别测量并记录所述串联电路中各个器件的温度和/或所述串联电路中待测光伏接线盒中二极管的正向压降；将所述串联电路放入湿冻老化箱中，进行至少一个周期的老化过程后，再对所述串联电路通入第一电流，并测量/记录所述串联电路中各个器件的温度和/或所述串联电路中待测光伏接线盒中二极管的正向压降；对老化前和老化后所获取的串联电路中各器件的相应数据进行对比
一种接线电器结构设计判定方法

[发明专利]反激式变换器中整流二极管温度补偿电路-CN201110199183.0有效
发明人：叶强;来新泉;畅彦君;王松林;赵永瑞 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2011-07-16 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种反激式变换器中的整流二极管温度补偿电路，主要解决原边反馈反激式变换器次级侧整流二极管正向压降随温度升高而降低，引起反激式变换器输出电压升高的问题。本发明不仅可补偿反激式变换器次级侧整流二极管正向压降随温度的变化量，而且还能为其提供过温保护，且电路结构简单，可用于采用原边反馈控制技术的AC/DC转换控制器芯片的设计。
反激式变换器整流二极管温度补偿电路

[发明专利]一种具有自适应性的SOI LIGBT器件-CN202010899021.7有效
发明人：魏杰;郗路凡;马臻;罗小蓉;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：正向导通时，集电极端NMOS沟道关闭，集电极端电子抽取路径被阻断而消除电压折回效应，而此时齐纳二极管反向偏置但并未击穿，不会抽取漂移区内存储的空穴，故新器件可获得低正向导通压降。因此，本发明具有更小的导通压降与关断损耗，更宽安全工作区。
一种具有自适应性 soi ligbt 器件

[发明专利]一种VDMOS器件-CN200810046205.8无效
发明人：李泽宏;连延杰;钱梦亮;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2008-09-27 - 公布日： 2009-04-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：与传统的VDMOS器件相比，本发明通过在基区和漂移区之间加入掺杂层，增大了电子流经的截面积，可获得较低的导通损耗，而且使得VDMOS固有体二极管的正向导通压降和反向恢复特性得到优化，在降低其正向导通压降的同时也使得反向恢复时间也有所减小
一种 vdmos 器件

[实用新型]功率器件IGBT-CN202021527269.2有效
发明人：屈志军;张景超;赵善麒;戚丽娜;林茂;井亚会 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本实用新型的功率器件IGBT，能够在器件正向导通时，提前产生0.7V的压降，提前促使P+N结的正向导通，使第一区域空穴注入漂移区，形成电导调制，降低器件的压降；在器件关断期间，通过第二区域通道可以提供大量电子进入漂移区
功率器件 igbt

[实用新型]一种具有低导通压降的槽栅型超势垒整流器件-CN202121316292.1有效
发明人：李铭;谢驰;王为;曾潇;李泽宏 -专利权人：贵州雅光电子科技股份有限公司;贵州恒芯微电子科技有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有低导通压降的槽栅型超势垒整流器件，包括背面金属层，第一导电类型半导体衬底，第一导电类型半导体漂移区、栅氧化层、多晶硅栅极、第一导电类型半导体重掺杂区、第二导电类型半导体体区、第一导电类型半导体重掺杂源区第二导电类型半导体体区和第一导电类型半导体重掺杂源区结构布局，再通过设置第一导电类型半导体重掺杂区及布置，使得本实用新型可形成多道电流路径分布，且由于第一导电类型半导体重掺杂区，使得初始电流路径的导通电压更低，且稳定性高，从而大大降低了正向导通压降，提高了二极管正向过流能力，本实用新型工艺制备相对容易，实用性强。
一种具有低导通压降槽栅型超势垒整流器件

[实用新型]一种激光发射器驱动电路及其系统-CN202221423560.4有效
发明人：左事君;秦玲;王伟 -专利权人：上海灵昉科技有限公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H02M9/04 文献下载
摘要：第二开关模块相较于二极管而言，是通过输入至控制端的电信号控制第一端和第二端之间的导通与否，不需要正向压降，所以寄生电感所存储的电荷不足以支持使二极管导通的正向压降时，通过第二开关模块仍可也进行电流的泄放
一种激光发射器驱动电路及其系统

[实用新型]一种晶闸管的短路发射极结构-CN202320782399.8有效
发明人：邱玉石;杨胜国;纪伟 -专利权人：阜新飞宇电子科技有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本实用新型属于电子元器件技术领域，尤其是一种晶闸管的短路发射极结构，针对背景技术提出的开通时间变长，瞬态正向压降变高的问题，现提出以下方案，包括晶闸管主体、P1导电区和P2导电区，所述P1导电区的外表面上设置有高掺杂本实用新型在接触电极和条状区的结构作用下，提高了晶闸管主体的断态电压上升率，同时开通时间和瞬态正向压降无明显变化，具有至少四个导电类型交替相反的区域，包括外部发射区和内部区，外部发射区分为多个部分，内部区的部分在发射区的部分之间延伸到发射区的外表面
一种晶闸管短路发射极结构