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[实用新型]一种故障检测电路、故障检测设备和电动车-CN202321015373.7有效
发明人：陈毅东;李智顺 -专利权人：深圳市兆威机电股份有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G01R31/54 文献下载
摘要：二极管的负极接地，二极管的正极分别电连接所述霍尔单元的第二输出端和微处理器的第二检测引脚；所述微处理器，用于通过第一检测引脚检测所述霍尔单元的第一输出端的第一电压信号，通过第二检测引脚检测所述二极管的正极的正向压降，将所述正向压降作为第二电压信号，根据所述第一电压信号和所述第二电压信号判断所述霍尔单元的地线是否断开，能够避免微处理器接收到错误的启动信号，从而引发出现交通事故，保证了用户的安全。
一种故障检测电路设备电动车

[发明专利]激光二极管用电源控制装置-CN98118343.3无效
发明人：金原好秀 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 1998-08-11 - 公布日： 1999-03-17 - 主分类号： H01S3/096 文献下载
摘要：包括提供稳恒电流这种电流的恒流源电路100和多个激光二极管LD1～LDn,激光二极管LD1～LDn阳极与阴极之间并联连接开关元件TR1～TRn,而且将开关元件TR1～TRn的正向压降设定得比激光二极管LD1～LDn的正向压降低,在恒流源电路100输出电流流过激光二极管LD1～LDn状态下,通过激光二极管LD1～LDn阳极、阴极间由开关元件TR1～TRn短路或开路,来切换电流通路。
激光二极管用电源控制装置

[发明专利]一种柔性直流输电系统功率模块联合降损方法-CN202111431654.6在审
发明人：刘汉军;张军;盛俊毅;赵玲;纪攀;郝翔;汤明杰;齐彦军 -专利权人：特变电工西安柔性输配电有限公司;特变电工新疆新能源股份有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H02J3/36 文献下载
摘要：一种柔性直流输电系统功率模块联合降损方法，首先采用二倍频环流注入降损，整流模式下桥臂电流二倍频环流正向峰值对应基频电流分量正向峰值，逆变模式下桥臂电流二倍频环流正向峰值对应基频电流分量负向峰值，此时二倍频环流注入的功率模块损耗相对较小；其次，采用变g参数的模块电压排序算法降损，有两个控制维度，第一个控制维度是根据开关频率平均值偏离目标值的程度输出基准参数gb，分四个档逐步收敛g参数基准值，第二个维度控制是依据桥臂电流绝对值大小，在第一个控制维度确定的基准参数gb的上叠加随桥臂电流变化的波动量，作为最终g参数输出到功率模块排序均压算法中，将桥臂电流较大区域的开关频率适当转移至桥臂电流较小区域
一种柔性直流输电系统功率模块联合方法

[发明专利]室温下准正弦功率脉冲驱动的变流器均流均压试验法-CN03141745.0无效
发明人：杨文焕 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2003-07-22 - 公布日： 2004-03-10 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种室温下准正弦功率脉冲驱动的变流器均流均压试验法，其特点是，本方法是依据正向压降的温度变化实用特性曲线和变流器各桥臂均流系数均压系数随温度变化特性曲线，用准正弦长周期功率脉冲电源驱动变流器的测试系统测得变流器的均流系数、均压系数室温值，并可以将其折算到实际运行值，而且这个值是有利于变流器的运行的。
室温正弦功率脉冲驱动变流器均流均压试验

[发明专利]一种含有隔离p-top区的槽栅超结IGBT-CN202110120082.3有效
发明人：马瑶;黄铭敏;胡敏 -专利权人：四川大学
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：在正向导通态下，所述顶部区上产生一个压降，提高所述耐压层中的第二导电类型的半导体区的电位，帮助降低导通压降。
一种含有隔离 top 槽栅超结 igbt

[发明专利]一种阳极短路的隧道泵IGBT-CN200810046417.6无效
发明人：李泽宏;谢刚;廖忠平;马俊;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2008-10-31 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：IGBT中引入隧道泵结构，或是在单纯的隧道泵的IGBT中引入阳极短路结构，使得本发明所述的阳极短路的隧道泵IGBT兼具阳极短路IGBT和隧道泵IGBT的优点，即在提高器件的关断特性的同时具有较低的导通压降本发明可以很好折衷正向饱和压降与关断时间之间的矛盾，且优化器件的导通特性，更适用于高压大电流高频率的应用环境。
一种阳极短路隧道 igbt

[实用新型]复合开关、半桥桥臂电路结构及整流电路-CN201821854756.2有效
发明人：宋海斌;章进法;许道飞;刘宾 -专利权人：台达电子企业管理(上海)有限公司
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H02M7/219 文献下载
摘要：增强型氮化镓晶体管及二极管；增强型氮化镓晶体管具有栅极、源极及漏极；二极管具有阴极及阳极，阴极电性连接于漏极，阳极电性连接于源极，使得二极管反并联连接于增强型氮化镓晶体管；其中，当栅极与源极间未施加驱动电压时，二极管的正向导通压降小于增强型氮化镓晶体管源极及漏极之间的反向导通压降
增强型氮化镓晶体管二极管复合开关漏极源极半桥桥臂电路结构整流电路正向导通压降阴极本实用新型反并联连接反向导通驱动电压阳极电性阴极电性阳极源极间压降施加

[发明专利]一种超快恢复整流二极管芯片的制造方法-CN202110731903.7在审
发明人：吴王进;古进;龚昌明;杨波;陈海;何燕杰;唐志甫 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供的一种超快恢复整流二极管芯片的制造方法，通过硅片键合→气体携带源扩散→磨片→硼扩散→喷砂→铂扩散→金属化的步骤制作二极管芯片，本发明通过高低掺杂硅片的键合，达到最大限度降低器件体电阻的要求，从而保证器件具有较小的正向压降
一种恢复整流二极管芯片制造方法

[发明专利]一种沟槽肖特基二极管及其制备方法-CN201610780472.2有效
发明人：高盼盼;代萌 -专利权人：上海格瑞宝电子有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：相对于常规TMBS：其提高了耐压、减小了正向压降、提高了开关速度、减小了反向电容。
一种沟槽肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]治控农田与牧场过渡带土壤流失及风蚀的迷宫式栽林-CN202010851822.6在审
发明人：穆哈西;董文明;努尔模达·达拉拜 -专利权人：新疆农业大学
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： A01G17/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种治控水土流失、风蚀及修复生态环境领域的栽种林带模式，尤其涉及一种治控农田与牧场过渡带土壤流失及风蚀的迷宫式栽林；其包括交替排布的正向沟和反向沟；正向沟的首端与上一层反向沟的末端相连，正向沟的末端与对应层反向沟的首端相连，对应层反向沟的末端与下一层正向沟的首端相连；正向沟包括首端的缓速沟、末端的降高沟、连接在缓速沟与对应层降高沟之间的第一拐角、连接在降高沟与下一层缓速沟之间的第二拐角。
农田牧场过渡带土壤流失风蚀迷宫式栽林

[实用新型]治控农田与牧场过渡带土壤流失及风蚀的迷宫式栽林-CN202021766426.5有效
发明人：穆哈西;董文明;努尔模达·达拉拜 -专利权人：新疆农业大学
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： A01G17/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种治控水土流失、风蚀及修复生态环境领域的栽种林带模式，尤其涉及一种治控农田与牧场过渡带土壤流失及风蚀的迷宫式栽林；其包括交替排布的正向沟和反向沟；正向沟的首端与上一层反向沟的末端相连，正向沟的末端与对应层反向沟的首端相连，对应层反向沟的末端与下一层正向沟的首端相连；正向沟包括首端的缓速沟、末端的降高沟、连接在缓速沟与对应层降高沟之间的第一拐角、连接在降高沟与下一层缓速沟之间的第二拐角。
农田牧场过渡带土壤流失风蚀迷宫式栽林

[发明专利]一种有源密勒箝位保护电路-CN201710753558.0有效
发明人：施其彪;赵峰;温旭辉;许飞 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2017-08-29 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H03K17/16 文献下载
摘要：一种有源密勒箝位保护电路，包括滞环比较器电路，栅极电压采样使能电路，正压串扰箝位作用电路和负压串扰箝位作用电路。滞环比较器电路的正向输入端对栅极电压采样使能电路的输出端电压采样，采样的栅极电压叠加到滞环比较器电路的正向输入端，与负输入端的参考电压比较，当大于参考电压时，滞环比较器电路输出饱和正压，小于参考电压时，输出饱和负压，对采样的栅极电压形成滞环输出,保证了绝缘栅器件正常的开通关断不会受到影响。当栅极有很高的正压脉冲干扰的时候，经正压串扰箝位作用电路的箝位，此时栅极电压被箝位在一个二极管的管压降。当栅极有负压脉冲干扰的时候，经负压串扰箝位作用电路箝位，此时的栅极电压被箝位在负压电源左右。
一种有源箝位保护电路

[发明专利]非对称阻尼阀-CN201710555082.X在审
发明人：陈露露;刘硕;蔡勇;沈莹杰;方辉;丁凡 -专利权人：浙江大学舟山海洋研究中心
申请日： 2017-07-10 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： F16K41/10 文献下载
摘要：当液压系统中的流体正向通过这段管道时，流体受圆弧和尖角的作用，会发生速度紊乱，产生涡流，进而产生较大压降。而流体反向流过时，流体顺沿钝体流动，免受圆弧及尖角的阻碍作用，压降随之减小。不同的流动方向中，流动截面产生不同的改变方式和改变顺序，从而产生不同的压降。本发明由于无可动部件，所以安装配合要求相对较低，且不易磨损失效。同时此类阻尼阀也无驱动部件，继而降低成本，性能稳定。
对称阻尼

[发明专利]一种FRD器件结构及其制造方法-CN201110401630.6有效
发明人：孙德明 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2011-12-06 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：进而有效改善器件的反向恢复特性；并且因沟槽侧壁上绝缘层的存在，使部分原本在P型掺杂区中经过复合途径到达P型掺杂区上表面的复合载流子被绝缘层被屏蔽后，在绝缘层表面进行复合，从而进一步提高了发射效率，改善通态压降此外，通过控制P型掺杂区中沟槽底部的掺杂浓度，从而避免载流子扩散长度急剧减小，避免载流子散射和俄歇复合效应，提高P型掺杂区中沟槽底部区域的发射效率，补偿了沟槽因掺杂降低引起通态压降升高，改善正向压降。
一种 frd 器件结构及其制造方法

[发明专利]一种消除电压折回现象的RC-LIGBT器件-CN202010092691.8有效
发明人：杨瑞丰;易波;蔺佳;赵青;黄东;孔谋夫 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-02-14 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，提供一种基于绝缘体上硅技术的消除电压折回现象的RC‑LIGBT器件，在传统SSA‑LIGBT器件的基础上，在集电极一侧引入一个栅源短接的N沟道MOEFET；当器件工作在正向状态时当器件工作在反向状态时，随着发射极电压升高，栅漏短接的NMOS开启，器件工作于反向并联的IGBT模式，实现器件的反向导通特性；综上，本发明RC‑LIGBT器件既能完全消除电压折回现象，又兼具高可集成度、低导通压降、小器件尺寸、能够快速关断等优点；同时，器件具有更高的电流密度，降低了器件的导通压降，改善了导通压降和关断损耗之间的折中关系。
一种消除电压折回现象 rc ligbt 器件