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[发明专利]一种具有终端结构的氧化镓基结势垒肖特基二极管-CN202110317471.5有效
发明人：罗小蓉;魏雨夕;鲁娟;杨可萌;魏杰;蒋卓林;王元刚;吕元杰;冯志红 -专利权人：电子科技大学;中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：正向导通时，低势垒的肖特基结使器件具有低正向导通压降；反向阻断时，异质PN结屏蔽高电场，变掺杂分布的氟离子终端结构缓解电场集中效应，从而减小反向泄漏电流并增大击穿电压。本发明在钝化介质层中而不是氧化镓材料中注入氟离子，减少氧化镓材料晶格损伤对正向导通特性的影响。本发明的有益效果为，本发明的器件兼具正向压降小、泄漏电流小和反向击穿电压高的优点。
一种具有终端结构氧化镓基结势垒肖特基二极管

[实用新型]一种具有载流子存储层的槽型SOILIGBT-CN201720523833.5有效
发明人：罗小蓉;孙涛;黄琳华;邓高强;刘庆;魏杰;欧阳东法;周坤;张波 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型相对于传统结构，具有以下几个特点一、具有高浓度的载流子存储层，其在正向导通时起阻挡空穴的作用，使界面附近的空穴浓度增大，根据电中性原理，更多的电子注入漂移区，电导调制效应增强，进而降低器件的正向导通压降同时，引入介质槽，在物理上阻挡空穴被阴极收集，起到进一步降低正向导通压降的作用，更重要的是，在正向阻断时起到辅助耗尽载流子存储层的作用，使得在高浓度载流子存储层的情况下器件保持高耐压；二、采用三栅结构，
一种具有载流子存储 soiligbt

[发明专利]一种桥式电路的驱动电路-CN200710146937.X有效
发明人：吕明海;李剑;朱赵川 -专利权人：艾默生网络能源系统有限公司
申请日： 2007-08-21 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： H03K17/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种桥式电路的驱动电路，包括功率管的驱动芯片，其中：驱动电路还包括第一嵌位二极管和第二嵌位二极管，第一嵌位二极管正向并联在所述的功率管的源极和栅极之间；在正向驱动支路中，第二嵌位二极管正向串联在驱动芯片的第一输出端与功率管的栅极之间因而在第一嵌位二极管、驱动芯片、第二嵌位二极管和正向驱动电阻形成的回路中，第二嵌位二极管和第一嵌位二极管都处于导通状态而且导通压降基本相等，新增的两嵌位二极管形成的导通压降基本相互抵消，使得在第二嵌位二极管和第一嵌位二极管可以使用常用的导通压降较大的二极管的同时
一种电路驱动

[发明专利]一种降低正向压降的肖特基二极管及制备方法-CN201910542608.X在审
发明人：张瑜洁;刘刚;宋安英 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种降低正向压降的肖特基二极管，第一导电类型碳化硅漂移层一，位于第一导电类型碳化硅衬底的正面；一第一导电类型碳化硅漂移层二，位于第一导电类型碳化硅漂移层一上；第二导电类型的有源注入区以及第二导电类型位于第一导电类型碳化硅漂移层二上；一正面接触金属，正面接触金属设于第一导电类型碳化硅漂移层二的正面，且正面接触金属一侧面连接至场氧层一侧面；一背面接触金属，位于第一导电类型碳化硅衬底的背面，本发明还提供一种降低正向压降的碳化硅肖特基二极管的制备方法；在降低正向压降的同时可以兼顾器件的反向漏电流。
第一导电类型碳化硅漂移层正向压降肖特基二极管接触金属导电类型场氧层注入区衬底制备反向漏电流背面接触侧面连接背面侧面金属

[实用新型]一种低容结构的低残压ESD浪涌防护器件-CN201821100065.3有效
发明人：张猛;梁令荣 -专利权人：伯恩半导体（深圳）有限公司
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低容结构的低残压ESD浪涌防护器件，包括通过电连接关系连接的降容管D1、TVS管D4、肖特基管D2、NPN管T1和正向降容管D3；其中降容管D3提供正向电流通路；D1与T1构成PNPN本实用新型设计合理，实现的单向大骤回SCR结构的保护器件，通过双沟槽工艺，实现了极低电容的SCR结构保护器件，能够满足当前低残压保护需求，且该器件具有低电容、低钳位和大浪涌通流能力等特点。
残压容管本实用新型保护器件防护器件低电容低容电连接关系放电通道开启电压通流能力正向电流双沟槽肖特基大浪钳位正向

[实用新型]一种新型的超低压降肖特基二极管-CN202020396560.4有效
发明人：杨朔 -专利权人：上海安微电子有限公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型的主要目的为提供一种新型的超低压降肖特基二极管，此二极管在高浓度的衬底片上表面先光刻腐蚀多条沟槽，然后外延生长低浓度层，在上表面和沟槽处形成金属势垒和正面金属电极，在背面形成背电极。多槽结构增大了势垒区的表面积，极大地增加了单位芯片的电流，在同等芯片面积情况下，正向导通电流极大地增加，同等电流下，正向压降大幅降低，达到了超低正向的效果。
一种新型低压降肖特基二极管

[发明专利]一种低正向压降肖特基二极管及其制造方法-CN201010505991.0无效
发明人：王艳春;高云飞;李旺勤;黄震宇 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种低正向压降肖特基二极管，其特征在于：从下到上依次包括：阴极金属(1)、第一导电类型阴极区(2)、第一导电类型衬底(3)、第一导电类型外延层(4)、势垒金属或金属硅化物(10)、阳极金属(因为本发明采用槽形结构来实现肖特基接触结构，比目前的通过表面结构实现的肖特基接触结构接触面积大大增加了，从而使得肖特基接触部分的电阻大大减小，实现降低正向导通电压的目的。另外本发明还公开了一种低正向压降肖特基二极管的制造方法。
一种正向压降肖特基二极管及其制造方法

[发明专利]一种低压降止回阀及空调器-CN202111387068.6在审
发明人：王朴忠;黄洪乐;于宗伟;周进;刘洋 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： F16K15/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种低压降止回阀及空调器，其中低压降止回阀包括阀体，还包括：从阀体的进口端沿阀体的内侧相对设置的一对滑槽；分别对应安装于一对滑槽中的一对滑块；可转动地连接于一对滑块之间的阀门；滑块可被阀体内的流体推动沿滑槽移动本发明提供的低压降止回阀及空调器，在实现流体从压缩机流向冷凝器的正向将止回阀开启，流体从冷凝器流向压缩机的反向将止回阀关闭的同时，止回阀在正向流通的进口处通过阀门随滑块滑动并相对滑块旋转至垂直于进口端，从而增加了进口处的流通面积，减小了流体正向流通时的压降和流通阻力。
一种低压止回阀空调器

[实用新型]一种低压降止回阀及空调器-CN202122867083.2有效
发明人：王朴忠;黄洪乐;于宗伟;周进;刘洋 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： F16K15/03 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低压降止回阀及空调器，其中低压降止回阀包括阀体，还包括：从阀体的进口端沿阀体的内侧相对设置的一对滑槽；分别对应安装于一对滑槽中的一对滑块；可转动地连接于一对滑块之间的阀门；滑块可被阀体内的流体推动沿滑槽移动本实用新型提供的低压降止回阀及空调器，在实现流体从压缩机流向冷凝器的正向将止回阀开启，流体从冷凝器流向压缩机的反向将止回阀关闭的同时，止回阀在正向流通的进口处通过阀门随滑块滑动并相对滑块旋转至垂直于进口端，从而增加了进口处的流通面积，减小了流体正向流通时的压降和流通阻力。
一种低压止回阀空调器

[发明专利]一种检测电路、电源恒流电路及电源恒流装置-CN201711309232.5在审
发明人：屈祖权;吕刚;石亮;杨春占;袁子汜;郝金;丁时尤 -专利权人：东莞市港奇电子有限公司
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测电路，检测电路中运放的负向输入端通过分压电阻与开关的不动端连接，如此，运放的正向输入端与负向输入端之间就不再包括开关，运放的正向输入端与负向输入端之间的压降也就不再包括开关的压降，运放电路的运算过程中更不会再包含开关的压降而且，无论批量带开关的电源恒流装置所采用的开关的内阻是否保持一致，也均不会因各开关上的压降不同而影响运算出的输出电流的准确性，能够进一步提升批量电源恒流装置的恒流检测结果的准确性。
一种检测电路电源流电装置

[发明专利]一种超声波流量计峰值检测方法及补偿系统-CN201410680831.8有效
发明人：李蕊;董旭;李长奇;丛萌;郭桂梅;梁艳书 -专利权人：天津商业大学
申请日： 2014-11-24 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： G01F1/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种超声波流量计峰值检测方法及补偿系统,能够动态补偿峰值检波电路中的二极管压降，使其能够测到精确的超声波信号峰值，从而能够应用于超声波流量计精确运算过程的检测方法及补偿系统。该方法包括下述步骤提供一个基准电压，测量电容上的电压，并计算该电压与基准电压之差，得到二极管正向导通压降；在正常超声波信号峰值测量时，将所述电容上检测到的电压加上得到的二极管正向导通压降，作为信号峰值电压计算流量本发明的方法及系统能够动态补偿峰值检波电路中的二极管压降，使其能够测到精确的超声波信号峰值，从而能够应用于超声波流量计精确运算过程，提高了流量计的精确度。
一种超声波流量计峰值检测方法补偿系统

[实用新型]多功能导线检测仪-CN201020239212.2有效
发明人：李志雄 -专利权人：广州励丰声光科技有限公司
申请日： 2010-06-25 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： G01R31/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多功能导线检测仪，它利用了二极管的单向导通特性，首先由二极管阵列组成无源接收端，且二极管阵列任意两个节点间的正向压降和反向压降的组合值是唯一确定的；再由单片机、导线与无源接收端形成电压回路，通过按键电路控制单片机产生电压脉冲，并检测任意两个节点之间的正向压降与反向压降，运算判断确定每个节点的序号；然后通过显示单元显示节点的序号。
多功能导线检测

[实用新型]一种交流降压调压电路-CN201621281198.6有效
发明人：周富强;李世平;米祥丽;左中中 -专利权人：河南开梦电子科技有限公司
申请日： 2016-11-28 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H02M5/20 文献下载
摘要：本实用新型利用二极管的正向压降特征来实现稳定降压的，降压主电路包含二极管的正向压降，交流电的双向电流流向问题解决方案是两个二极管正反并联，实现对交流电的双向流通，调压原理是利用单刀多掷开关短接不同的二极管压降来实现本实用新型压降稳定，负载电压不随电流大小变化，不用复杂的稳压原理，IC芯片，结构简单，降压效果好。
一种交流降压调压电路

[实用新型]一种检测电路、电源恒流电路及电源恒流装置-CN201721732421.9有效
发明人：屈祖权;吕刚;杨春占;石亮;袁子汜;郝金;丁时尤 -专利权人：东莞市港奇电子有限公司
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种检测电路，检测电路中运放的负向输入端通过分压电阻与开关的不动端连接，如此，运放的正向输入端与负向输入端之间就不再包括开关，运放的正向输入端与负向输入端之间的压降也就不再包括开关的压降，运放电路的运算过程中更不会再包含开关的压降，从而使得开关的内阻无法影响到运放电路的运算过程，运算出的输出电流更加准确，检测结果的准确性得到提升。而且，无论批量带开关的电源恒流装置所采用的开关的内阻是否保持一致，也均不会因各开关上的压降不同而影响运算出的输出电流的准确性，能够进一步提升批量电源恒流装置的恒流检测结果的准确性。
电源恒流装置压降负向输入端运放本实用新型正向输入端恒流电路输出电流运放电路运算过程种检测内阻运算电路分压电阻恒流检测检测电路检测结果不动端

[发明专利]一种低漏电低正向压降肖特基二极管结构及其制备方法-CN201410389537.1在审
发明人：鲁艳春;杨忠武;王国峰 -专利权人：上海安微电子有限公司
申请日： 2014-08-08 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明的主要目的为提供一种低漏电低正向压降肖特基二极管及其制备方法，此方法采用结终端扩展技术保护终端，同时对肖特基主结势垒区进行中和调制，并且此两项的注入同时进行，提高了击穿电压，并可达到良好的低漏电效果本发明应用后可采用低电阻率的外延片来制造肖特基二极管，有效地降低了正向压降，既达到高压效果，并提高低漏电低压降效果。
一种漏电正向压降肖特基二极管结构及其制备方法