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[发明专利]一种高频近场电流传感器及探头-CN202310946271.5在审
发明人：傅荣颢 -专利权人： 瑶芯微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本发明提供一种高频近场电流传感器及探头包括：测量线圈、屏蔽外壳及信号处理模块，其中：所述测量线圈用于紧密接触待测器件以获取高频感应信号，其中，所述测量线圈的摆放角度与待测器件的工作电流方向垂直；所述屏蔽外壳设置在所述测量线圈外部，对所述测量线圈进行绝缘保护；所述信号处理模块与所述测量线圈的输出端连接，对高频感应信号进行误差消除以第一时间获取待测器件的工作电流参数。能够对制电路板的布线以及贴片器件的引脚的高频电流进行直接测量，第一时间获取待测器件的工作电流参数，对待测器件的优化设计具有极大的实用价值。结构简单，操作简便，具有广泛的适用性。
一种高频近场电流传感器探头

[发明专利]一种逆导型IGBT器件结构及其制备方法-CN202310895112.7在审
发明人：徐涛 -专利权人： 瑶芯微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种逆导型IGBT器件结构及其制备方法，调节注入层位于逆导型IGBT器件结构的漂移区上，第一导电类型的体区位于调节注入层上；多个所述栅结构沿水平方向间隔设置于体区中并向上延伸至体区外，栅结构两侧均设置有发射区；每个栅结构上设置有介电阻隔层；发射极层位于介电阻隔层上并填充发射区之间的空隙。本发明通过在逆导型IGBT的体区下侧注入氢离子，引入缺陷复合中心，控制局部区域的少子寿命，降低快恢复二极管的反向恢复电荷，减小反向恢复损耗；同时通过注入氢离子产生寄生的浅热施主杂质，在IGBT内部形成载流子存储层，改善空穴的浓度分布，降低饱和压降，有利于驱动负载并降低功耗。
一种逆导型 igbt 器件结构及其制备方法

[发明专利]一种屏蔽栅沟槽型MOS器件结构及其制备方法-CN202310897820.4在审
发明人：陈开宇;胡磊 -专利权人： 瑶芯微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种屏蔽栅沟槽型MOS器件结构及其制备方法，MOS器件包括：外延层、沟槽栅结构、体区、源区、层间介质层及源极金属层，其中沟槽栅结构包括屏蔽栅极层、栅介质层和至少一个多晶硅栅极以及金属硅化物层，至少一个多晶硅栅极位于屏蔽栅极层的上方，金属硅化物层覆盖多晶硅栅极的上表面；层间介质层位于源区上且其中设置有显露体区的接触孔；源极金属层填充接触孔，本发明通过对沟槽栅结构改进，于多晶硅栅极层上设置金属硅化物层，并调控金属硅化物层的厚度，保证了优良的接触界面特性，降低了器件的栅极电阻，提升器件的开关速度和截止频率，还能减小器件的静态损耗，其制备工艺简单，可与常规的MOS工艺相兼容，降低生产成本，提高生产效率。
一种屏蔽沟槽 mos 器件结构及其制备方法

[发明专利]碳化硅基MOSFET器件及制作方法-CN202211644184.6有效
发明人：陈开宇;王小文 -专利权人： 瑶芯微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅基MOSFET器件及制作方法，通过优化版图设计在保留原有的JFET区的情况下于JFET区内设置屏蔽区，最大程度上保留了正向电压下JFET区内的通流区域，屏蔽区形成为与阱区相接合且自该阱区沿元胞阵列的对角线方向延伸进入JFET区，有效屏蔽反向偏压下的高电场区，达到实现器件可靠性提升的目的。本发明的碳化硅基MOSFET的制作方法中通过在形成阱区的同时于JFFT区内形成屏蔽区，没有引入额外工艺，不会增加器件的制作难度和制作成本，实现低导通电阻，同时避免栅氧化层底部的电场强度超过临界击穿场强所导致的可靠性降低。
碳化硅 mosfet 器件制作方法

[发明专利]一种高频噪声抑制电路-CN202310246271.4有效
发明人：王青松;李妍 -专利权人： 瑶芯微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H03H11/04 文献下载
摘要：本发明提供一种高频噪声抑制电路包括：通过监测输入信号的状态变化以及输出信号的持续时间，使第一监测模块或第二监测模块进行延时操作；第二控制模块基于所述第一监测信号或第二监测信号的使能操作，输出对应的第二控制信号；第一控制模块通过对比所述输入信号与第二控制信号，生成第一控制信号与高频噪声得到抑制的输出信号。通过给高频噪声增加延时操作，实现在不影响低频信号的前提下，完成对高频噪声进行抑制的操作，不会对整体的电路系统产生不良影响。结构简单，操作简便，具有广泛的适用性。
一种高频噪声抑制电路

[发明专利]逆导型IGBT器件及其制备方法-CN202310892475.5在审
发明人：陈开宇 -专利权人： 瑶芯微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种逆导型IGBT器件及其制备方法，包括缓冲层、漂移区、体区、源区、栅极结构、第二导电类型集电区、第一导电类型集电区、发射电极、栅极引出端及集电极，其中，相邻的第一导电类型集电区和第二导电类型集电区之间构成台阶，第二导电类型集电区的底面不低于第一导电类型集电区的顶面。本发明通过于第一导电类型集电区与第二导电类型集电区之间形成为台阶，提高缓冲层的扩展电阻，使得第二导电类型集电区和第一导电类型集电区之间的电压降增大，从而使器件尽快进入双极导通模式，降低了器件的电压折回效应。本发明的制备方法，具有制作工艺简单可控，与现有工艺兼容性强。
逆导型 igbt 器件及其制备方法

[发明专利]一种驱动电路及驱动芯片-CN202310438809.1在审
发明人：傅荣颢 -专利权人： 瑶芯微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明提供一种驱动电路及驱动芯片，用于提高功率器件的开启与关断效率，至少包括：第一调节模块、第二调节模块及控制模块，其中：所述控制模块用于对输入信号进行推挽放大；所述第一调节模块连接于功率器件与所述控制模块的输出端之间，通过设置阈值调节功率器件的开启速度，并基于功率器件的关断过程对功率器件的关断电流进行调节；所述第二调节模块连接于功率器件与所述第一调节模块之间，通过提供泄放路径进一步对功率器件的关断电流进行调节。在保证功率器件可靠性与稳定性的前提下，通过第一调节模块的初步调节与第二调节模块的进一步调节，极大提高了功率器件的开启与关断效率。结构简单，可移植性强，具有较大的实用价值。
一种驱动电路芯片

[发明专利]一种高速驱动电路及恒流源-CN202310437431.3在审
发明人：傅荣颢 -专利权人： 瑶芯微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明提供一种高速驱动电路及恒流源包括：第一控制模块通过将输入的第一控制信号进行推挽放大，输出对应的第二控制信号；调节模块基于第二控制信号输出线性变化的驱动信号；第一触发模块对驱动信号进行锁存或释放操作；第二触发模块基于驱动信号对第一触发模块的锁存或释放操作进行控制；第二控制模块基于释放的所述驱动信号第一时间对后级负载进行驱动。通过第一触发模块对驱动信号的锁存或释放操作，以及第二触发模块对第一触发模块的控制，使得驱动电路能够第一时间获得期望的高速、恒定的驱动信号，极大提高了驱动电路的效率。
一种高速驱动电路恒流源

[发明专利]多层外延超结场效应晶体管及制备方法-CN202310532280.X在审
发明人：尹小宝 -专利权人： 瑶芯微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种多层外延超结场效应晶体管及制备方法，在所述N型外延层中形成具有不同掺杂浓度区域的所述元胞区P柱及所述终端区P柱，以及在所述终端区B中形成具有不同掺杂浓度区域的所述终端区P型阱，在不增加芯片面积的前提下，能够提高所述终端区B的击穿电压，以提供高击穿电压器件。
多层外延场效应晶体管制备方法

[发明专利]沟槽型MOSFET电场保护结构及制备方法-CN202310287851.8在审
发明人：陈开宇;王小文 -专利权人： 瑶芯微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽型MOSFET电场保护结构及制备方法，通过形成底部具有斜角的所述沟槽，以及在所述沟槽下方采用自对准离子注入形成覆盖所述沟槽的底部及所述底部斜角的所述第二导电类型电场保护层，从而可通过优化所述沟槽的底部形状以及所述第二导电类型电场保护层改善所述沟槽底部电场较高的问题，以解决器件击穿电压及反偏可靠性较差的问题。
沟槽 mosfet 电场保护结构制备方法

[发明专利]平面型MOSFET栅漏电容调节结构及制备方法-CN202310287867.9在审
发明人：陈开宇;王小文 -专利权人： 瑶芯微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种平面型MOSFET栅漏电容调节结构及制备方法，通过所述第二导电类型电场屏蔽层实现栅漏电容的可控调节，同时通过相接触的所述第一导电类型电流扩展层和所述第一导电类型掺杂区以降低平面型MOSFET的导通电阻，从而解决平面型MOSFET导通电阻与栅漏电容的折中问题。
平面 mosfet 漏电调节结构制备方法

[发明专利]沟槽型MOSFET电场屏蔽保护结构及制备方法-CN202310286448.3在审
发明人：王小文;陈开宇 -专利权人： 瑶芯微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽型MOSFET电场屏蔽保护结构及制备方法，通过在所述沟槽下方形成所述第二导电类型屏蔽层，以作为电场屏蔽保护层，并对所述第二导电类型屏蔽层的部分区域进行第一导电类型的高浓度掺杂可形成电流导通区域，从而可有效缓解所述沟槽底部电场较高的问题，并减小所述第一导电类型漂移区的电阻。
沟槽 mosfet 电场屏蔽保护结构制备方法

[发明专利]一种集成肖特基接触的IGBT器件结构及其制备方法-CN202310342649.0在审
发明人：徐涛 -专利权人： 瑶芯微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明的IGBT器件结构中，通过顶层金属层与具有不同掺杂浓度的P体区之间的接触，从而形成肖特基接触即肖特基二极管，由于肖特基二极管具有较高的开启压降，其可以提高空穴的费米势能以形成空穴势垒，从而增强了IGBT器件在正向导通时N型漂移区的电导调制，进而降低了IGBT器件的正向导通压降，最终达到改善IGBT器件正向导通压降和关断损耗的折中关系，提升了IGBT器件的性能，此外，相对于现有技术中利用浮空P柱来增强载流子的工艺，本发明在一定程度上避免了IGBT器件在关断时对空穴的抽取速度慢的问题且相比于增加载流子存储层来增强载流子的工艺，还能降低IGBT器件的制造成本。
一种集成肖特基接触 igbt 器件结构及其制备方法

[发明专利]一种MEMS麦克风结构及其制备方法-CN202310337548.4在审
发明人：吕婷 -专利权人： 瑶芯微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：本发明提供一种MEMS麦克风结构及其制备方法，该MEMS麦克风结构包括基板、振膜、背极板、背板、背极及振膜引出电极，其中，基板中设有贯穿基板的空腔；振膜悬设于空腔上方，振膜中设有褶皱结构、泄气孔及振膜支架；多个包括第一声孔的背极板间隔悬设于振膜的上方；背板覆盖背极板的上表面，背板中设有第二声孔、背极引线孔、振膜引线孔及分隔层，第二声孔与第一声孔相互连通，背极引线孔的底面显露出背极板，振膜引线孔的底面显露出振膜；背极与背极板电连接，振膜引出电极与振膜电连接。本发明利用在背板中设置与振膜接触的分隔层，将器件的背面分隔成多个背极板，以得到多个独立工作的电容小板，使振膜振动均匀，提升器件的机械可靠性。
一种 mems 麦克风结构及其制备方法

[发明专利]屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制作方法-CN202310243069.6在审
发明人：陈开宇 -专利权人： 瑶芯微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制作方法，包括衬底层以及并联设置于衬底层之上的多个器件元胞，器件元胞包括体区和位于体区中的源区，贯穿层间介质层、源区且延伸至体区中形成有源区接触孔，源区接触孔的底部形成有体接触区，多个器件元胞中的一些与其他器件元胞相比形成有更大横向宽度的体接触区，且多个器件元胞各自具有相等的单元尺寸。本发明使并联的器件元胞具有不同的开启电压，使得栅源电压上升的过程中仅一部分器件元胞先开启，整个器件而言功率密度减小，散热能力增强，从而可以提升器件的SOA能力。本发明的制作方法通过调整源区接触孔的掩膜版，无需改变元胞单元尺寸，不会增加额外的掩膜版制造成本。
屏蔽沟槽 mosfet 器件及其制作方法

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